请记住资料编号：GY10001-77609 资料价格:228元
1、一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法
[简介]： 本套资料公开的一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法，采用全数字电路的方式对TSV缺陷进行检测，利用数字电路中的反相器的逻辑阈值进行电平检测，不用外接参考电压，与数字电路兼容性强。电路结构简单，用同一套测试电...
2、一种全数字3D集成电路硅通孔缺陷自动检测方法
[简介]： 本套资料属于光学设备制造技术领域，涉及一种二维硅基光子晶体线缺陷慢光波导装置，二维硅片的表面上沿二维硅片的硅片长边的方向顺序排列刻蚀制有单轴对称圆弓形散射元，二维硅片的对称轴处留有一排没有刻蚀制有单轴对称圆...
3、一种二维硅基光子晶体线缺陷慢光波导装置
[简介]： 本套资料提供硅晶圆的缺陷检查装置及其缺陷检查方法。该硅晶圆的缺陷检查装置包括：*光照明部件，其根据上述硅晶圆的电阻率的值来调节光量，用于照明上述硅晶圆；拍摄部，其由对*光具有灵敏度的线传感器阵列构成，用于拍...
4、硅晶圆的缺陷检查装置及其缺陷检查方法
[简介]： 本套资料涉及电工钢热轧技术领域，主要内容为一种防止低碳低硅无取向电工钢中间坯边部尖角缺陷的工艺，控轧控温生产，具体生产工艺如下：1）加热制度：含硅＜0.65%的连铸坯，加热到1180～1200℃；含硅≥0.65%的连铸坯，加热到1100～1140℃；...
5、防止低碳低硅无取向电工钢中间坯边部尖角缺陷的工艺
[简介]： 本套资料主要内容为一种铸锭炉，包括容纳硅料的石英坩埚，以及支撑所述石英坩埚的散热台，还包括设于所述石英坩埚和所述散热台之间的导热增高块。导热增高块可以有效提高硅锭在热场中的高度，使散热台的上表面与石英坩埚的下表面...
6、降低硅锭中部缺陷的方法和应用该方法的铸锭炉
[简介]： 本套资料主要内容为一种去除电池硅块头尾部缺陷的方法。该方法包括以下步骤：1）将电池硅块固定在托盘上；2）采用线锯切割技术切除电池硅块的头部和尾部的缺陷部分。应用本套资料的技术方案，先将电池硅块固定在托盘上；然后采用线锯切...
7、去除电池硅块头尾部缺陷的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法，包括下述步骤：（1）设定表面颗粒测试仪的颗粒直径测试区间；（2）将待测试的抛光片或外延片放在测试台上，开始依次测试，并记录下每个区间的颗粒数据；（3）将颗...
8、硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种深沟槽工艺晶片周边硅针状缺陷的解决方法，包括步骤：1在衬底氧化硅上淀积六甲基二硅胺蒸汽；2涂布第一层光阻，软烘烤，曝光；3涂布第二层同种光阻，软烘烤，用相应的光罩曝光晶片周边区域；4第一次显影液...
9、深沟槽工艺晶片周边硅针状缺陷的解决方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用。该腐蚀液由摩尔浓度为0.25～0.35molL的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比1∶2～1∶1混合制成。该腐蚀液适用范围广，可以用于掺杂浓度为2...
10、显示重掺P型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液及其应用
[简介]： 一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法，通过包含有LED光源激发机构、激光器激发机构、*成像机构和计算机的硅片缺陷检测装置实施。该方法包括以下步骤：A、设置LED光源激发机构的发光强度，或设置激光器激发机构的发光强度；...
11、硅片及硅太阳电池片缺陷检测方法
[简介]：本技术提供了一种硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置，它包括硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构、*成像机构和计算机；硅片及硅太阳电池片光致发光激发机构设置在硅片或硅太阳电池片的近旁激发硅片发光，*成像机构...
12、硅片及硅太阳电池片缺陷检测装置
[简介]： 本套资料主要内容为一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液，由摩尔浓度为0.2～0.25molL的三氧化铬溶液和质量浓度为40％～49％的氢氟酸按体积比为2∶3～3∶2混合制成。该腐蚀液适用范围广，可以用于掺杂浓度为1.6�.1×...
13、一种用于显示重掺N型直拉硅单晶空洞型缺陷的腐蚀液
[简介]： 本套资料主要内容为一种检测外延硅缺陷的方法，在硅片外延层上生长热氧化层，硅片外延层与硅片衬底同型；对硅片表面注入电荷，通过表面电压测量，得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命；在热氧化层表面产生感...
14、检测外延硅缺陷的方法
[简介]： 本套资料涉及化学机械抛光组合物，其包含二氧化硅、一种或多种有机羧酸或其盐、一种或多种多糖、一种或多种碱、任选的一种或多种表面活性剂和或聚合物、任选的一种或多种还原剂、任选的一种或多种杀生物剂及水，其中该抛光组合...
15、具有高速率及低缺陷率的硅抛光组合物
[简介]： 根据本套资料构思的一种堆叠半导体存储器件可以包括：多个存储器芯片，堆叠在处理器芯片之上；多个TSV；以及IO缓冲器。TSV可以穿过存储器芯片并且连接到处理器芯片。IO缓冲器可以耦接在全部或部分存储器芯片与TSV之间，并且可...
16、堆叠半导体存储器件、存储器系统及修复硅通孔缺陷的方法
[简介]： 一种制备低缺陷大面积硅100-2x1重构表面的方法，其特征是方法步骤为：第一步，通过直流电源对硅（100）样品实现击穿；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银...
17、制备低缺陷大面积硅100-2x1重构表面的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种改善深沟槽刻蚀后硅片边缘硅尖刺缺陷的方法，其为在硅片上刻蚀形成深沟槽之后，包括如下步骤：步骤一，在硅片上涂一层光刻胶；步骤二，采用祛边和边缘曝光的工艺，将距离硅片边缘预定尺寸以内的区域暴露出来...
18、改善深沟槽刻蚀后硅片边缘硅尖刺缺陷的方法
[简介]： 一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法，它是通过调节位于直拉单晶炉炉室内热场上保温筒座上设置的保温圆桶的数量、每层的厚度、圆桶的壁厚或它们的组合，从而调整晶体生长界面的形状、界面的温度梯度以及晶体生长速度的方法，达...
19、一种直拉硅单晶棒内缺陷的调节方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法，该方法通过电学和光学检测手段检测电池各种缺陷区域的漏电情况，对缺陷漏电区域精确定位，在真空、气态或液态环境中，利用激光束在缺陷漏电区域及其周围做刻蚀，切断电池缺陷漏...
20、一种晶体硅太阳电池缺陷修复方法
[简介]： 本套资料涉及用于制造半导体硅晶片的方法，其中根据Czochralski法拉伸硅单晶，并将其加工成半导体晶片，在拉伸单晶期间控制拉伸速率V与生长前沿处的轴向温度梯度G的比例VG，从而在该单晶内形成尺寸超过临界尺寸的聚集的空位...
21、一种检测CMOS工艺硅栅随机缺陷的方法
22、一种检测CMOS工艺硅栅随机缺陷的方法
23、一种检测锗硅外延缺陷的方法
24、特别用于应变或应力硅材料的刻蚀组合物、表征这种材料表面上的缺陷的方法，和用刻蚀组合物处理这种表面的工艺
25、用于消除低硅铝合金中热裂缝缺陷的金属处理
26、硅基缺陷掺杂发光薄膜材料的制备方法
27、磷硅玻璃底切缺陷的改善方法
28、一种用于硅晶体材料缺陷显示的腐蚀液及其使用方法
29、在硅和有机前驱物的PECVD工艺中减少气相反应以沉积无缺陷起始层方法
30、改善微反射镜间介质层缺陷及制作硅基液晶显示器的方法
31、改善微反射镜间介质层缺陷及制作硅基液晶显示器的方法
32、改善纯硅玻璃与磷硅玻璃界面缺陷的方法及其含磷结构
33、用于减少应变硅中的缺陷的基于氮的植入
34、检测掺硼硅玻璃膜缺陷的方法
35、控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法
36、硅键合片界面缺陷的检测方法
37、一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法
38、一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法
39、具有缺陷分类能力的硅片表面缺陷检测仪及缺陷分类方法
40、检测N型重掺硅单晶片或锭晶格缺陷的方法
41、表征硅表面缺陷的方法、用于硅表面的蚀刻组合物以及用蚀刻组合物处理硅表面的方法
42、表征硅表面缺陷的方法、用于硅表面的蚀刻组合物以及用蚀刻组合物处理硅表面的方法
43、一种减少碳化硅晶体籽晶生长面缺陷的方法
44、批量消除小尺寸非晶硅太阳能电池缺陷的装置
45、太阳能硅片及电池片缺陷检测系统
46、硅片缺陷检测装置
47、一种硅片内部缺陷检测装置及其检测方法
48、改善硅磊晶层中晶格缺陷的半导体组件制造方法
49、一种低缺陷单晶硅棒
50、一种低缺陷单晶硅棒
51、硅片外形缺陷在线检测模组
52、一种显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法
53、一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法
54、具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅
55、具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅
56、一种消除冷轧硅钢连续退火炉无氧化水印缺陷的方法
57、用高生长速率制备低缺陷密度硅的方法
58、生产低缺陷密度硅的方法
59、硅片背面缺陷正面打点的定位结构
60、一种消除取向硅钢氧化镁涂层纵向条纹缺陷的涂层辊
61、低缺陷高产出多晶硅铸锭方法及其热场结构
62、低缺陷高产出多晶硅铸锭方法及其热场结构
63、具有受控缺陷分布的硅晶片、其制法及丘克拉斯基提拉机
64、降低锗硅外延表面缺陷的方法
65、一种晶硅抛光片表面缺陷检测设备
66、一种晶硅抛光片表面缺陷检测系统
67、非晶硅太阳能电池烧除缺陷的装置
68、从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
69、抑制具有STI的硅片缺陷的方法及在硅片上构造STI的方法
70、任意大直径无缺陷硅晶体的生长方法
71、容许工艺条件变动而制备无缺陷硅晶体的工艺
72、生长低缺陷密度、自填隙为主的硅的拉晶设备
73、碳碳化硅复合材料内部缺陷厚度测量方法
74、用于消除多晶硅金属板电容器中的工艺相关缺陷的结构及方法
75、暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法
76、用光学显微镜自动监控硅片周边去边及缺陷的方法
77、低缺陷浓度的硅
78、低缺陷密度、自-填隙原子受控制的硅
79、低缺陷密度、理想氧沉淀的硅
80、缺陷密度低空位占优势的硅
81、低缺陷密度、自间隙原子为主的硅
82、低缺陷密度、自间隙原子为主的硅
83、低缺陷浓度的硅
84、缺陷密度低，空位占优势的硅
85、去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法
86、具有逆碳分布的低缺陷碳替代单晶硅层
87、硅片制品缺陷分析方法及装置
88、控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成
89、控制CZ生长过程中由硅单晶侧面诱发的附聚点缺陷和氧簇的形成
90、含氧缺陷的氧化硅复合硒化镉纳米晶的制备方法
91、非晶硅薄膜光伏模块的分流缺陷的钝化方法
92、硅片图形缺陷在线检测方法
93、改善多晶硅缺陷的方法
94、硅晶片表面缺陷的评价方法
95、硅片外延线性缺陷的测定方法
96、在FET器件中形成具有低缺陷密度的镍硅化物的方法和装置
97、薄膜晶体管的制造方法与修补多晶硅膜层之缺陷的方法
98、具有均匀空位缺陷的单晶硅锭和晶片及其制备方法和设备
99、减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷
100、一种氧化腐蚀去除硅纳米线太阳能电池表面缺陷层的方法
101、降低多晶硅层洞缺陷的方法
102、降低多晶硅层洞缺陷的方法
103、太阳能多晶硅电池片表面缺陷与沾污检测设备
104、硅半导体器件用硅片的缺陷控制工艺
105、在二氧化硅化学机械抛光过程中减少消除划痕和缺陷的组合物和方法
106、硅片表面缺陷的激光扫描散射检测与分类系统
107、基本无生长缺陷的外延硅片
108、热退火后的低缺陷密度单晶硅
109、加入缺陷晶体物质的硅酸盐水泥生料及熟料
110、使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法
111、减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构
112、一种离子束应用于金属硅化物工艺缺陷分析的方法
113、制备“无缺陷”氮化硅晶须的装置
114、缺陷控制近*敏感非晶硅光敏层的液晶光阀
115、倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪
116、倾斜入射光散射式硅片表面缺陷检测仪
117、具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪
118、具有散射光强倍增系统的硅片表面缺陷检测仪
119、无缺陷氮化硅晶须的制备
当前第1页
1
1
