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介电层,电容器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、介电层及其制备方法和包括该介电层的印刷电路板

[简介]：本套资料主要内容为介电层及其制备方法和包括该介电层的印刷电路板，该介电层通过在电介质聚合物树脂中分散短纤维并且将其中分散有短纤维的树脂浸入织物状材料来制备。电介质聚合物树脂由短纤维来增强并浸入在织物状材料中，从...

2、介电层及其制备方法和包括该介电层的印刷电路板

[简介]：一种具有经改善绝缘特性的介电层的制造方法，包括：提供介电层，该介电层具有第一电阻率；对该介电层施行氢电浆掺杂制程；以及回火该介电层，其中该介电层在该回火之后具有高于该第一电阻率的第二电阻率。

3、具有介电层的半导体结构及该介电层的制造方法

[简介]：其目的在于提供一种提高多层印刷电路板的内置电容器电路的位置精度、且除去了除电容器电路部以外的不必要的电介质层的介电层构成材料及电容器电路形成部件等。为了达成该目的，而采用介电层构成材料的制造方法，其特征在于...

4、介电层构成材料的制造方法及由该制造方法获得的介电层构成材料、用介电层构成材料制造电容器电路形成部件的方法及由该制造方法获得的电容器电路形成部件、以及用该介电层构成材料或及电容器电路形成部件获得的多层印刷电路板

[简介]：本套资料揭示一种于半导体装置300的额外层114，320上形成介电层300的方法。该方法包括于额外层114，320上方沉积介电前驱化合物和额外前驱化合物，介电前驱化合物包括择*钇系元素和镧系元素组成的族群的金属离子，...

5、形成含纳米丛集介电层的方法及包括上述介电层的装置

[简介]：为形成复杂栅极电极结构，可提供包括所欲的成分种类的覆盖层121，在执行处理以稳定敏感栅极介电材料110之前，该所欲的成分种类可扩散进入该栅极介电材料110。以此方式，相较传统技术，针对阈值调整成分种类，可基于降低...

6、稳定栅极介电层前藉由扩散栅极介电覆盖层调整复杂晶体管的阈值电压

[简介]：将反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物用作用于形成超低介电层的模板衍生物。由其末端含有Si-H的反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物形成层，然后将所述层在过氧化氢气氛中固化以形成超低介电层。

7、形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法

8、形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法

[简介]：本套资料提供一种介电层形成组合物，其包括无机组分、可热分解的粘合剂、分散剂和溶剂，其中无机组分不包含铅成分，分散剂是基于聚羧酸的高分子化合物，并且就固含量而言，基于100重量份的无机组分，可热分解的粘合剂的含量为55...

9、介电层形成组合物、生片、有介电层的基板及其制造方法

[简介]：一种基于纳米介电材料层的高能量密度超级电容器，由正极、负极、纳米介电层、电解液和电容外接引线构成，作为导电电极的正极和负极具有高比表面积，纳米介电层包覆在正极和负极的表面，包覆有纳米介电层的正极和负极浸没于电...

10、一种基于纳米介电材料层的高能量密度超级电容器

[简介]：本套资料提供了一种防止等离子体增强栅极介电层失效的天线单元。天线单元设计利用多晶硅引线作为伪晶体管的栅极。多晶硅引线可以是一组平行内嵌的多晶硅引线中的一条。伪晶体管包括通过金属引线直接地或者通过钳低单元间接...

11、防止半导体集成电路中等离子体导致的栅极介电层损害的天线单元设计

[简介]：本套资料提供一种双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构及其制造方法。该双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构包括底层介电层和顶层介电层。底层介电层与顶层介电层的原子成分相同，但介电常数值较高，且底层介电层...

12、双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法

[简介]：本套资料的目的在于，提供一种使用含有介电体粒子的含介电体粒子浆料，并通过电泳沉积法形成高密度介电膜时，电泳稳定性优异的介电膜制造方法。为达到上述目的，采用一种介电膜制造方法，其是通过在分散有介电体粒子的介电体粒...

13、介电膜制造方法以及使用了该介电膜制造方法的电容器层形成材料的制造方法

[简介]：本套资料提供一种含介电层的半导体原件的切割方法，本套资料先在半导体衬底上制作多个半导体单元，然后于所述半导体衬底背面制作对532nm激光透过率大于30%的介电层，然后依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行*切割，最后...

14、一种含介电层的半导体原件的切割方法

[简介]：本套资料主要内容为一种含有停止层的集成电路介电层结构，包括第一介电层、金属层和第二介电层；第一介电层上设置有第一金属导孔，第二介电层上设置有第二金属导孔，第一金属导孔和第二金属导孔形成堆叠金属导孔，其中，金属层与第...

15、一种含有停止层的集成电路介电层结构

[简介]：一种可防止在受热情况下布线铜箔与介电层脱离的印刷电路板，在双面板或多层板的预计会产生热能的元件所对应的布线铜箔上，设有一个以上的穿孔，在所述穿孔的内壁上设有覆铜，所述穿孔孔壁上的覆铜将印刷电路板上下方的布线...

16、可防止在受热情况下布线铜箔与介电层脱离的印刷电路板

[简介]：提供一种介电层形成组合物，生片，其上形成有介电层的基底，以及制备该基底的方法，所述介电层形成组合物为均质的并处于稳定的分散状态，且当涂布到基底上并烘烤时能形成没有凹痕的均匀且高质量的介电层。所述介电层形成组合...

17、介电层形成组合物和生片以及其上形成介电层的基底及其制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种具有改进的器件性能的器件及其制造方法。示例性器件包括III-V族化合物半导体衬底，该III-V族化合物半导体衬底包括具有（110）晶体定向的表面、以及设置在III-V族化合物半导体衬底上方的栅叠层。栅叠层包括：...

18、用于减小高-k介电层和III-V族化合物半导体器件之间的费米能级牵制的（110）表面定向

[简介]：本套资料的目的是提供一种氧化物介电层的形成方法，其采用溶胶-凝胶法形成介电层，该介电层具有难以受到蚀刻液的损伤并且高的电容量等的优良的介电特性。为了达到该目的，本套资料的氧化物介电层的形成方法，采用溶胶-凝胶法形...

19、氧化物介电层的形成方法及具有采用该形成方法得到的氧化物介电层的电容器层形成材料

[简介]：本套资料公开一种通过形成加压的背面介电层控制器件性能。一种器件，包括：p型金属氧化物半导体PMOS器件和n型金属氧化物半导体NMOS器件，位于半导体衬底的前面。第一介电层被设置在半导体衬底的背面上。第一介电层将第一应...

20、通过形成加压的背面介电层控制器件性能

[简介]：本套资料涉及半导体制造领域，尤其涉及一种沉积前金属介电质层薄膜的方法。本套资料提出一种沉积前金属介电质层薄膜的方法，通过采用高密度等离子化学气相沉积工艺依次沉积不掺杂二氧化硅薄膜和掺杂二氧化硅薄膜形成金属前介...

21、一种前金属介电质层应力调配方法

22、一种前金属介电质层应力调配方法

23、一种调整前金属电介层应力的方法

24、具超低介电常数层间介电质的双大马士革结构的形成方法

25、一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法

26、一种形成前金属介电质层的方法

27、一种形成前金属介电质层的方法

28、一种形成前金属介电质层的方法

29、一种形成前金属介电质层的方法

30、一种形成前金属介电质层的方法

31、一种形成前金属介电质层的方法

32、一种形成前金属介电质层的方法

33、改善在介电层和导电层间的黏着力与电致迁移性的方法

34、低K介电层和成孔剂

35、用于超薄界面介电层的多层清除金属栅极堆叠件

36、一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法

37、减小双层前金属介电质层开裂现象的方法

38、一种金属介电层及其制作方法以及一种电路板

39、高介电层金属栅的制造方法

40、一种带介电修饰层的有机场效应晶体管及制备方法

41、具有高K栅极介电层的半导体器件及其制造方法

42、具有高K栅极介电层的半导体器件及其制造方法

43、在介电层中的双开口中形成的焊盘结构

44、作为化学-机械抛光停止层的介电保护层

45、用以降低超低k介电薄膜的黏着层厚度并提高抗破坏性的工艺

46、一种前金属介电质层的淀积方法

47、一种减少双层前金属介电质层开裂的方法

48、具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器

49、具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器

50、制造栅极介电层的方法

51、具有厚底部介电层的沟槽式晶体管及其制作方法

52、一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法

53、一种调控柔性电子器件介电层厚度的方法

54、栅极介电层的制备方法及栅极结构的制备方法

55、栅极介电层制备方法及栅极结构制备方法

56、树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件

57、栅极介电层的制作方法

58、多壳层结构X8R电容器介电陶瓷及其制备方法

59、闸介电层的制作方法

60、介电层以及形成此介电层之组合物及方法

61、一种介电质陶瓷组成物及使用此种组成物之叠层陶瓷电容器

62、一种介电质陶瓷组成物及使用此种组成物之叠层陶瓷电容器

63、栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置

64、带有介电背反射覆层的太阳能电池及其制造方法

65、一种控制层间介电层膜厚的方法

66、含无机粉末的树脂组合物、成膜材料层、转印片、介电层形成基板的制造方法、介电层形成基板、以及等离子显示板

67、沟道穿过埋入介电层的存储单元

68、于低介电系数介电层上形成孔洞的方法

69、具有介电层的触敏设备

70、具有非均匀介电层厚度的IC封装

71、介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路

72、包含介电层的低辐射率玻璃及其制备方法

73、介电陶瓷组合物、多层介电基板、电子部件和介电陶瓷组合物的制备方法

74、MOS晶体管及其栅介电层的制作方法

75、高K栅介电层的制作方法及形成MOS晶体管的方法

76、用于埋入式电容器的树脂组合物、使用其制作的介电层及覆金属箔板

77、带有介电层组的半导体元件

78、印刷电路板基板中，增加导电体与非导电高分子介电层之间结合力的方法

79、印刷电路板基板中增加导电体与非导电高分子介电层之间结合力的方法

80、一种改善金属层间介电层平坦度的方法

81、介电陶瓷组成物和积层陶瓷电容器

82、介电陶瓷组成物和积层陶瓷电容器

83、层间介电层、互连结构及其制造方法

84、一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器

85、一种基于多层高介电材料的超小型介电陶瓷变压器

86、一种具有介电质阻止层的IGBT器件

87、形成至少一层介电层的方法和系统

88、使用纸基板及蚕丝介电层的有机薄膜晶体管及其制作方法

89、金属前介电层应力恢复的方法

90、一种具有可挠性介电层的内连线

91、高介电常数介电层和或金属栅极元件的制造方法

92、具有带着经裁制垂直氮浓度轮廓的氮化栅极介电层的场效应晶体管的结构和制造

93、积层板用低介电树脂清漆组成物及其制法

94、复合介电层及其制作方法

95、判断复合介电层质量的方法

96、蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺

97、在介电层中形成通孔及垂直蚀刻轮廓的方法

98、介电层夹置的柱状存储装置

99、用于制造电声部件中的介电层的方法以及电声部件

100、以微波等离子体生产介电层的设备和方法

101、薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法

102、薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法

103、等离子体显示器面板的介电层及障肋去除剂组合物

104、介电陶瓷组合物及其所制成的积层陶瓷电容器

105、介电陶瓷和层积陶瓷电容器

106、使用十字型烃类化合物形成无定形碳层和形成低K值介电层的方法

107、具有对称外部介电层的无核基板封装

108、用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理

109、介电蚀刻停止层的选择性形成

110、保护低K介电层芯片的柔性封装基板结构

111、低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法

112、ONO介电层切断方法

113、作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶-凝胶硅酸盐

114、用于有机电装置的封装方法和介电层

115、对紧密间隔晶体管中接触等级的介电材料加以图案化的具有缩减厚度的蚀刻终止层

116、避免介电层沟填孔洞露出的方法及介电膜的工艺与结构

117、介电层抛光液

118、介电层的改质方法、改质后的介电层与其在镶嵌式金属制程的应用

119、包含抗紫外光介电层的阴极组件

120、用于单侧背接触层太阳能电池的介电涂料

121、在用于减少RC延迟的介电层中产生气隙的方法和装置

122、在用于减少RC延迟的介电层中产生气隙的方法和装置

123、用来化学机械抛光层间介电层的组合物和方法

124、具有介电层的集成电路

125、采用高能电磁辐射的快速热处理半导体衬底形成介电层的方法

126、用于在包含密间隔线的结构上形成具增加可靠度的层间介电材料的技术

127、降低应力的介电层结构及其制造方法

128、直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法

129、微纳多层复合介电材料及其制备方法及装置

130、联机生成硅薄膜双结太阳能电池介反射层技术

131、介电陶瓷组成物和积层陶瓷电容器

132、用于层间介电气隙的PEVCD沉积牺牲聚合物薄膜的紫外光固化

133、一种等离子喷涂钛酸钡高介电涂层的方法

134、具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法

135、形成快闪存储器件的介电层的方法

136、介电层成型组合物、坯片、基板基板和等离子显示板制造方法

137、形成半导体器件的金属前介电质层的方法

138、层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法及系统

139、被破坏低k介电膜层去除的方法

140、化学机械抛光层间介电层的组合物和方法

141、一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺

142、一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺

143、形成介电层组合物、生片、基片、及应用

144、超低介电常数介电层及其形成方法

145、使用介电层封装器件的方法

146、一种低温烧成系温度补偿型积层陶瓷电容器用之介电瓷粉组成物

147、利用低介电层填充金属线间空隙的半导体器件的制造方法

148、改善绝缘介电层缺陷及形成双镶嵌结构的方法

149、以含贵重气体的双等离子体氮化法增进CMOS氮氧化硅栅介电层效能的方法

150、可热成像介电层、热转移施主和受主

151、热熔型无卤难燃导热介电绝缘层树脂及其应用

152、介电层

153、介电层与薄膜晶体管

154、用于使污染及表面退化最小化的中间介电层的表面改变

155、用于使污染及表面退化最小化的中间介电层的表面改变

156、介电陶瓷用原料粉末的制造方法、介电陶瓷及叠层陶瓷电容器

157、形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法

158、用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置

159、用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置

160、栅介电层的制造方法

161、具有被覆盖以介电层的电极的等离子体显示面板

162、具有被覆盖以介电层的电极的等离子体显示面板

163、用于介电膜层的阶梯覆盖与图案加载

164、以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法

165、线路嵌合于介电层的无芯板薄型基板及其制造方法

166、用于钛酸盐、镧酸盐、及钽酸盐介电膜的原子层沉积和化学气相沉积的前体组合物

167、等离子显示器面板的电介体用组合物、电介体用叠层体以及电介体的形成方法

168、具有高介电常数的介电组合物、包括其的多层陶瓷电容器、和多层陶瓷电容器的制备方法

169、介电层中嵌入导电元件的方法和工艺

170、表面印刷散热胶连接介电层的半导体封装结构

171、用于大基板的低-K介电层

172、低介电常数介电层的形成方法

173、具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法

174、高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法

175、制作金属互连线及其金属间介电层的方法

176、形成栅极介电层的方法

177、介电涂层和制品

178、用于制造介电叠层的方法

179、电路板结构及其介电层结构

180、无卤低介电树脂组合物及使用其制作的预浸料与覆铜箔层压板

181、具有包括氧化锆的叠层介电结构的快闪存储器件及其制造方法

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