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《氮化硅,氮化硅陶瓷类专题技术光盘》

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1、一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法
[简介]: 本发明公开了一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法,包括如下步骤:在高阻硅衬底上,通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层;在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本发明在高阻硅衬底上,通过磁控溅射六氮五铌薄...

2、一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法
[简介]: 本发明制备一种硅基氮化铌薄膜超导材料,包括Si基底、TiN过渡层,以及NbN层。由于直接在Si基片上生长NbN薄膜有较大的晶格失配度,会导致NbN薄膜中存在一定厚度非超导的界面畸变层,严重降低NbN的超导性能。而TiN和NbN同属面心...

3、一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种用于钢水氮合金化处理的硅基氮化合金的制备方法,按金属硅30-80%,单晶硅0.5-20%,多晶硅0.5-30%,钒合金或金属钒0.5-5%,铌合金或金属铌0-10%及铁10-35%混合在真空氮化炉中,在微波场以及氮气条件下,在800...

4、一种用于钢水氮合金化处理的硅基氮化合金及其生产工艺
[简介]: 本发明涉及一种添加单质硅并氮化烧成的刚玉质预制件及其制备方法。其是以刚玉、单质硅、氧化铝微粉和结合剂为基本原料,加入分散剂,采用搅拌机将各种原料和分散剂干混至均匀,物料混匀后加入水搅拌均匀,注入模具中成型为预...

5、一种添加单质硅并氮化烧成的刚玉质预制件及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种添加单质硅并氮化烧成的高铝预制件及其制备方法。其是以高铝矾土、单质硅和结合剂为基本原料,加入分散剂,采用搅拌机将各种原料和分散剂干混至均匀,物料混匀后加入水搅拌均匀,注入模具中成型为预制件,将脱...

6、一种添加单质硅并氮化烧成的高铝预制件及其制备方法
[简介]: 本发明属于二次资源综合利用领域,具体涉及一种用晶体硅切割废料氮化反应烧结碳化硅的方法,按如下步骤进行:将晶体硅切割废料和生产碳化硅切割粉时产生的超细碳化硅微粉,按照游离硅占原料总量5-25wt%配料混合成型后,向原...

7、一种晶体硅切割废料氮化反应烧结碳化硅的方法
[简介]: 一种以氮化*为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法,它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂和难于制造大尺寸块体陶瓷材料的问题。方...

8、一种以氮化*为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法
[简介]: 本发明公开了一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法,按重量百分比,将下述组分:氮化硅93~95wt%、烧结助剂5~7wt%混合,按常规多孔氮化硅的制备工艺获得气孔率为35~55%的多孔氮化硅试样。用氢氟酸、*、*去掉...

9、一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法
[简介]: 本发明提供了可用于从其上具有后述材料的微电子器件上相对于多晶硅、二氧化硅材料和或硅化物材料选择性除去四氮化三硅材料的组合物。该除去用组合物包括氟硅酸、硅酸和至少一种有机溶剂。典型的工艺温度低于约100℃并且相...

10、选择性除去四氮化三硅的组合物和方法
[简介]: 本发明涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域,公开了一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料,该材料包括:一硅单晶衬底,用于支撑整个硅基可协变衬底材料;一薄氮化铪可协变层,该薄氮化铪可协变层制备在硅单...

11、一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料
[简介]: 一种用于制造外延结构的方法,包括提供衬底(102202302402)和衬底的第一侧上的异质结堆叠,以及在衬底的第二侧上形成GaN发光二极管堆叠(134)。异质结堆叠包括无掺杂氮化镓(GaN)层和无掺杂GaN层上的掺杂氮化铝镓(AlGaN)...

12、用于ACLED的硅衬底上的氮化镓LED与氮化铝镓氮化镓器件的集成
[简介]: 本发明是揭露一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS组件,包含基底;第一氧化层设于该基底上;富硅陷补层silicon-rich trapping layer设于该第一氧化层上;含氮层设于该富硅陷补层上;富硅氧化层silicon-rich oxide la...

13、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅组件及其制作方法
[简介]: 本发明公开了一种反应烧结氮化硅-氮化硼复相陶瓷的快速氮化制备方法,采用反应烧结工艺,以硅粉和六方氮化硼粉为基本原料,氧化锆粉作为催化剂,氧化钇为烧结助剂;本发明公开的制备方法可在2.3~5.5小时的较短时间内氮化烧...

14、一种反应烧结氮化硅-氮化硼复相陶瓷的快速氮化制备方法
[简介]: 本发明涉及一种钇改性碳氮化铬铝氮化硅纳米复合涂层及其沉积方法,目的在于通过对碳氮化铬铝及氮化硅进行纳米复合设计,形成纳米晶碳氮化铬铝植入非晶氮化硅的纳米复合结构,提高涂层硬度的同时,兼顾涂层的韧性及涂层和...

15、钇改性碳氮化铬铝氮化硅纳米复合涂层及其沉积方法
[简介]: 本发明主要是对现有的直接氮化法进行改进,使金属硅粉与氮气在完全密闭的反应装置中发生反应,反应气体使用氮气与惰性气体(如氩气)的混合气体,惰性气体在反应过程中具有两种作用:第一,充当保护气体,防止硅粉的氧化;第二...

16、一种改进的直接氮化法制备α相和β相氮化硅粉体的方法
[简介]: 本发明是一种高孔隙率、高强度的氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法,其原理为利用造孔剂和磷酸盐粘结作用在较低温度下形成高孔隙率的氮化硅多孔结构,在后续高温烧制过程中利用纳米硅粉的氮化原位生成氮化硅纳米...

17、一种氮化硅纳米线增强氮化硅多孔陶瓷的方法
[简介]: 本发明是一种镧钇掺杂氮化硅纳米线的制备方法,具体是:以高纯Si粉和高纯金属镧(La)粉或金属钇(Y)粉作为初始原料,采用液氮低温球磨制备掺杂可控的纳米晶硅粉;经过后续氮化工艺处理,得到高纯、掺杂可控的α相氮化硅纳米线...

18、一种掺杂镧钇氮化硅纳米线的制备方法
[简介]: 本发明提供一种氮化增强剂、氮化硅锰中硅含量的测定方法,包括其中,试样液的制备是:按40~50gg试样的量,将待测试样加入研细并混匀的无水碳酸钠和硼酸的混合熔剂中,混匀,在1000~1100℃下熔融30~40min,取出,冷却成熔块;按2...

19、氮化增强剂、氮化硅锰中硅含量的测定方法
[简介]: 本发明涉及一种不烧氮化硅铁-氧化铝复合无碳滑板的制备方法及其制备方法,属于耐火材料领域。该滑板按重量百分比计的原料组成为55-90%的刚玉、0-20%的活性氧化铝、0-30%的氮化硅铁,外加上述原料总量2-6%的酚醛树脂为结合剂...

20、一种不烧氮化硅铁-氧化铝复合无碳滑板及其制备方法
[简介]: 本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法,在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。

21、硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置
[简介]: 本发明涉及一种RH精炼用不烧氮化硅铁-尖晶石-刚玉复合耐火材料及其制备方法,属于耐火材料领域。该滑板按重量百分比计的原料组成为55-90%的刚玉、5-20%的镁铝尖晶石、5-30%的氮化硅铁,外加上述原料总量2-6%的酚醛树脂为结...

22、一种不烧氮化硅铁-尖晶石-刚玉复合耐火材料及制备方法
[简介]: 本发明涉及一种不烧氮化硅铁-棕刚玉复合耐火材料及其制备方法,属于耐火材料领域。该复合耐火材料按重量百分比计的原料组成为55-88%的棕刚玉、1-25%的活性氧化铝、5-30%的氮化硅铁,外加上述原料总量2-6%的酚醛树脂为结合剂...

23、一种不烧氮化硅铁-棕刚玉复合耐火材料的制备方法
[简介]: 一种叠氮化聚硅烷-多壁碳纳米管复合材料及其制备方法,它涉及一种聚硅烷-多壁碳纳米管复合材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有制备聚硅烷多壁碳纳米管复合材料的方法存在制备过程复杂,且破坏了多壁碳纳米管的完...

24、一种叠氮化聚硅烷-多壁碳纳米管复合材料及其制备方法
[简介]: 一种叠氮化聚硅烷及其制备方法,它涉及一种聚硅烷及其制备方法。本发明的目的是要解决现有聚硅烷存在含有活性基团少的问题。一种叠氮化聚硅烷由有机溶剂、氯封端聚硅烷和叠氮钠制备而成;制备方法:一、叠氮化反应;二、分离;三...

25、一种叠氮化聚硅烷及其制备方法
[简介]: 本发明涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括晶格匹配结构。晶格匹配结构可以包括第一缓冲区、第二缓冲区和由AlxGa1-xNAlyGa1-yN层对形成的超晶格结构。本发明提供了用于硅衬底上的III-V族氮化物层的梯度...

26、用于硅衬底上的III-V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层
[简介]: 该CVD方法是在被处理基板W上形成硅氮化膜。该方法包括:将基板W装入处理容器8内,加热至处理温度的工序;对被加热至处理温度的基板W供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体,在基板W上堆积硅氮化膜的...

27、在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法
[简介]: 本发明提供一种颗粒均匀、工艺简单且生产周期短的纳米氮化硅粉的生产方法,用等离子体转移弧作为加热源对坩埚内的硅原料进行直接加热,直接生成纳米硅粉,与氮化反应气体反应生成氮化硅粉,纳米硅粉在整个反应过程中,呈高度...

28、纳米氮化硅粉的生产方法
[简介]: 本发明属于氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域,特别涉及一种常压氮化快速反应合成氮化硅粉体的方法。本发明首先制备气孔率为80~90%的泡沫坯体,泡沫坯体中反应物Si和稀释剂Si3N4的比例为100∶0~70∶30;然后将该泡沫坯体在氮化炉...

29、一种常压氮化反应合成氮化硅粉体的方法
[简介]: 本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法,包括:1)沟槽刻蚀;2)介质层生长;3)生长第一层多晶硅;4)第一层多晶硅进行第一步反刻蚀;5)对第一层多晶硅进行光刻及第二步反刻蚀;6)淀积氮化膜;7)淀积HD...

30、沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法
[简介]: 本发明属于非氧化物氮化硅陶瓷粉体的制备,涉及在中温微正压条件下,以温度场诱发硅粉燃烧方式合成氮化硅粉体的方法。本发明是以硅粉和含氮化合物为原料,按不同的组分配比配制成反应混合料,经短时间研磨混合后,将混合料装...

31、硅粉在中温微正压条件下氮化合成氮化硅粉体的方法
[简介]: 本发明公开了一种低压预热燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法,其以硅粉或硅铁粉为原料,该方法的工艺步骤为:A、按下述重量百分比配制反应料:硅粉或硅铁粉45~79%,稀释剂20~50%,添加剂1~5%;B、将上述配制后的反应料混合后,在振...

32、低压预热燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法
[简介]: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜硅微纳米加工方法,其操作是:将尖端为球状的探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上,将氮化硅膜硅固定在样品台上,给探针施加不低于临界载荷的法向载荷,并使探针沿...

33、基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜硅微纳米加工方法
[简介]: 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法,实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜,包括硅衬底层,设置在硅衬底层上的氮化物层,以及外延生长在氮化物层上的氧...

34、硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法
[简介]: 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法,包含:在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层;将硅衬底加热,将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层...

35、利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
[简介]: 本发明是硅基III族氮化物薄膜高阻寄生导电层及生长方法,其结构包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜,其中硅基III族氮化物薄膜包含氮化铝成核层、过渡层和氮化镓层,其中氮化铝成核层位于硅衬底和过渡层之间。生长方法:1)采用...

36、含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜及生长方法
[简介]: 本发明公开一种用硅切割废砂浆制备氮化硅结合碳化硅耐火材料的方法,包括:1、配制原料,原料包括重量百分比分别为5%~20%的硅切割废砂浆、50%~80%的碳化硅、2%~20%的氮化硅以及1%~10%的氧化铝;2、将原料加入无水乙醇进行...

37、用硅切割废砂浆制备氮化硅结合碳化硅耐火材料的方法
[简介]: 本实用新型公开了以四氟化硅和氮气生产氮化硅和三氟化氮的设备,包括等离子体发生器、等离子体反应器、冷却室、气固分离室、三氟化氮精制装置;等离子体发生器与等离子体反应器相连通,等离子体反应器的出料口与冷却室的进料...

38、以四氟化硅和氮气生产氮化硅和三氟化氮的设备
[简介]: 本发明公开了以四氟化硅和氮气生产氮化硅和三氟化氮的设备和工艺,设备包括等离子体发生器、等离子体反应器、冷却室、气固分离室、三氟化氮精制装置;等离子体发生器与等离子体反应器相连通,等离子体反应器的出料口与冷却室...

39、以四氟化硅和氮气生产氮化硅和三氟化氮的设备及工艺
[简介]: 本发明公开了一种在硅衬底上制备氮化镓LED的方法,该方法包括:步骤1:在硅衬底上制作一层图案,形成表面图案化的硅基底;步骤2:在图案化的硅基底表面上形成纳米级粗糙层;步骤3:对纳米级粗糙的硅表面进行修饰或表面改性;步...

40、在硅衬底上制备氮化镓LED的方法
[简介]: 本发明公开了一种制备LED用硅基氮化物或氮氧化物荧光粉的方法,包括以下步骤:按照化学通式M2Si5N8:Eu2+MCa,Sr,Ba或者Ca,SrAlSiN3:Eu2计量,配置金属盐水溶液;配置正硅酸乙酯乙醇溶液,将正硅酸乙酯溶液缓慢地加入金...

41、一种制备LED用硅基氮化物或氮氧化物荧光粉的方法
[简介]: 本发明涉及一种红色硅铝氧氮化物荧光材料及其制备方法,该荧光材料同时含有硅、铝、氮、氧元素,及部分起电荷补偿作用的碱金属和碱土金属元素和作为发光中心的稀土离子Eu2+,该蓝光激发的白光LED用红色荧光粉的结构式可表示...

42、一种红色硅铝氧氮化物荧光材料及其制备方法
[简介]: 兹描述蚀刻图案化异质结构上曝露的含-硅-氮-和-碳材料的方法,该方法包括由含氟前驱物和含氧前驱物形成的远程等离子体蚀刻。来自远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域,在基板处理区域该等离子体流出物与含-硅-...

43、硅-碳-氮化物的选择性蚀刻
[简介]: 一种半导体存储器件可以包括横过器件的场隔离区并且横过器件的有源区的第一导电线,其中,第一导电线能包括掺杂的第一导电图案、第二导电图案和在第一和第二导电图案之间的金属硅氮化物图案并且能配置为在金属硅氮化物图...

44、包括金属-硅-氮化物图案的半导体器件及其形成方法
[简介]: 本发明提供了一种具有高亮度的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末,还提供了可以用于真空荧光显示器VFD、场*显示器FED、等离子显示屏PDP、阴极射线管CRT或发白光的二极管LED等中的Sr3Al3Si13O2N21荧光体和β-赛隆荧光...

45、硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、使用其获得的Sr3Al3Si13O2N21荧光体和β-赛隆荧光体以及它们的制备方法
[简介]: 本发明提供了一种硅氮化物磷光体用氮化硅粉末,所述硅氮化物磷光体具有高亮度,并可用于荧光显示管VFD、场*显示器FED、等离子体显示板PDP、阴极射线管CRT和发光二极管LED等;还提供了各自利用了所述氮化硅粉末...

46、硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、利用该粉末的CaAlSiN3磷光体、利用该粉末的Sr2Si5N8磷光体、利用该粉末的SrCaAlSiN3磷光体、利用该粉末的La3Si6N11磷光体和该磷光体的制造方法
[简介]: 本发明涉及一种催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法,属于高α相氮化硅陶瓷粉体的制备技术领域。本发明包括原料混合处理及催化氮化反应步骤,是对现有技术的改进。本发明选择FeCl3ܬH2O作为催化剂,以Si3N4粉为稀释剂,氮气...

47、催化氮化合成高α相氮化硅粉体的新方法
[简介]: 本发明涉及高纯、尺度均匀可控的氮化硅纳米线短波长发光材料的制备方法,即:以市售纯度>99.999%和晶粒尺寸10~100nm的纳米硅粉作为初始原料,将其在液氮中处理1~100小时,得到表面氮钝化的纳米硅粉;经过后续氮化工艺处理,控...

48、尺度可控的氮化硅纳米线短波长发光材料的制备方法
[简介]: 本实用新型涉及降低氮化硅粉单耗的坩埚加热旋转台,具有坩埚本体,坩埚本体的四面侧板上分别安装有夹具挡板,夹具挡板左、右两端均安装有挂钩夹具,挂钩夹具具有第一支架、第二支架、第三支架、挂钩,第一支架固定安装在夹具挡...

49、降低氮化硅粉单耗的坩埚加热旋转台
[简介]: 本发明公开了属于陶瓷技术和二次资源综合利用技术领域的一种晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法。本发明利用金刚石线切割晶硅的废弃物中的高纯Si粉和多丝线切割晶硅废料中易收集的SiC微粉,混合氮化反应常压...

50、晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法
[简介]: 一种用于结合GaN和硅基片的直接晶片粘结方法,其涉及在氨等离子体中预处理各晶片,从而将各接触表面变成亲氨性的。GaN基片和硅基片可各自包括单晶晶片。所得混合半导体结构可用于形成高质量低成本LED。

51、一种基于氮化处理的钛-钢复合板的多晶硅还原炉
52、一种基于氮化处理的钛-钢复合板的多晶硅还原炉
53、一种在硅衬底上外延生长III族氮化物半导体材料的方法
54、用晶体硅加工废砂浆回收硅粉制备氮化硅粉体的气流床反应器
55、用晶体硅加工废砂浆回收硅粉制备氮化硅产品的机组
56、硅氧氮化物荧光体及其制备方法以及包括该荧光体的光学器件
57、低弯曲度硅基III族氮化物外延片及生长方法
58、硅衬底上生长氮化物外延层的方法及其半导体器件
59、对硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压的改进
60、硅衬底上氮化镓生长方法
61、硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法
62、具有偏角的硅单晶和III族氮化物单晶的层叠基板
63、用于硅衬底上的III族氮化物的扩散阻挡层
64、一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法
65、一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法
66、用于生成四氮化三硅薄膜的超薄氧氮化物的UV预处理方法
67、沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
68、在硅衬底上生长III-氮化物的新方法
69、基于硅衬底氮化物的悬空HEMT器件及其制备方法
70、硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压改进方法
71、基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件及其制备方法
72、一种快速分析铝硅氮化硼粉中SiO2和BN含量的方法
73、一种硅硼氧氮纤维氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法
74、在硅或类似的基材上制造氮化镓的厚的外延层的方法以及使用所述方法获得的层
75、使用氨预流在硅基材上使氮化铝形核的方法
76、一种β-氮化硅纳米线的制备方法
77、一种提高氮化硅铁中氮收得率的方法
78、一种基于埋层氮化物陶瓷垫底的绝缘体上硅材料制备方法
79、一种大型水泥窑用矾土-氮化硅铁复合耐磨砖及其制造方法
80、一种硅氧氮化物荧光粉的制备方法
81、氮化硼纤维织物增强硅-硼-氮陶瓷基复合材料的制法
82、一种硅钙冶炼炉用氮化硅陶瓷出液口
83、含有烷氧基甲硅烷基的偶氮化合物以及使用该偶氮化合物的橡胶组合物
84、硅铁氮化合金炉
85、基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法
86、基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法
87、基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件及其制备方法
88、基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件及其制备方法
89、基于硅衬底氮化物的光学微机电器件及其制备方法
90、一种氮化烧结钛酸铝-氮化硅复合材料及其制备方法
91、纳米氮化硅粉的生产方法
92、增加聚硅氮烷和氮化硅间黏性和形成沟槽隔离结构的方法
93、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅型与非门闪存的擦除法
94、一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜
95、一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法
96、用于3D内存应用的PECVD氧化物-氮化物以及氧化物-硅堆栈
97、一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法
98、钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料的原位制备方法
99、硅导氮化硅暖风热水器
100、硅导氮化硅速热式热水器
101、一种硅氧氮化物荧光粉及其制备方法
102、一种硅氧氮化物荧光粉及其制备方法
103、氮化锆-氮化硅复合粉体的制备方法
104、一类硅氮化合物及其制备和其应用
105、氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法
106、一种铕掺杂镧系硅氧氮化合物及其制备方法
107、多元铝硅碳氮化物金属陶瓷及其制备方法和用途
108、氮化镓硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近*光发光二极管及其制备方法
109、一种球形硅基氮化合物荧光材料的合成方法
110、同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法
111、一种荧光增强的硅氧氮化物发光材料及其制备方法
112、硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法
113、一种钇硅氧氮-氮化硼陶瓷基复合材料及其制备方法
114、用于铝-硅氮化物的化学气相沉积处理
115、包括铝-硅氮化物钝化的用于形成III-V半导体结构的方法
116、等离子增强循环沉积氮化金属硅膜的方法
117、共掺杂的硅氧氮化物
118、一种钛硅碳结合立方氮化硼超硬复合材料
119、制备硅基氧氮化物荧光粉的方法
120、一种纳米复合钛铬铝硅氮化物刀具涂层及其制备方法
121、一种纳米复合钛铝硅氮化物刀具涂层及其制备方法
122、一种纳米复合钛铬硅氮化物刀具涂层及其制备方法
123、晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法
124、硅基单结氮化镓铟太阳能电池
125、一种硅基氮化物红色荧光粉及其制备方法
126、一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺
127、一种氮化硅纳米线的制备方法
128、一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法
129、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅快闪存储器及其制作方法
130、永久性硅氧化物氮化物硅氮化物氧化物硅存储器
131、激光熔覆用耐磨抗热腐蚀多元铝硅碳氮化物金属陶瓷
132、以含贵重气体的双等离子体氮化法增进CMOS氮氧化硅栅介电层效能的方法
133、一种含硅纳米粒子的氮化硅薄膜制备方法
134、氮化硅酸盐类荧光材料和具有这类荧光材料的光源
135、一种硅基氮化物红色荧光体及其制备方法
136、一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法
137、纳米复合钛硅氮化物刀具涂层及其制备方法
138、氧氮化物荧光体粉末、氧氮化物荧光体粉末制造用氮化硅粉末及氧氮化物荧光体粉末的制造方法
139、一种红色发光的硅氧氮化物荧光材料、制备方法及使用其的发光装置
140、掺杂稀土的碱土硅氮化物无机发光材料制造方法以及含有这种无机发光材料的辐射转化装置
141、氮化硅纳米线和纳米带粉体材料的制备方法
142、碳氮化硅酸盐发光物质
143、一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法
144、一种氮化锰硅合金及其冶炼方法
145、在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
146、氮化硅粉末的制造方法和氮化硅粉末以及氮化硅烧结体和使用其的电路基板
147、新型半石墨化碳氮化硅砖及其制造方法
148、程控式可控硅降压变压器低压大电流氮化炉供电装置
149、用于无氮化硅的硅湿蚀刻的耐碱性负性光刻胶
150、在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
151、用于氮化物集成应用的硅上锆和铪硼化物合金模板
152、用于氮化物集成应用的硅上锆和铪硼化物合金模板
153、硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法
154、一种氮化硅铁的微波合成方法
155、原位自生氮化铝和镁二硅增强镁基复合材料及其制备方法
156、硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
157、提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法
158、氮化钛或碳氮化钛中氮化硅量的分析检测方法
159、一种氮化硼纤维增韧的氮化硼-氮化硅基透波复合材料的制备方法
160、反应烧结氮化硅粉技术
161、基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
162、氮化硅烧结体以及使用该氮化硅烧结体的滑动构件
163、硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件
164、掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管及制备方法
165、用于降低后段处理中紫外线引起的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅双位闪存器件充电的紫外线阻障层
166、局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构及其制造方法
167、一种氮化硅-碳氮化钛微纳米复合材料的制备方法
168、用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶
169、制造氮化氧化硅栅极介质的方法
170、用于Ⅲ族氮化物基器件的硅碳锗SiCGe衬底
171、碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
172、编程硅氧化物氮化物氧化物半导体存储器件的方法
173、具高介电物质的硅氧化物氮化物氧化物硅器件架构
174、氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池
175、氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池
176、氮化硅基板和氮化硅基板的制造方法
177、供高温力学量传感器用的纳米多晶硅-氮化铝隔膜-硅单晶衬底基片
178、具有锗化硅材料和受应力氮化硅层的衬底
179、硅102衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
180、硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
181、氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法
182、在氮化氧化硅层中补偿氮的不均匀浓度
183、一种含氮化硅铁的Al2O3-SiC-C体系无水*泥
184、在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
185、一种含氮化硅铁的免烘烤铁沟捣打料
186、低压燃烧合成氮化硅或氮化硅铁的方法及设备
187、氮化硅膜的成膜方法、有机电子器件的制造方法和氮化硅膜的成膜装置
188、双位氮化硅只读存储器制造方法及双位氮化硅只读存储器
189、应用于多晶硅提纯的氮化硅涂层回收方法
190、一种以回收硅片线锯屑粉制备富α相氮化硅-碳化硅复合粉体的方法
191、硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长
192、一种氮化硅改性相变储能微胶囊及其制备方法
193、在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法
194、一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
195、一种无添加剂燃烧合成制备亚微米级高α相氮化硅粉体的方法
196、一种氮化硅-碳化硅-碳化钛微纳米复合材料的制备方法
197、组合式压缩机氮化硅膜层活塞环
198、组合式压缩机氮化硅膜层活塞环
199、一种氮化硅研磨装置
200、多晶硅铸锭铸造用铸模及其脱模材料用氮化硅粉末、含有该脱模层用氮化硅粉末的浆料及其铸造用脱模材料
201、一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法
202、一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法
203、一种以回收硅片切割锯屑制备高纯β相氮化硅粉体的方法
204、氮化硅钒合金及其生产方法
205、一种新型气烧或油烧氮化硅梭式窑
206、解决氮化硅和镍硅化物界面剥落问题的工艺方法
207、原位生长碳氮化钛晶须增韧氮化硅基陶瓷刀具材料及其制备工艺
208、一种超厚氮化硅结合碳化硅制品
209、铈掺杂三族氮化硅发光薄膜、制备方法及其应用
210、铕铋双掺杂三族氮化硅发光材料、制备方法及其应用
211、硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件
212、氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法
213、一种氮化硅陶瓷球的生产装置
214、一种氮化硅陶瓷球的制备工艺
215、低导热多孔氮化硅材料的制备方法
216、一种管式PECVD双层氮化硅膜的制备工艺
217、氮化硅烧结体及使用其的耐磨件
218、包括其中具有一个或多个氮化硅夹层的氮化镓的半导体晶片
219、一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法
220、一种氮化硅粉体及其制备方法
221、超低气孔率氮化硅陶瓷轴承球及其制造方法
222、包含湿蚀刻制程以移除氮化硅的半导体结构形成方法
223、多元硼硅酸盐玻璃+氮化铝低温共烧陶瓷材料及其制备方法
224、氮化硅用卧式真空烧结炉
225、氮化硅钒铁合金及其生产方法
226、一种致密化氮化硅陶瓷材料的制备方法
227、一种采用物理气相沉积工艺在氮化硅切削刀具表面制备Al<>2<>O<>3<>涂层及其复合涂层的方法
228、低压铸造用氮化硅复合陶瓷升液管及其制备方法
229、提高氮化硅基薄膜发光二极管发光效率的器件及制备方法
230、在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
231、一种磁控溅射制备氮化硅膜的方法
232、氮化硅质烧结体及加热装置以及吸附装置
233、一种碳纤维增强氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料的增密方法
234、一种立体织物增强氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法
235、一种二维纤维布增强氮化硅-碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法
236、一种氮化硅陶瓷纤维的制备方法
237、一种形成硅氧氮化物层的方法
238、一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法
239、碳包覆氮化硅钛合金高容量负极材料的制备方法及应用
240、一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法
241、一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法
242、氮化硅溶液及其制备方法、多晶硅铸锭用坩埚及其制备方法
243、硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法
244、氮化硅质烧结体及导热构件
245、采用共烧结法制备石英陶瓷坩埚高结合强度的氮化硅涂层
246、一种凝胶注模成型、无压烧结制备氮化硅人工陶瓷关节的方法
247、一种用于石英陶瓷坩埚的高结合强度氮化硅涂层
248、一种纳米氮化硅和氮化硼增强的碳氮化钛基金属陶瓷材料
249、半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
250、氮化硅基板及其制造方法以及使用该氮化硅基板的氮化硅电路基板和半导体模块
251、一种多层氮化硅膜的制备方法
252、一种多层氮化硅膜的制备方法
253、氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
254、利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法
255、高绝缘碳化硅氮化硼陶瓷材料及其制备方法
256、一种CVD法合成氮化硅纳米环的方法
257、用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法
258、一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺
259、一种新型氮化硅电点火器
260、一种锌10铁-5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法
261、一种镍3锆-6.5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法
262、一种QTi3.5-5.5氮化硅半固态浆料中氮化硅颗粒均匀分散方法
263、氮化硅全陶瓷轴承
264、一种含有氮化硅的耐高温耐磨涂料
265、一种氮化硅陶瓷轴承球
266、在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
267、硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
268、铈掺杂碱土氮化硅发光材料、制备方法及其应用
269、钒微合金化钢增氮用氮化硅锰包芯线
270、一种氮化硅涂层医用镁合金材料及制备方法
271、一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法
272、钐掺杂稀土氮化硅发光材料、制备方法及其应用
273、锑铽共掺杂氮化硅发光材料、制备方法及其应用
274、钐掺杂氮化硅发光材料、制备方法及其应用
275、一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法
276、自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
277、一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
278、一种制备高热导率、高强度氮化硅陶瓷的方法
279、用气流床反应器排放氮气生产氮化硅结合碳化硅制品的隧道窑
280、用气流床反应器排出氮气生产氮化硅结合碳化硅制品的隧道窑窑车
281、一种螺纹连接的氮化硅除气转子
282、一种超短脉冲激光烧蚀氮化硅的模拟计算方法
283、一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法
284、一种低热导率氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷的制备方法
285、双层氮化硅减反射膜及其制备方法
286、氮化硅材料和氮化硅材料制成的隔热盘罩的制备方法
287、聚硅氮烷和其制备方法以及可由该聚硅氮烷制得的含四氮化三硅的陶瓷材料和其制备方法
288、用于半导体器件应用的氮化硅膜
289、具有对氮化硅SI<>3<>N<>4<>的亲和性的肽及其用途
290、一种碳化锆-碳化硅-氮化硅超高温陶瓷复合材料的制备方法
291、氮化硅烧结体及其制造方法
292、一种碳化锆-碳化硅-氮化硅超高温陶瓷复合材料及其制备方法
293、氮化硼纤维织物增强氮化硅陶瓷材料的制备方法
294、纳米二氧化硅-纳米氮化硅复合材料及其制备方法
295、氮化硅复合隔膜及其制备方法
296、硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
297、一种具有高强度高抗氧化性能的氮化硅复合陶瓷材料
298、轴承用氮化硅球的制造方法
299、具有硅片表面清洗功能的氮化硅镀膜方法
300、一种等离子气相反应合成氮化硅粉体及其复合粉体材料的制备方法
301、一种多孔氮化硅复合陶瓷的制备方法
302、一种多孔氮化硅复合陶瓷的制备方法
303、氮化硅干修整而没有顶部下拉
304、一种氮化硅复合陶瓷发热体材料及其制备方法
305、在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法
306、一种带有氮化硅涂层的石英坩埚的制备方法及一种多晶硅铸锭的方法
307、硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法
308、一种氮化硅陶瓷球
309、一种氮化硅增韧陶瓷球
310、一种氮化硅增韧陶瓷
311、一种氮化硅增韧陶瓷球的制备方法
312、一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法
313、一种氮化硅陶瓷球轴承套圈的生产工艺
314、一种氮化硅增韧陶瓷球轴承滚动体的生产工艺
315、一种氮化硅陶瓷球的制备方法
316、一种氮化硅陶瓷球的研磨方法
317、氮化硅制造方法
318、一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法
319、氮化硅材料及其制备方法和氮化硅发热器件及其制备方法
320、一种测定氮化硅材料中铁含量的方法
321、一种高温宽频梯度多孔氮化硅天线罩结构
322、一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构
323、一种制备氮化硅泡沫陶瓷的方法
324、一种利用回收提纯硅片锯屑粉制备氮化硅的方法
325、一种氮化硅钒及其生产方法
326、一种复合结构的氮化硅结合碳化硅陶瓷升液管
327、一种轻质高强氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法
328、一种镁合金表面制备钇氮化硅复合涂层材料的方法
329、氮化硅结合碳化硅抗热震浇注料
330、一种锶硅酸盐氮化物LED荧光粉及其制备方法
331、含氧化锆颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法
332、在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法
333、一种含氮化硅界面的透波复合材料的制备方法
334、氮化硅膜沉积设备和沉积方法
335、氮化硅膜沉积设备
336、氮化硅烧结体及其制造方法、及使用其的耐磨部件和轴承
337、氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法
338、一种氮化硅电热元件
339、一种氮化硅电热元件及其制造方法
340、一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法
341、一种氮化硅纳米材料的制备方法
342、纳米氮化硅填充的尼龙复合材料
343、纳米氮化硅填充的尼龙复合材料的制备方法
344、高硬度的含氮化硅剥离层
345、氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法
346、氮化硅粉、其烧结体、基板、及由此的电路板和热电元件模块
347、一种亚微米氮化硅Si<>3<>N<>4<>陶瓷粉体生产工艺
348、氮化硼纳米管强韧化氮化硅陶瓷材料及其制备方法
349、用于氮化硅溶液搅拌的搅拌电机叶轮
350、一种反应烧结碳碳-碳化硅-氮化硼复合摩擦材料及其制备方法
351、一种具有氮化硅表层的碳化硅纤维的制备方法
352、一种具有氮化硅表层的碳化硅纤维的制备方法
353、在单晶圆装置中蚀刻氮化硅
354、氮化硅膜制备装置
355、氮化硅膜制备装置
356、氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法
357、包括氮化硅磨粒的磨料制品
358、一种以β-sialon陶瓷-玻璃为中间层的氮化硅陶瓷接头及其制备方法
359、氮化硅生坯球径向压制模具装置及生产氮化硅生坯球方法
360、一种调整氮化硅折射率的方法
361、双应力氮化硅蚀刻阻挡层形成方法和半导体器件制造方法
362、一种挤压成型制备氮化硅蜂窝陶瓷的方法
363、自生氮化硅晶须增韧碳化钨复合材料及其制备方法
364、一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法
365、一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法
366、一种氮化硅纳米纤维毡的制备方法
367、一种具有氮化硼结构表层的碳化硅纤维的制备方法
368、一种含镁橄榄石-氮化硅-碳化硅的碱性复相耐高温粉体的制造方法
369、用于选择性抛光氮化硅材料的组合物及方法
370、酸腐蚀去除氮化硅工艺的补水装置和方法
371、一种氮化硅复合材料的制备方法及其制备的基板
372、一种氮化硅坩埚的制备方法
373、一种氮化硅坩埚及其制备方法
374、氮化硅膜的形成方法
375、一种用于*行业的氮化硅干点型电热装置
376、干点型氮化硅电热元件及其制造方法
377、氮化硅与氮氧化硅的等离子体处理
378、一种具有高擦除速度的锥形能带氮化硅层SONOS结构器件
379、用等离子激发形成氮化硅膜的方法
380、抗软化氮化硅梯度掺杂石英坩埚制备方法
381、一种氮化硅基陶瓷刀具材料及其制备方法
382、多晶硅坩埚喷涂免烘干的方法及氮化硅涂层
383、氮化硅加热片及其制造方法
384、一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法
385、一种氮化硅铁粉的制备方法
386、在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法
387、硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法
388、一种具有带状纤维形貌的氮化硅的制造方法
389、双层氮化硅减反膜
390、一种氮化硅式缺氧保护装置
391、一种非对称氮化硅陶瓷中空纤维管膜的制备方法
392、用银铜钛钎料钎焊连接TC4钛合金和氮化硅陶瓷的方法
393、氮化硅溶液自动搅拌装置
394、一种烧成氮化硅结合氧化镁-碳质耐火材料及其制备方法
395、一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法
396、用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法
397、一种氧化物结合氮化硅制品的制备方法
398、氮化硅坩埚涂层及其制备方法
399、浮栅制造过程中氮化硅层的去除方法
400、一种生产规则形貌α相氮化硅粉体的方法
401、一种多孔陶瓷表面氮化硅基涂层的制备方法
402、一种多孔陶瓷表面氮化硅基涂层的制备方法
403、一种石墨材质基板表层氮化硅的清洗方法
404、氮化硅膜的成膜方法和成膜装置
405、一种制备高纯度氮化硅微纳米粉体的方法
406、一种基于软质磨料固着磨具的氮化硅陶瓷球研磨方法
407、一种氮化硅反应槽
408、多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料
409、多晶硅铸锭铸造用铸模及其制造方法、以及多晶硅铸锭铸造用铸模的脱模材料用氮化硅粉末及含有该粉末的浆料
410、一种内嵌陶瓷纤维的氮化硅结合碳化硅陶瓷升液管
411、一种用于多晶硅铸锭坩埚的氮化硅喷涂溶液的制备方法
412、均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法
413、一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法
414、一种氮化硅坩埚及其制备方法
415、深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法
416、一种多层金属-氮化硅-金属电容的制作方法
417、提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
418、一种自组装制备内嵌金属钨量子点氮化硅介质膜浮栅层的方法
419、一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法
420、一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法
421、一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法
422、一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法
423、一种碳化硅晶须增强氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法
424、提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法
425、采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺
426、一种氮化硼-硅橡胶复合材料的制备方法
427、一种高纯度氮化硅粉体的制备方法
428、去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法
429、去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法
430、太阳能电池的双层氮化硅减反膜结构
431、氮化硅喷雾系统
432、高炉水冲渣槽用氮化硅结合碳化硅陶瓷耐磨内衬
433、含碳化硼和氮化硅的熔融石英陶瓷材料的制备方法
434、通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔
435、一种钛合金和氮化硅陶瓷的钎焊连接方法
436、氮化硅膜成长炉管装置中减少氯化铵堵塞的结构
437、一种用于太阳能电池的双层氮化硅减反射膜及其制备方法
438、用于提高氮化硅批间均匀度的非晶硅陈化作用
439、一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法
440、聚合的氢化硅氮烷及其制备方法和由其制备含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法
441、聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法可由其制备的含四氮化三硅陶瓷材料及其制备方
442、聚合的氢化硫代硅氮烷及其制备方法可由其制备的含四氮化三硅陶瓷材料及其制备方法
443、聚合的氢化硅氮烷及其制备方法和由其制备含四氮化三硅的陶瓷材料及其制备方法
444、高耐磨氮化硅陶瓷的生产方法
445、一种片状氮化硅陶瓷发热体的成型模具
446、建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法
447、用于测量太阳能电池片氮化硅膜致密性的溶液及其使用方法
448、一种氮化硅陶瓷构件表面氧化物去除方法
449、一种铸锭用石英坩埚氮化硅涂层免烧工艺
450、集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法
451、一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法
452、一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法
453、一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法
454、一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法
455、一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法
456、一种制备多孔氮化硅陶瓷材料的方法
457、一种氮化硅点火器
458、氮化硅薄膜的制备方法
459、应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法
460、在双金属多晶硅氧化物氮化物氧化物硅阵列中的联结及选取步骤
461、含氧化铝颗粒与氮化硅晶须的碳化钨复合材料及制备方法
462、一种低成本氮化硅陶瓷的生产方法
463、用于产生氮化硅纳米结构的系统、方法和组合物
464、一种SONOS结构中氮化硅的生长工艺
465、热加工用氮化硅基金属陶瓷模具材料及其制备方法与应用
466、用于制造硬密封球阀阀球的氮化硅基固溶相复合陶瓷材料及利用该材料制作阀球的方法
467、一种氮化硅回收装置
468、对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片抛光的方法
469、对包含多晶硅以及氧化硅和氮化硅中的至少一种的基片进行抛光的方法
470、对包含多晶硅、氧化硅和氮化硅的基片进行抛光的方法
471、一种氮化硅和铝双连续相复合材料及其制备方法
472、氮化硅结合刚玉透气砖及制备方法
473、氮化硅复合发热体及其制作方法
474、使用氮化工艺的多晶硅化金属栅极制程
475、具有多级孔径结构的高孔隙率氮化硅多孔陶瓷的制备方法
476、带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯及制备方法
477、带氮化硅介质选择吸收涂层的太阳能集热器芯
478、双层氮化硅减反射膜制备方法
479、半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法
480、一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法
481、基于碳氮化硅的磷光体及使用该材料的照明器件
482、多孔氮化硅氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法
483、用于宽编程的双金属多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
484、常压低温烧结β-氮化硅陶瓷的方法
485、氮化硅陶瓷接收、*传感器线圈骨架
486、纳米氮化硅粉体填料耐磨聚乙烯塑料及其制备方法
487、油田井下采油设备使用的氮化硅陶瓷接收、*线圈骨架
488、海下采油设备上使用的氮化硅陶瓷接收、*线圈骨架
489、氮化硅陶瓷接收、*线圈骨架
490、金属硅氮化物或金属硅氧氮化物亚微米荧光粉颗粒及合成这些荧光粉的方法
491、氮化硅陶瓷接收、*线圈骨架
492、埋入式二次氮化硅衬垫的浅槽隔离结构的制备方法
493、一种氮化硼晶须氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法
494、一种双层结构氮化硅陶瓷保护管
495、一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法
496、硫代氨基脲辅助低温合成氮化硅微米棒状晶体材料的方法
497、溶剂热法低温合成氮化硅纳米棒状晶体材料的方法
498、非现场情况下处理氮化硅膜以保证其高张应力的方法
499、铒钕掺杂纳米氮化硅陶瓷材料的制备方法
500、微量氧化铒稳定钐氮化硅的生产方法
501、氮化硅添加氧化镨的复合陶瓷制备方法
502、氮化硅添加氧化镨的复合陶瓷制备方法
503、自蔓延高温合成氮化硅铁粉末的制备方法
504、一种双层氮化硅减反膜的制作方法
505、制备基于氮化硅和β-锂霞石陶瓷复合材料的方法
506、一种氮化硅喷*
507、一种锌10铁-5氮化硅半固态浆料的机械均匀分散方法
508、一种QTi3.5-5.5氮化硅半固态浆料的机械均匀分散方法
509、一种镍3锆-6.5氮化硅半固态浆料的机械均匀分散方法
510、氮化硅基固溶相复合陶瓷绝缘保护罩
511、一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置
512、一种碳酸氢铵发泡法制备多孔氮化硅陶瓷的方法
513、用于覆盖高纵横比特征结构的氮化硅钝化层
514、原位生长碳氮化钛系晶须增韧氮化硅基陶瓷刀具材料粉末及其制备工艺
515、一种制备亚微米氮化硅的方法
516、氮化硅薄膜的制备方法
517、集成的基于氮化物和碳化硅的器件以及制造集成的基于氮化物的器件的方法
518、防结垢氮化硅陶瓷电热板及制作方法
519、一种防结垢氮化硅陶瓷电热板
520、一种低色温白光LED用氮化硅橙红光发光材料及其制备方法
521、一种高含量氮化硅粉末的生产方法
522、一种高含量α晶形氮化硅粉末的生产方法
523、一种用于多极镁电解技术中的氮化硅陶瓷绝缘材料
524、一种氮化硅陶瓷球轴承的生产工艺
525、一种氮化硅陶瓷
526、一种氮化硅陶瓷研磨试剂盒
527、一种氮化硅陶瓷球轴承滚动体的生产工艺
528、一种氮化硅陶瓷的制备方法
529、一种立方氮化硼-碳化硅复相陶瓷材料的制备方法及其产品
530、氮化硅质基板、及使用其的电路基板以及电子装置
531、一种以硅粉作添加剂实现非晶氮化硅粉末的快速晶化方法
532、氮化硅质泡沫陶瓷及其制备方法
533、低介电常数氮化硅陶瓷材料及其制备方法
534、氮化硅钒铁及其生产方法
535、氮化硅结合碳化硅大型坩埚的制备方法
536、一种用于清洗氮化硅沉积物的清洗机
537、一种氮化硅材质微粒捕集器的制备方法
538、硼化锆-碳化硅氮化硼层状超高温陶瓷的制备方法
539、氧化钪混合氧化钬稳定氮化硅材料的生产工艺
540、无压氮化硅掺杂钐镧的生产工艺
541、一种纳米氧化钇氧化钪复合氮化硅陶瓷材料的制备方法
542、高强度氮化硅掺杂钕镝的生产方法
543、一种纳米氧化钕氧化镨复合氮化硅陶瓷材料的制备方法
544、纳米稀土镧复合氧化铈氮化硅的制备方法
545、一种纳米氧化铈氧化钐复合氮化硅陶瓷材料的制备方法
546、纳米氧化钬掺杂氧化铥稳定氮化硅的制备方法
547、一种高密度的氧化铈掺杂钪稳定氮化硅的生产工艺
548、一种纳米氧化铥氧化镧复合氮化硅陶瓷材料的制备方法
549、一种纳米氧化铒氧化镨复合氮化硅陶瓷材料的制备方法
550、氧化铈复合氮化硅特种陶瓷的制备方法
551、一种制备氮化硅结合碳化硅复合陶瓷的胶态成型工艺方法
552、一种制备氮化硅结合碳化硅复合陶瓷的胶态成型工艺方法
553、氮化硅基坩埚
554、一种锌-5氮化硅伪合金液的搅拌方法
555、一种铜-6.5氮化硅伪合金液的搅拌方法
556、一种镍-6.5氮化硅伪合金液的搅拌方法
557、稀土铒掺杂纳米氧化钬氮化硅的制备工艺
558、一种具有高强度的钇镝氮化硅生产工艺
559、一种掺杂氧化镧氧化镝的氮化硅制备工艺
560、氧化铒钇稳定氮化硅纳米陶瓷粉体的制备方法
561、氮化硅添加微量铒铈的高性能陶瓷制备方法
562、一种氧化镝加强的氮化硅制备工艺
563、氮化硅掺杂氧化钬陶瓷的制备方法
564、具有较高可靠性和安全性的氮化硅发热体的制作方法
565、一种氮化硅发热体的制作方法
566、氮化硅发热体的制作方法
567、氮化硅的回收方法
568、一种以分解时能产生氮气的发泡剂为添加剂快速燃烧合成氮化硅粉体的方法
569、镀氮化硅减反射膜的方法
570、基于氧氮化物焦硅酸盐的持久性磷光体
571、流体密封组装两个氮化硅部件的方法
572、利用高温旋转炉合成氮化硅粉末的方法
573、一种以氮化铝为抑制剂的取向硅钢薄带坯的制备方法
574、一种低能耗低成本的氮化硅粉末制备方法
575、一种高α相氮化硅陶瓷轴承球的制备方法
576、机械密封用氮化硅陶瓷粉体的喷雾干燥造粒方法
577、基底氧化硅氮化硅氧化硅硅组件的制造方法
578、氮化硅发热装置
579、氮化硅球磨机
580、一种大型水泥窑用棕刚玉-氮化硅复合耐磨砖及其制造方法
581、氮化硅鄂板破碎机
582、一种生产超厚氮化物结合碳化硅大异形制品的方法
583、氮化硅锰合金的微波合成方法
584、一种氮化硅陶瓷内衬弯头
585、一种氮化硅陶瓷金属化材料及其制备方法与应用
586、氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法
587、落地式氮化硅智能电锅炉
588、落地式氮化硅智能电锅炉
589、壁挂式氮化硅智能电锅炉
590、氮化硅智能电锅炉
591、一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件的方法
592、氮化硅薄膜的制造方法
593、在氮化硅表面淀积氧化硅的方法
594、氮化硅涂层石英坩埚的制备方法
595、碱土金属氧氮化硅发光材料及其制备方法和应用
596、一种导电氮化钛氮化硅纳米复合材料的制备方法
597、一种氮化硅晶须的制备方法
598、硼化钛氮化硅纳米多层涂层及其制备方法
599、一种氮化硅烧成炉
600、一种氮化硅烧成炉
601、氮化硅发热片的制作方法
602、氮化硅发热片的制作方法
603、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
604、一种无水泥的原位氮化硅结合碳化硅预制件及制备方法
605、镀氮化钛碳化硅纤维的制备方法
606、具有薄氮化硅层的金刚石SOI
607、在锦纶织物表面制备纳米氮化硅复合镍磷镀层的方法
608、一种制备β-氮化硅粉体的方法
609、一种氮化硅纳米无纺布及其制备方法
610、氮化硼纳米管增强的二氧化硅陶瓷的制备方法
611、车用氮化硅陶瓷预热塞的制备方法
612、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
613、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
614、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
615、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
616、高孔隙率磷酸盐结合氮化硅多孔陶瓷的制备方法
617、一种制备β-氮化硅晶须的方法
618、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
619、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
620、用保形氮化物形成耐用由上至下硅纳米线结构的方法和该结构
621、用于锡酸镉透明导电氧化物的氮化硅扩散阻挡层
622、*字线的无触点氮化硅分栅式闪存及其制造方法
623、一种低电压干点型氮化硅陶瓷点火装置
624、一种干点型氮化硅陶瓷电热装置
625、自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法
626、一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
627、一种平板PECVD氮化硅覆膜的系统
628、超细氮化硅微粉气相合成新工艺
629、一种复相氮化硅陶瓷及其制作方法
630、一种分离石英坩埚片和氮化硅的装置
631、氮化硅收集平台
632、一种大型水泥窑用矾土-氮化硅复合耐磨砖及其制造方法
633、聚12-亚乙基桥接氯硅氮烷、它的制备方法由它可制备含氮化烷的陶瓷材料以及含氮化硅的陶瓷材料的制备
634、氮化硅生坯球径向压制模具装置
635、一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
636、一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
637、氮化硅中添加氧化铈的陶瓷的生产方法
638、氮化硅锅炉燃烧器扩流锥的生产工艺
639、一种废塑料制备小尺寸碳化硅或氮化硅纳米颗粒的方法
640、氮化硅表壳
641、添加氮化硅的滑板耐火材料及其生产方法
642、含金属硅粉的氮化硅陶瓷材料凝胶注模成型方法
643、氮化硅结合碳化硅侧块砖
644、氮化硅基复合陶瓷及其制造方法
645、刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法
646、新型TEM样品支持膜氮化硅窗口的制作工艺
647、一种IMC氮化硅陶瓷基复合刹车片的制作方法
648、晶圆的清洗方法及去除氮化硅层和氮氧化硅层的方法
649、多晶硅太阳能电池铸锭用氮化硅坩埚
650、氮化硅发热体及其制作方法
651、一种复相氮化物结合碳化硅泡沫陶瓷过滤器及其制备方法
652、一种复相氮化物结合碳化硅泡沫陶瓷过滤器及其制备方法
653、耐体积变化的氮氧化硅或氮氧化硅以及氮化硅粘结的碳化硅耐火材料
654、生产高纯度氮化硅的方法
655、可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法
656、一种氮化硅增强铝基复合材料的制备方法
657、太阳能电池用氮化硅坩埚
658、含有α-氮化硅晶须的氮化硅水基流延浆料及其制备方法
659、采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法
660、一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法
661、氮化硼纳米管增强的氮化硅陶瓷及其制备方法
662、一种高纯氮化硅的回收方法
663、一种氮化硅基封孔涂层的制备方法
664、具有结晶碱土金属硅氮化物氧化物与硅界面的半导体结构
665、一种氧氮化硅结合碳化硅高温陶瓷材料及其制备方法
666、形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法
667、一种利用木屑制备氮化硅粉体的方法
668、具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存
669、具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存
670、用于研磨氮化硅的组合物以及使用所述组合物控制选择比的方法
671、一种氮化铝碳化硅钛酸铝多孔陶瓷及其制备方法
672、*字线的基于氮化硅浮栅的分栅式闪存
673、氮化硅的选择性蚀刻
674、提高刻蚀硬掩膜氧化层和氮化硅层刻蚀选择比的方法
675、一种氮化硅烧结体添加剂
676、一种氮化硅电热元件
677、改进的氮化硅非易失存储器及其实现方法
678、氮化硅结合SiC耐火材料的制造方法
679、改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构
680、一种增强氮化硅薄膜张应力的方法
681、采用玻璃包封热等静压工艺制备氮化硅陶瓷球的方法
682、高纯高产率网络状分枝氮化硅单晶纳米结构的制备方法
683、一种铝掺杂α相氮化硅α-Si3N4基材料及其制备方法
684、一种低介电常数、高强度多孔氮化硅透波陶瓷的制备方法
685、一种生产塞隆氮化硅复相结合碳化硅制品的方法
686、一种在半导体器件中提高氮化硅薄膜拉应力的方法
687、稀土钇镧复合氮化硅陶瓷生产工艺
688、一种气压烧结氮化硅陶瓷的方法
689、水泥窑预热器用复合氮化物结合碳化硅挂板及烧制方法
690、一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法
691、检测浅槽隔离直接化学机械抛光氮化硅残留的方法及结构
692、一种在瓦楞辊表面注渗氮化硅特种陶瓷的方法
693、高强度氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法
694、一种反应烧结钛酸铝-氮化硅复合材料及其制备方法
695、一种钛酸铝-氮化硅复合材料及其反应合成制备方法
696、SONOS器件的氮化硅陷阱层橄榄形能带间隙结构及制造方法
697、高纯度高密度单晶氮化硅纳米阵列的制备方法
698、氮化硅纳米梳及其制备方法
699、具有氮化硅粘合剂的基于碳化硅的烧结耐火材料
701、氮化硅发热体及其制作方法
702、氮化硅发热体及其制作方法
703、全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统
704、氮化硅发热体
705、一种全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统
706、采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
707、在玻璃基片表面磷酸基硅烷-氮化钛复合薄膜的制备方法
708、碳氮化硅点火器
709、碳氮化硅点火器及其制作方法
710、用于制作碳氮化硅点火器的专用模具
711、一种有序多孔二氧化硅和碳氮化硅及其制备方法和用途
712、由铪的氧化物或硅酸盐的氮化物形成薄膜的方法、用于所述方法中的配位化合物以及制造集成电子电路的方法
713、一种利用凝胶注模法制备氮化硅多孔陶瓷的方法
714、碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术
715、氮化硅基纳米复合梯度功能陶瓷刀具材料及其制备方法
716、微量氧化钕添加的复合氮化硅陶瓷的制备方法
717、无压烧结钐镨混合稳定氮化硅陶瓷的方法
718、一种高硬度氧化钐复合氮化硅陶瓷的制备方法
719、多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂方法
720、多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅膜烘烤装置
721、多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅喷涂装置
722、一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的制备方法
723、一种耐压钕铥氮化硅陶瓷的制备方法
724、一种稀土镨钬稳定氮化硅陶瓷的生产工艺
725、一种高性能氧化钇复合氮化硅陶瓷的制备方法
726、氧化镝氧化铥复合氮化硅陶瓷制备方法
727、高性能氯化镝复合氮化硅陶瓷的制备方法
728、一种高耐磨的氯化镧复合氮化硅陶瓷的制备方法
729、一种选择性*极及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺
730、适用于氮化硅陶瓷或轴承钢摩擦副的润滑油及其制备方法
731、一种高可靠性大尺寸氮化硅陶瓷材料的制备方法
732、一种高致密长寿命的氮化硅陶瓷材料
733、氮化硅即热式电热水器
734、不锈钢与氮化硅陶瓷的连接方法及制得的连接件
735、不锈钢与氮化硅陶瓷的连接方法及制得的连接件
736、长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件
737、自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法
738、氮化硅陶瓷对辊机
739、低湿蚀刻速率的氮化硅膜
740、一种以磷酸盐为烧结助剂的氮化硅基复合陶瓷及制备方法
741、一种氮化硅发热体及其制造方法
742、低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的方法及装置
743、低压下在石英坩埚内壁上喷涂氮化硅涂层的装置
744、氮化硅氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法
745、氧化锆增强氮化硅石英基陶瓷复合材料及其制备方法
746、氮化硅湿法腐蚀方法
747、亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法
748、多孔氮化硅-二氧化硅透波材料的制备方法
749、含氮化硼的有机硅凝胶组合物
750、含氮化硼的有机硅凝胶组合物

资料说明:
    1、资料都是原版专利技术全文,含技术员姓名、地址、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备原理、机械设计构造、结构说明图等。
    2、资料都是电子文档格式,可在电脑中阅读、放大缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘中邮寄。欢迎联系咨询, 电话:028-87023516   18980857561客服QQ:853136199

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