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《成膜,半导体类专题技术光盘》

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1、低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法
[简介]: 本发明的低介电常数层间绝缘膜,通过等离子体CVD法形成,至少含有碳和硅,碳相对于硅的比率为2.5以上,且相对介电常数为3.8以下。此外,本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法,具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝...

2、低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法
[简介]: 本发明涉及一种电机绝缘漆的成膜促进剂溶液及电机烘焙前绝缘漆的成膜方法。成膜促进剂溶液包括促进剂和溶剂;所述促进剂为亲核的叔胺类,或亲电型的路易斯酸,或路易斯酸络合物,或金属有机化合物;所述溶剂为有机溶剂。电机...

3、一种电机绝缘漆的成膜促进剂溶液及电机烘焙前绝缘漆的成膜方法
[简介]: 本发明提供钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置,通过使钛的硅化物结构一致,能够改善表面形态等。在钛膜的成膜方法中,在能够抽真空的处理容器14内供给包含钛的原料气体、还原气体和非活性气体,并且在上述处理容器内产生等离...

4、钛膜的成膜方法和钛膜的成膜装置
[简介]: 本发明提供了以下述化学式1表示的等离子体CVD用绝缘膜材料,使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。根据本发明可以得到对半导体装置的层间绝缘膜等有用的、相对介电常数低且铜扩散阻挡性高的绝缘膜。在下述化学式1中...

5、绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜
[简介]: 本发明提供了以下述化学式1表示的等离子体CVD用绝缘膜材料,使用了该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜。在式1中,m和n是3~6的整数,m和n在一个分子中可以相同,也可以相互不同。

6、绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜
[简介]: 本发明提供的成膜方法包括:在成膜装置(100)的处理容器(1)内配置设置有绝缘膜的晶片(W)的工序;在处理容器(1)内供给TEOS等含有硅原子的化合物的气体和水蒸汽等OH基供给性气体,使Si-OH基在绝缘膜的表面形成的表面改性工序...

7、成膜方法和成膜装置
[简介]: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法,其在能够被有选择地供给硅源气体和金属源气体的处理容器的处理区域内,进行在被处理衬底上形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜处理。成膜处理包括:阻断所述金属源气体的供给、并且使...

8、形成掺杂有金属的含硅绝缘膜的成膜方法和装置
[简介]: 本发明提供用旋转喷涂法、喷雾沉积法或CVD法在各种基板的表面形成高质量、高纯度的含有锂的绝缘膜或者含有硅酸锂的绝缘膜的绝缘膜成膜用原料及使用该原料的成膜方法。本发明的绝缘膜成膜用原料由锂的烷氧基化合物和、从醚...

9、绝缘膜成膜用原料及使用该原料的成膜方法
[简介]: 本发明的等离子体CVD用绝缘膜材料由具有彼此键合并与硅原子一起形成环状结构的两个烃基或一个以上支链烃基的硅化合物构成,所述支链烃基中,作为与硅原子键合的碳原子的α碳构成亚甲基,且作为与该亚甲基键合的碳原子的β碳...

10、绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料的成膜方法和绝缘膜
[简介]: 本发明涉及成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法。通过热CVD法以MBH44M表示Zr或Hf作为原料形成BM比在适当范围内且良质的MBx膜M具有与上述相同含义、x表示1.8~2.5的数。从气体供给源19介由气体供给配管15...

11、成膜方法、成膜装置以及半导体装置的制造方法
[简介]: 在绝缘基板10的背面10b连接有冷却器30。当冷喷涂装置40向绝缘基板10的表面10a喷射铜粉末41而形成覆膜41a时,为了确定形成覆膜41a的成膜区域而使用掩模60。该掩模60形成有确定成膜区域的开口63且...

12、掩模、基板加热装置及成膜方法
[简介]: 本发明公开了一种中空圆环管道多喷头和球面成膜的静电纺丝制膜装置。N个装有储液的可调压推进器分别与各自的中空圆环管道连通,相邻中空圆环管道均由管道连接件连接,相邻中空圆环管道间由装有开关阀的绝缘中空连接管连通...

13、中空圆环管道多喷头和球面成膜的静电纺丝制膜装置
[简介]: 本实用新型公开了一种中空圆环管道多喷头和球面成膜的静电纺丝制膜装置。N个装有储液的可调压推进器分别与各自的中空圆环管道连通,相邻中空圆环管道均由管道连接件连接,相邻中空圆环管道间由装有开关阀的绝缘中空连接管...

14、一种中空圆环管道多喷头和球面成膜的静电纺丝制膜装置
[简介]: 本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法,在作为半导体基板的Si基板1上形成栅极绝缘膜2,接着在栅极绝缘膜2上通过使用包含WCO6气体的成膜气体的CVD形成W类膜3a。然后,在存在有还...

15、金属类膜脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置制造方法
[简介]: 本发明提供成膜方法、成膜装置、存储介质以及半导体装置。可使形成在层间绝缘膜与配线金属之间的阻挡膜获得相对于构成配线金属的元素、构成层间绝缘膜的元素的高阻挡性。其中,使在处理容器内载置基板的载置台、与沿着周向形...

16、成膜方法、成膜装置、存储介质以及半导体装置
[简介]: 本发明的溅射成膜装置,包括具有导电性的目标保持器以及与所述目标保持器相对而设的具有导电性的基板保持器,所述目标保持器保持目标,所述基板保持器保持基板,所述目标保持器和所述基板保持器被施加电压而进行所述目标的...

17、溅射成膜装置
[简介]: 一种表面波等离子体CVD设备,其包括:波导3,该波导3连接于微波源2,多个槽缝天线S形成于波导的磁场平面上;电介质板4,该电介质板4用于将从多个槽缝天线S射出的微波引导至等离子体处理室1,从而产生表面波等...

18、表面波等离子体CVD设备以及成膜方法
[简介]: 本发明提供一种载置台构造,其载置用于通过等离子体溅射形成金属膜的被处理体,并且外周侧隔着绝缘用的间隙被与接地侧连接的保护罩部件包围。本发明的载置台构造包括:由导电性材料构成,将上述被处理体载置于其上表面一侧...

19、载置台构造以及等离子体成膜装置
[简介]: 一种成膜方法在抑制栅绝缘膜的电学特性恶化的同时提高栅绝缘膜的表面喷涂率。所述方法包括向真空腔11提供包含有机硅烷化合物和氧化气体的混合气体,产生脉冲高频电从而间歇性提供高频电,并通过用脉冲高频电使混合气体...

20、成膜方法
[简介]: 本发明提供一种成膜装置,其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构,并且在一个处理室内依次执行下述处理,即,供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上...

21、成膜装置
[简介]: 本发明公布了一种等离子体电解氧化陶瓷涂层的刷镀成膜装置及方法,包括电极系统和电解液系统,其中电极系统包括带有集液槽的阴极,集液槽与电解液系统相通连接,集液槽底部设置有通孔,并在其外表面上包覆有阴极绝缘包覆层...

22、一种等离子体电解氧化陶瓷涂层的刷镀成膜装置及方法
[简介]: 本发明公开了对在表面暴露有使用铜的配线和绝缘膜的基板形成含锰膜的成膜方法。该成膜方法具备在使用铜的配线上,利用使用了锰化合物的CVD法形成含锰膜的工序步骤2。

23、成膜方法
[简介]: 本发明的阻挡膜形成用内部电极,其插入具有口部的塑料容器的内部,向该塑料容器内供给介质气体,并向设置在上述塑料容器外部的外部电极供给高频电力,从而在塑料容器内表面产生放电等离子体,并在塑料容器的内表面形成阻挡...

24、阻挡膜形成用内部电极以及成膜装置
[简介]: 本实用新型公开了一种物理气相沉积成膜设备工艺腔套件,包括压环、定位螺杆、陶瓷绝缘子、挡板及螺帽,其中所述定位螺杆的顶端固定在所述压环上,所述定位螺杆的底端穿过所述陶瓷绝缘子,并在所述定位螺杆的底端加装螺帽,用于...

25、物理气相沉积成膜设备工艺腔套件
[简介]: 本实用新型公开了一种钢管内壁加热与粉末喷涂成膜一体化装置。它包括静电喷涂设备和气泵,还包括电磁加热筒、超音频电源以及牵引机构。电磁加热筒和内喷*置于架起的钢管内部,由钢丝绳连接到牵引电机的绞盘上,电源由导线连...

26、钢管内壁加热与粉末喷涂成膜一体化装置
[简介]: 提供一种油扩散泵,其具有能够解决使用加热线作为工作油加热源时的问题的油蒸气产生器。该油扩散泵为真空泵,在壳体51内配置有油蒸气产生器70,使该油蒸气产生器70工作以使工作油8气化而成为油蒸气,将该油蒸气从喷...

27、油扩散泵以及真空成膜装置
[简介]: 本发明公开了一种用于支承绝缘性基板的基板保持器,该保持器包括具有开口的导电基板保持器主体;第一支承部件,该第一支承部件被形成用于从开口的内周边突出到开口内部,并包括支承绝缘性基板一个端部部分的夹持部件;和第...

28、基板保持器、使用基板保持器的成膜方法、硬盘制造方法、成膜设备及程序
[简介]: 本发明提供成膜方法以及等离子体成膜装置。利用该成膜方法,即使形成在被处理体的表面的凹部的内径、宽度小,也能够提高薄膜成膜时的阶梯覆盖。在向可被抽真空的处理容器22内收容具有凹部6的绝缘层4被形成在表面的被...

29、成膜方法以及等离子体成膜装置
[简介]: 本发明涉及一种成膜方法,对在表面形成有具有凹部的绝缘层的被处理体形成薄膜,其特征在于,包括:薄膜形成工序,使用等离子体CVD法,在包含上述凹部内的表面的上述被处理体的表面,形成氮化钛膜的薄膜;和氮化工序,在氮化气体...

30、成膜方法和等离子体成膜装置
[简介]: 提供一种能够沉积具有均一的表面电阻值的薄膜的溅射沉积设备。该溅射沉积设备在膜沉积室内配置有至少两个磁控溅射单元。在至少两个磁控溅射单元当中,在设置在配置于基板输送方向43上的最上游侧的磁控溅射单元上的靶材...

31、成膜装置
[简介]: 本发明在于提供一种对具有凹部2的在表面形成有由low-k膜构成的绝缘层122的被处理体W形成含Mn的薄膜的成膜方法,其包括:在绝缘层的表面实施亲水化处理而形成亲水性表面的亲水化工序;通过在进行过亲水化处理的绝缘...

32、成膜方法、前处理装置和处理系统
[简介]: 本发明的成膜方法包括:在层间绝缘膜520上和接触孔530底部的含硅表面512上形成钛膜的钛膜形成工序;将该钛膜全部氮化,形成单一的氮化钛膜550的氮化工序;和在氮化钛膜上形成钨膜560的钨膜形成工序。由此,能够防...

33、成膜方法、基板处理装置和半导体装置
[简介]: 提供一种对靶材的溅射面整体进行溅射而提高靶材的使用效率并不会产生发弧的溅射成膜装置。包围导电性的靶材(211)的溅射面(231)的外周的防附着部件(251)由绝缘性的陶瓷形成。一边令磁体装置(261)在外周磁体(27a1)的外周整...

34、溅射成膜装置
[简介]: 提供一种抗静电膜的成膜方法和用该成膜方法形成的图像显示装置,即使在表面上有凸凹不平的基材上也能以均匀的膜厚、高速地对抗静电膜进行成膜。在稳定地分散了金属氧化物微粒子的微粒子液A1中,添加用于降低该微粒子的...

35、抗静电膜的成膜方法和用该成膜方法形成的图像显示装置
[简介]: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法,在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内,通过...

36、半导体处理用的成膜方法和装置
[简介]: 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统,在基板上形成由CF构成的绝缘膜91。在该绝缘膜91上形成含有SiCN膜93的保护层。在该保护层上,利用含有碳和氧的活性种的等离子体,形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜94。当...

37、半导体装置的制造方法以及成膜系统
[简介]: 提供一种能够对靶材的溅射面中比以往更广的面积进行溅射的溅射成膜装置。由绝缘性的陶瓷形成包围金属材料的靶材(211)的溅射面(231)的外周的防附着部件(251)。一边令磁体装置(261)在外周磁体(27a1)的外周整体进入溅射面(...

38、溅射成膜装置
[简介]: 在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内,通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法,重复实行:对处理区域供给第一处理气体,对处理...

39、半导体处理用成膜方法和装置
[简介]: 本发明提供一种阻挡层、成膜方法以及处理系统。该成膜方法用于对被处理体实施成膜处理,该被处理体在表面形成有绝缘层1,该绝缘层1由具有凹部2的low-k膜构成,金属层3暴露于该凹部2的底面,该成膜方法包括:第1金属...

40、阻挡层、成膜方法以及处理系统
[简介]: 本发明公开了一种热固性树脂组合物,其包括:A含羧基的聚氨酯树脂,其通过使用如下组分作为原料反应制备:a聚异氰酸酯化合物,b多羟基化合物和c含羧基的二羟基化合物;B固化剂,其中所述多羟基化合物b是选自组I...

41、热固性树脂组合物、热固性树脂组合物溶液、成膜材料及它们的固化产物
[简介]: 在该等离子成膜方法和装置中,以电介质将真空室的上面开口部封堵起来并在上面设置平面天线构件。在该平面天线构件的上面设置同轴波导管,使微波发生机构连接到该波导管上。在平面天线构件上呈同心圆形状设置多个例如长度为...

42、等离子成膜方法以及等离子成膜装置
[简介]: 本发明公开一种有机电激发光显示器成膜方法,其步骤包括:提供一基底;在该绝缘基底上形成多个条状透明导电金属层;在该条状透明导电金属层上形成绝缘体,该绝缘体定义出一预定的像素图案;采用电着法在该预定的像素图案内的...

43、有机电激发光显示器成膜方法
[简介]: 本发明是在可选择地供给包含硅烷系气体的第一处理气体、包含氮化物气体或氮氧化物气体的第二处理气体与包含烃气体的第三处理气体的处理区域内,在被处理基板上由CVD而形成绝缘膜。该成膜方法交互具有第一工序、第二工序、第...

44、半导体处理用的成膜方法及装置
[简介]: 在利用可动模具9、固定模具10,通过模具成形灯主体2、透镜部3的第一*工序,将灯主体2形成膜2b的成膜工序,利用树脂材料6将灯主体2、透镜部3一体化的第二*工序制造灯体1时,不用专门的屏蔽材料将灯...

45、成膜成形体,成膜成形方法及成膜成形装置
[简介]: 该Cu合金溅射靶含有以原子%计的Al:1~10%、Ca:0.1~2%,并含有Cu和1%以下的不可避免的杂质作为余量部分。该薄膜晶体管具有:经由密合层接合于玻璃基板的表面的栅电极层、栅绝缘层、Si半导体层、n型Si半导体层、阻挡层、由彼此分离...

46、以阻挡层为构成层的薄膜晶体管以及用于阻挡层的溅射成膜的Cu合金溅射靶
[简介]: 本发明根据在有机SOG中键合在硅原子上的有机取代基的含量和或各个键合不同数量有机基团的硅原子的比率来评价用于形成绝缘膜的硅氧烷。本发明形成的绝缘膜具有优良的膜性能如具有填满细小沟槽的能力、能使整个基体图案...

47、评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘膜成膜法制备半导体器件的方法
[简介]: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体W上形成薄膜,该被处理体W在表面形成有具有凹部6的绝缘层4。该成膜方法依次实施如下的工序:阻挡层形成工序,在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有...

48、成膜方法和处理系统
[简介]: 本发明可能是一种半导体设备,包含氟化绝缘膜和直接沉积在包括含氟绝缘膜上的SiCN膜,其中在SiCN膜中的氮密度从氟化绝缘膜和SiCN膜界面降低。在本发明中,靠近SiCN膜和CFX膜的界面具有高抗氟性,并且作为一个整体具有低介电...

49、一种半导体的成膜技术
[简介]: 本发明涉及一种免洗可成膜性水基型助焊剂。这种水基型助焊剂含有以重量计:0.5-8%的水溶性热固型树脂、0.5-5%的活化剂和90-99%的去离子水,其中活化剂由表面活性成分、有机酸和醇类助溶剂组成。该水基型助焊剂应用于微电子焊...

50、一种免洗可成膜性水基型助焊剂
[简介]: 本发明提供一种卷取式真空成膜装置,该卷取式真空成膜装置能够抑制绝缘性的原料薄膜的热变形,以高速成膜金属膜,谋求提高生产性,进而,能够提高薄膜的除电效果。其中,具有电子束照射器21、辅助辊18、直流偏压电源22、除...

51、硅片IMDCMP后成膜方法
52、硅片IMDCMP后成膜方法
53、溅射成膜装置

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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