1、磁控溅射靶
[摘要] 一种磁控溅射靶，其包括一个中空靶材以及一个磁靶。所述磁靶收容在所述靶材内。所述磁靶包括一个环状的支架以及多个条状磁铁。所述多个磁铁呈放射状地设置在所述支架上。所述支架上相邻的两个磁铁的磁极相反并在多个相邻的磁铁之间形成多个呈花瓣状分布的多个磁场，所述多个磁场覆盖靶材的内外表面且磁场方向交替变化。且覆盖靶材的内外表面。本套资料磁控溅射靶通过所述磁靶形成的多个花瓣状磁场覆盖靶材内外表面，从而使所述靶材的内外表面均被有效利用，从而提高了靶材的使用效率。
2、磁控溅射靶
[摘要] 本套资料公开一种磁控溅射靶，所述磁控溅射靶包括靶头、靶芯主体、靶材筒，所述靶芯主体容置在所述靶材筒内，所述靶头与所述靶芯主体连接；所述磁控溅射靶还包括：冷却结构，所述靶头上设有第一口和第二口，所述冷却结构包括相互连通的第一腔和第二腔，所述第一腔位于所述靶芯主体内部，所述第二腔位于所述靶材筒与所述靶芯主体之间，所述第一腔与所述靶头上的所述第一口连通，所述第二腔与所述靶头上的所述第二口连通。所述磁控溅射靶具有较好的冷却效果，能够提高磁控溅射靶的运行稳定性。
3、磁控溅射靶
[摘要] 一种磁控溅射靶，其包括一个中空靶材以及一个磁靶。所述磁靶收容在所述靶材内。所述磁靶包括一个环状的支架以及多个条状磁铁。所述多个磁铁呈放射状地设置在所述支架上。所述支架上相邻的两个磁铁的磁极相反并在多个相邻的磁铁之间形成多个呈花瓣状分布的多个磁场，所述多个磁场覆盖靶材的内外表面且磁场方向交替变化。且覆盖靶材的内外表面。本套资料磁控溅射靶通过所述磁靶形成的多个花瓣状磁场覆盖靶材内外表面，从而使所述靶材的内外表面均被有效利用，从而提高了靶材的使用效率。
4、磁控溅射环
[摘要] 一种磁控溅射环，包括用钽或铌金属制成的圆形环体(1)，沿环体外缘装有起固定和引入电流作用的凸结体(2)，圆形环体(1)表面有凸菱形滚花。本套资料在钽作为靶材在溅射机上使用，各方面性能达到设计要求。
5、磁控溅射用靶
[摘要] 本套资料提供一种漏磁通大、不用担心成膜时的组成发生变动、并且能够在稳定的电压下进行成膜的新型溅射靶。一种溅射靶，其由(1)含有Co和Pt且Pt相对于Co的比例为4～10原子％的Co?Pt磁性相、(2)含有Co、Cr和Pt且Co与Cr的比率为Cr：30原子％以上、Co：70原子％以下的Co?Cr?Pt非磁性相和(3)含有微细分散的金属氧化物的氧化物相构成。
6、磁控溅射装置
[摘要] 本套资料提供了一种磁控溅射装置，包括报警系统，所述报警系统包括感应模块、报警控制模块和报警模块；其中，感应模块，用于检测对应的挡板shutter是否开关到位，并将检测结果发送到报警控制模块；报警控制模块，用于根据所述感应模块发送的检测结果判断所述shutter是否开关到位，并在判断为否时，向所述报警模块输出报警信号；报警模块，用于在接收到报警信号后产生报警。本套资料提供的磁控溅射装置，能够在shutter没有开关到位时及时产生报警，从而使操作人员及时感知，从而避免由此引起的产品异常。
7、磁控溅射装置
[摘要] 本套资料的目的在于，提供一种在构成为利用旋转磁铁组使靶表面的磁场模式随时间移动的磁控溅射装置中，解决了在等离子点火和消去时被处理基板的不良率增高的问题，比以往降低了被处理基板的不良率的磁控溅射装置。本套资料的磁控溅射装置设有等离子遮挡部件，该等离子遮挡部件相对靶在旋转磁铁组的相反侧具有缝隙，该等离子遮挡部件与被处理基板之间的距离比电子的平均自由行程短，或比鞘层厚度短。并且，通过抑制缝隙宽度和长度，使得等离子不能到达被处理基板。由此，可降低被处理基板的不良率。
8、一种磁控溅射靶
[摘要] 本套资料涉及镀膜设备，具体地说是一种磁控溅射靶，包括靶头、折弯波纹管组件、靶支杆、靶支座、手动螺旋升降组件、接头组件、驱动器及靶挡板组件，靶支杆可上下往复移动地安装在靶支座上，位于靶支座上方的靶支杆的一端通过折弯波纹管组件与靶头相连接，靶头通过折弯波纹管组件相对于靶支杆可折弯，位于靶支座下方的靶支杆上连接有安装在靶支座上的手动螺旋升降组件；驱动器安装在靶支座上，驱动器的输出端连接有相对靶支座既可转动又可随靶支杆上下往复移动的靶挡板组件；位于靶支座下方的靶支杆的另一端设有与电源连接的接头组件。本套资料靶头在折弯波纹管组件的带动下实现折弯功能，使得一台磁控设备实现了多种镀膜工艺，降低了加工成本。
9、一种磁控溅射靶
[摘要] 本套资料公开一种可以溅射磁性材料的永磁体的圆形平面磁控溅射靶，由外屏蔽罩、磁钢座、极靴、绝缘座、固定座、靶材压盖、内外磁钢、进出水嘴、联接螺栓和密封橡胶圈等部分组成。外屏蔽罩和固定座之间采用螺纹手动可调结构。磁钢座材料为无氧铜，中心放内磁钢，周边钻若干小孔放外磁钢，靶材直接放在磁钢座上，通过靶材压盖固定。极靴材料为导磁材料，磁控靶工作时直流或者射频电源加在极靴上。极靴下面氩弧焊焊接进出水嘴，冷却水低进高出，靠密封橡胶圈实现密封。绝缘座材料为可以在真空下使用的耐热绝缘材料，安装在固定座(阳极)和极靴(阴极)之间。绝缘帽起到带电螺钉(阴极)和固定座(阳极)之间的绝缘作用。本套资料结构简单，成本低。
10、磁控溅射装置
[摘要] 本套资料提供一种能以简单的结构有效地抑制薄膜厚度分布的偏差的磁控溅射装置。本套资料的磁控溅射装置(SM)具有真空室(1)和在该真空室中装卸自如的阴极单元(C)，阴极单元具有朝向真空室内设置的靶(2)和配置在靶的背对溅射面的一侧并在溅射面一侧产生漏磁场的磁铁单元(4)，还具有在溅射靶并对在真空室内与靶相对配置的处理基板(W)进行成膜期间，以靶中心为旋转中心旋转驱动磁铁单元的驱动源(44)；与在处理基板上形成薄膜时产生的薄膜厚度分布的偏差的方位相一致地在真空室或阴极单元的外壳(H)的外壁上局部设置使漏磁场作用在真空室内的辅助磁铁单元(5)。
13、磁控溅射设备
[摘要] 本套资料提供的磁控溅射设备，其包括工艺腔室、靶材、靶材背板、磁控管和冷却腔室，其中，冷却腔室位于工艺腔室上方，靶材背板设置在冷却腔室与工艺腔室之间，用以使二者相互隔离，通过向冷却腔室内通入冷却媒介，来冷却靶材背板；靶材设置在靶材背板的下表面上，磁控管设置在冷却腔室内，在靶材背板的上表面覆盖有导热绝缘件，用以将靶材背板与冷却腔室及其内部的冷却媒介电绝缘。本套资料提供的磁控溅射设备，其无需使用去离子水冷却靶材，从而不仅可以简化水路系统的结构，而且还可以不存在通入到靶材的溅射能量会耗散到磁控管及其驱动机构上的问题，从而可以提高工艺的稳定性。
14、磁控溅射装置
[摘要] 一种磁控溅射装置，包括工作腔室、基底、靶材及磁铁，基底、靶材及磁铁由上而下依次设置于工作腔室中，磁铁为多个条状且水平平行间隔设置，磁控溅射装置还包括靶材消耗监控装置，靶材消耗监控装置包括激光收发装置、计算模块、以及磁铁调整模块，激光收发装置为多个且均匀设置于基底上，激光收发装置与计算模块电性连接，激光收发装置记录收发激光的时间差并通过计算模块计算出每个激光收发装置所对应位置的靶材消耗量，磁铁调整模块与计算模块电性连接，磁铁调整模块根据计算模块的计算结果依次调整每个激光收发装置所对应磁靶距。上述磁控溅射装置，可实时准确监控靶材消耗量，准确调整磁靶距，提升溅射镀膜品质，保证镀膜均匀性和稳定性。
15、磁控溅射系统
[摘要] 本套资料提供一种磁控溅射系统，包括腔体，所述腔体内设置有靶材支撑架和基板支架，所述基板支架用于放置待溅射涂覆的基板，所述磁控磁控溅射系统还包括一磁场产生部件，所述磁场产生部件用于在所述待溅射涂覆的基板周边产生一磁场。本套资料可以避免靶材产生的带电分子和阴离子以较高的能量轰击待溅射涂覆的基板，既可以保护该待溅射涂覆的基板不被损伤，又能降低基板上沉积薄膜的应力，进而提高了产品的良率。
16、磁控溅射装置
[摘要] 本套资料的目的在于，提供一种通过升高靶子上的瞬时的等离子体密度而提高成膜速度的磁控溅射装置。本套资料的磁控溅射装置是如下的磁控溅射装置，其具有被处理基板、与被处理基板相面对地设置的靶子、设置于靶子的与被处理基板相反一侧的旋转磁铁，在靶子表面形成多个等离子体环，并且该等离子体环随着旋转磁铁的旋转而在旋转磁铁的轴向上产生、移动、消除。
17、磁控溅射设备
[摘要] 本套资料实施例公开了一种磁控溅射设备，涉及磁控溅射技术，用以在磁控溅射过程中减少由于遮挡板上的金属碎片脱落所造成的基片上金属薄膜不良，提高镀膜的成品率。本套资料实施例提供的磁控溅射设备，包括基板和靶材、以及设在所述基板和靶材之间的遮挡板，该遮挡板上形成有矩形镂空结构；其中，在所述遮挡板的非镂空部分设有开口朝向所述靶材的凹槽，且在所述凹槽的开口处覆盖有过滤膜。本套资料实施例提供的方案适用于任何磁控溅射设备中。
18、磁控溅射装置
[摘要] 提供一种磁控溅射装置，通过提高靶上的瞬时的腐蚀密度，使成膜速度提高，并且使腐蚀区域时间性移动，防止靶的局部性损耗，使靶实现均匀损耗，从而延长靶的使用寿命。在柱状旋转轴(2)的周围设置多个板磁体(3)，通过使柱状旋转轴(2)旋转，在靶(1)上形成高密度的腐蚀区域，使成膜速度提高，同时随着柱状旋转轴(2)旋转，腐蚀区域产生运动，使靶(1)均匀消耗。
19、柱状磁控溅射器
[摘要] 本套资料公开了一种柱状磁控溅射器，包括靶筒、弧形屏蔽罩和磁极装置，弧形屏蔽罩位于靶筒的侧面，所述磁极装置包括板状磁轭、在板状磁轭上同平面平行排列固定的一对侧面磁钢和中间磁钢、位于侧面磁钢与中间磁钢之间的中间间隔条，所述板状磁轭平行排列固定在与弧形屏蔽罩相对的靶筒的另一侧面。进一步，在所述中间磁钢的上下端部增设有增强磁钢，增强磁钢的靠近端面的高度低于增强磁钢的靠近中间磁钢端面的高度。本套资料通过设置增强磁钢，克服了现有磁极排布会造成端部的磁场弱于中间的磁场的缺陷，使得整个靶面的水平磁场更加均匀，有利于整个靶刻蚀的均匀性而且形成了完整闭合的磁路，靶材的利用率得到了进一步的提高。
20、磁控溅射镀膜机
[摘要] 本套资料涉及一种磁控溅射镀膜机，其包括进片室、镀膜室、过渡室、出片室以及用于承载镀膜基片的基片架，所述镀膜室包括两个以上镀膜室，所述过渡室具有进料端和出料端，所述进片室衔接于过渡室的进料端以将基片架送到过渡室，所述出片室衔接于过渡室的出料端以接收过渡室送出的基片架，每个镀膜室分别连通于所述过渡室，所述过渡室用于将基片架在各镀膜室之间切换，使每个镀膜室分别对基片架上的基片进行镀膜。上述镀膜机用一个过渡室连通两个以上镀膜室，充分利用过渡室过渡，连续地在一个镀膜机中进行多种膜材的镀膜操作，提高生产节拍和生产效率，降低生产成本。
21、磁控溅射设备
[摘要] 一种磁控溅射设备，包括真空腔壁、连接轴、工作台及导电电极；真空腔壁围成真空腔；所述连接轴的一端连接于所述真空腔壁上；所述工作台收容于所述真空腔中，并设置于所述连接轴的另一端，所述工作台用于固定衬底；所述导电电极穿设所述真空腔壁，其一端与工作台相连接，所述工作台通过所述导电电极与外接电源电连接，所述外接电源通过所述导电电极向所述工作台施加高电势。上述磁控溅射设备中，工作台及衬底均处于高电势的保护之下，飞向衬底的带电正离子会受到相反方向的电场作用力影响，使带电正粒子数量和能量都大幅度减少，减弱了带电正离子对衬底表面的轰击，保护了在衬底表面沉积所得的沉积物，进而使沉积物表面较为平整，晶体质量较好。
22、磁控溅射设备
[摘要] 本套资料的磁控溅射设备，包括成膜腔室以及靶材，靶材为多个，多个靶材排列形成队列，成膜腔室的内部设置有与队列相对的用于为基板加热的第一加热装置，成膜腔室的内部设置有与靶材之间的缝隙相对应的第二加热装置。本套资料的磁控溅射设备，成膜腔室的内部设置有与队列相对的用于为基板加热的第三加热装置，第三加热装置包括多个平行设置的加热条，多个加热条与靶材之间的缝隙相对应。本套资料的磁控溅射设备，利用第二加热装置或第三加热装置使基板上形成温度不均，基板上不同区域的温度差距导致原子在基板上不同于区域的附着速度不同，从而可以调整成膜速率，以改善成膜不均。本套资料的磁控溅射设备，结构简单，可以有效防止基板表面成膜不均匀。
25、磁控溅射装置
[摘要] 本套资料提供一种磁控溅射装置，该磁控溅射装置配置有磁铁单元，该磁铁单元能够沿着安装靶的阴极的背面侧往复移动，该磁控溅射装置的特征在于：所述磁铁单元具有：内侧磁铁，由永磁铁构成，将一个极性的磁极面朝向所述阴极侧；外侧磁铁，以包围所述内侧磁铁的方式排列，将与所述内侧磁铁相反的极性的磁极面朝向所述阴极侧；以及板状磁轭，由强磁体材料构成，位于所述内侧磁铁以及所述外侧磁铁的与所述阴极相反的一侧，将所述内侧磁铁和所述外侧磁铁的磁极连接，所述磁轭具有与其它部分相比厚度形成得薄的部分，该形成得薄的部分是配置在沿着所述磁铁单元的移动方向的长度方向上的所述外侧磁铁和所述内侧磁铁之间的部分。
26、磁控溅射装置
[摘要] 本套资料公开了一种磁控溅射装置，包括一电机驱动磁体旋转，该装置采用带有控制电路的无刷直流电机，其中的控制电路采用非线性比例微积分PID算法控制该电机的转速；该装置还包括一电机监测装置，该电机监测装置对电机转速偏差值进行监测，如果电机转速偏差值超出预设范围，该电机监测装置即发出报警信号。本套资料磁控溅射装置采用带有非线性比例微积分PID算法控制的无刷直流电机代替传统电机，实现了电机转速的闭环控制，使得电机转速稳定，并具有快速跟随性，同时也使电机具有恒转矩调速特性。另外，本套资料通过对电机转速偏差和传动轴转速偏差的监控，能及时发现电机和/或传动件的异常，从而对磁体转动的异常采取措施。
27、磁控溅射装置
[摘要] 提供一种结构简单，具有使用效率高的靶的磁控溅射装置。由以下部分构成：真空腔(2)；阴极(4)，位于所述真空腔(2)内部，保持靶(3)；阳极(6)，位于阴极(4)的上方，保持与阴极(4)的靶(3)侧相对的基板(5)；永久磁铁(7)，位于阴极(4)的下方，用于产生磁场；和旋转控制装置(12)，以靶(3)的中心为轴，使所述永久磁铁(7)旋转，永久磁铁(7)由以下部分构成：底部(8)，用于固定磁铁；永久磁铁(9)，固定于底部(8)的中央部位；和永久磁铁(10)，固定于底部(8)的端部，环绕永久磁铁(9)，磁极的极性与永久磁铁(9)相反并且磁场强度比永久磁铁(9)弱，此外，永久磁铁(7)的上部为将圆筒斜向切断的形状。
28、枪式磁控溅射源
[摘要] 一种带有能直接向靶面喷工作气体的充气器、能对阴极靶4的底部和侧面进行有效冷却的水冷器和采用高导磁率的软磁材料制成的中心阳极的枪式磁控溅射源。同已有的磁控溅射源比较，靶材利用率提高80％以上，溅射速率提高50％。对于集成电路、塑料制品、玻璃陶瓷、工艺品、金属零件的表面，应用装有本溅射源的磁控溅射机镀覆一层结合牢固的金属薄膜后，能提高其应用价值，产生良好的经济效益。应用本技术可方便地对现有的镀膜机进行改造。
29、磁控溅射组件、磁控溅射设备及磁控溅射方法
[摘要] 本套资料提供一种磁控溅射组件，包括固定盘、旋转驱动机构和设置在固定盘上的磁控管，旋转驱动机构用于驱动固定盘旋转，磁控管包括多个磁极，多个磁极沿多条互相嵌套的螺旋状曲线依次排列，沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极的极性与沿相邻的螺旋状曲线排列的多个磁极的极性相反，且沿任一螺旋状曲线排列的多个磁极中位于曲线中心的至少一个磁极的极性与其他磁极的极性相反。本套资料提供的技术方案提高了磁控管旋转产生的磁场的场强分布均匀性，进而提高了磁控溅射反应中薄膜沉积速率的均匀性。本套资料还提供一种磁控溅射设备和磁控溅射方法。
30、磁控溅射组件、磁控溅射腔室及磁控溅射设备
[摘要] 本套资料提供一种磁控溅射组件，包括磁控管和靶材，所述磁控管相对于所述靶材固定设置，所述磁控管包括磁极方向相反的内磁极和外磁极，在所述内、外磁极之间形成磁场轨道。本套资料还提供一种磁控溅射腔室及磁控溅射设备。本套资料不仅可提高磁控溅射组件稳定性，而且还可以增加生成的磁性薄膜的应用频率范围。
31、磁控溅射装置
[摘要] 本申请公开了一种磁控溅射装置，所述磁控溅射装置包括溅射腔体、基台、磁场调节装置和靶材；基台设置在溅射腔体内，用于放置基片；磁场调节装置设置在溅射腔体内，与基台相对设置；靶材设置在基台与磁场调节装置之间；磁场调节装置包括第一腔体、第一磁体结构和第二磁体结构，第一磁体结构包括至少两个定磁铁以及磁体旋转结构，相邻的两个定磁铁靠近所述靶材一端的极性相反，磁体旋转结构带动定磁铁进行旋转；第二磁体结构设置在溅射腔体外，第二磁体结构包括线圈，线圈围绕第一磁体结构设置。第二磁体结构可以调节腔室内磁场分布，无需调节原有磁铁与靶材的间距，使得镀膜更加均匀的同时节省调节时间，且在溅射腔体外调节更加方便。
32、磁控溅射设备
[摘要] 本申请提供一种磁控溅射设备，其包括旋转靶、第一转动机构以及第二转动机构。旋转靶包括第一靶材和第二靶材。第一靶材与第二靶材在第一方向上排列设置，第一靶材位于旋转靶的端部。第一转动机构连接于第一靶材。第二转动机构连接于第二靶材。根据本申请的磁控溅射设备，将位于旋转靶端部的子靶材与位于旋转靶的中间的子靶材分别连接于不同的转动机构，在溅射过程中，可以调节第一靶材的线速度大于第二靶材的线速度，减小非侵蚀区。
33、磁控溅射设备
[摘要] 本申请提供一种磁控溅射设备，其包括：靶材和磁铁组件。所述磁性组件设置于所述靶材的一侧，所述磁铁组件包括第一磁铁，所述第一磁铁位于所述磁铁组件的第一端部，所述第一磁铁对应于所述靶材的端部设置，所述第一磁铁的位置可调。根据本申请的磁控溅射设备，在对应于靶材端部的位置设置第一磁铁，能够提高靶材端部的磁场强度，从而减小非侵蚀区，并且能够根据溅射的不同需求调节磁铁组件的形状，从而调节作用于靶材的磁场。
34 磁控溅射设备
37 磁控溅射装置
38 磁控溅射镀膜机
39 磁控溅射装置
40 磁控溅射方法
41 磁控溅射装置
42 磁控溅射装置
43 磁控溅射设备
44 磁控溅射装置
45 磁控溅射设备
46 磁控溅射设备
49 磁控溅射装置
50 磁控溅射装置
51 磁控溅射装置
52 磁控溅射镀膜机
53 磁控溅射装置
54 磁控溅射用靶
55 磁控溅射镀膜机
56 一种磁控溅射靶
57 磁控溅射装置
58 一种磁控溅射靶
61 柱状磁控溅射器
62 磁控溅射方法
63 平面磁控溅射源
64 磁控溅射装置
65 一种磁控溅射台
66 磁控溅射靶罩
67 磁控溅射装置
68 磁控溅射装置
69 圆柱磁控溅射靶
70 磁控溅射系统
73 磁控溅射靶结构
74 磁控溅射设备
75 磁控溅射装置
76 磁控溅射装置
77 磁控溅射装置
78 磁控溅射装置
79 枪磁控溅射源
80 磁控溅射靶材和磁控溅射装置
81 磁控溅射腔室及磁控溅射设备
82 磁控溅射装置和磁控溅射方法
85 磁控溅射方法以及磁控溅射装置
86 磁控溅射装置、设备及磁控溅射方法
87 一种磁控溅射台以及磁控溅射装置
88 磁控溅射装置及磁控溅射方法
89 一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
90 一种磁控溅射源及磁控溅射设备
91 磁控溅射源及磁控溅射设备
92 磁控溅射装置和磁控溅射方法
93 磁控溅射装置及磁控溅射方法
94 磁控溅射腔室及磁控溅射设备
97 磁控溅射设备及磁控溅射沉积方法
98 磁控溅射机磁控溅射入口密封法兰
99 一种磁控溅射装置及磁控溅射方法
100 磁控溅射装置及磁控溅射方法
101 磁控溅射设备及磁控溅射方法
102 一种磁控溅射源及磁控溅射设备
103 磁控溅射镀膜机的磁控溅射靶
104 磁控溅射设备及磁控溅射沉积方法
105 磁控溅射方法以及磁控溅射装置
106 一种磁控溅射装置及磁控溅射方法
109 磁控溅射装置及磁控溅射方法
110 磁控溅射设备及磁控溅射方法
111 一种磁控溅射源及磁控溅射设备
112 一种磁控溅射源及磁控溅射设备
113 磁控溅射装置及磁控溅射方法
114 磁控溅射腔室及磁控溅射设备
115 磁控溅射机磁控溅射入口密封法兰
116 一种磁控溅射设备及磁控溅射系统
117 磁控溅射装置及磁控溅射方法
118 一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
121 磁控溅射装置和磁控溅射方法
122 磁控溅射镀膜机的磁控溅射靶
123 磁控溅射源及磁控溅射设备
124 磁控溅射方法以及磁控溅射装置
125 一种磁控溅射设备及磁控溅射方法
126 磁控溅射靶材和磁控溅射装置
127 磁控溅射装置及磁控溅射方法
128 磁控溅射装置以及磁控溅射方法
129 磁控溅射装置、设备及磁控溅射方法
130 一种磁控溅射台以及磁控溅射装置
133 磁控溅射装置及磁控溅射方法
134 磁控溅射腔室及磁控溅射设备
135 磁控溅射装置以及磁控溅射方法
136 磁控溅射源及磁控溅射设备
137 一种磁控溅射源及磁控溅射设备
138 磁控溅射源、磁控溅射装置及其方法
139 磁控溅射装置和磁控溅射方法
140 磁控溅射靶座及具有该磁控溅射靶座的磁控溅射装置
141 磁控溅射装置、磁控溅射设备及磁控溅射的方法
142 磁控溅射靶及采用该磁控溅射靶的磁控溅射装置
