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1、一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法，包括如下步骤：在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄膜作为缓冲层；在真空室中原位磁控溅射氮化铌薄膜。本套资料在高阻硅衬底上，通过磁控溅射六氮五铌薄...
2、一种利用缓冲层优化硅衬底上氮化铌薄膜超导性能的方法
[简介]： 本套资料制备一种硅基氮化铌薄膜超导材料，包括Si基底、TiN过渡层，以及NbN层。由于直接在Si基片上生长NbN薄膜有较大的晶格失配度，会导致NbN薄膜中存在一定厚度非超导的界面畸变层，严重降低NbN的超导性能。而TiN和NbN同属面心...
3、一种硅基氮化铌薄膜超导材料及其制作方法
[简介]： 本套资料涉及一种添加单质硅并氮化烧成的刚玉质预制件及其制备方法。其是以刚玉、单质硅、氧化铝微粉和结合剂为基本原料，加入分散剂，采用搅拌机将各种原料和分散剂干混至均匀，物料混匀后加入水搅拌均匀，注入模具中成型为预...
4、一种添加单质硅并氮化烧成的刚玉质预制件及其制备方法
[简介]： 本套资料涉及一种添加单质硅并氮化烧成的高铝预制件及其制备方法。其是以高铝矾土、单质硅和结合剂为基本原料，加入分散剂，采用搅拌机将各种原料和分散剂干混至均匀，物料混匀后加入水搅拌均匀，注入模具中成型为预制件，将脱...
5、一种添加单质硅并氮化烧成的高铝预制件及其制备方法
[简介]： 本套资料涉及半导体材料中氧化锌外延薄膜制备技术领域，主要内容为一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料，该材料包括：一硅单晶衬底，用于支撑整个硅基可协变衬底材料；一薄氮化铪可协变层，该薄氮化铪可协变层制备在硅单...
6、一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料
[简介]： 本套资料主要内容为一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法，采用液相沉积的方法在坩埚内壁的易粘埚区域制得氮化硅涂层后，对该区域氮化硅涂层进行致密化和非浸润性处理，并采用液相沉积的方法在坩埚内壁的其它区域制得氮化...
7、一种晶体硅铸锭用坩埚氮化硅涂层的制作方法
[简介]：本技术主要内容为一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜，属于半导体晶体硅及太阳能电池制造技术领域，本实用新型包括淀积在硅基衬底上的至少三层氮化硅薄膜，所述各层氮化硅薄膜的折射率从下至上呈依次减小，且各层氮化...
8、一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜
[简介]： 本套资料主要内容为一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法，属于半导体晶体硅及太阳能电池制造技术领域，本套资料包括淀积在硅基衬底上的至少三层氮化硅薄膜，所述各层氮化硅薄膜的折射率从下至上呈依次减小，且各层...
9、一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法
[简介]： 本套资料提供了一种提高氮化硅铁中氮收得率的方法，基于“铁水预处理→转炉吹炼→RH真空处理→连铸”的炼钢流程，在转炉出钢完毕或精炼处理前喂入氮化硅铁包芯线，同时使用氮气或氩气搅拌钢水；喂氮化硅铁包芯线时的钢水条件为氧...
10、一种提高氮化硅铁中氮收得率的方法
[简介]：本技术主要内容为一种硅铁氮化合金炉，包括密封箱体和设置在密封箱体上的加热机构，所述密封箱体内设置轨道，所述轨道上设置料车，所述料车上设置与料车活动连接的动力机构，所述密封箱体的侧壁上自内向外依次设置密封层、耐...
11、硅铁氮化合金炉
[简介]： 一种基于氮化处理的钛-钢复合板的多晶硅还原炉，包括炉体，所述炉体外筒采用碳钢，炉体内筒为316L钢，内筒会粘附硅粉及氧化，其区别于传统多晶硅还原炉的显著特征在于，运用氮化处理的钛-钢复合板代替内筒316L钢。本实用新型...
12、一种基于氮化处理的钛-钢复合板的多晶硅还原炉
[简介]： 本套资料公开一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8～12nm，折射率为2.3～2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18～24nm，折射率为2.0～2.1，第三层...
13、一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片，包括硅衬底层，以及设置在硅衬底层上的顶层氮化物器件层，所述硅衬底层具有一个贯穿至所述顶层氮化物器件层下表面的...
14、基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法
[简介]： 本套资料主要内容为属于陶瓷技术和二次资源综合利用技术领域的一种晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法。本套资料利用金刚石线切割晶硅的废弃物中的高纯Si粉和多丝线切割晶硅废料中易收集的SiC微粉，混合氮化反应常压...
15、晶硅切割废弃料制备氮化硅复合碳化硅陶瓷的方法
[简介]： 一种大型水泥窑用矾土-氮化硅铁复合耐磨砖及其制备方法，属于耐火材料领域。其特征是以特级矾土熟料和碳化硅、氮化硅铁为主要原料，原料质量百分比为：≤5mmAl2O3≥85％的特级矾土65-80％、≤1.5mmSiC≥90％的碳化硅5-15％、≤0.088...
16、一种大型水泥窑用矾土-氮化硅铁复合耐磨砖及其制造方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种球形硅基氮化合物荧光材料的合成方法。该方法的步骤如下：碱土金属和稀土金属的氨化溶解；氨化金属同球形非晶Si3+xN4-x均匀混合；将均混反应物装入经氮气吹扫的合成炉中，得到合成产物；将处理后的产物以10...
17、一种球形硅基氮化合物荧光材料的合成方法
[简介]：本技术主要内容为一种广泛用于加热生活及洗浴用水及工业用水使用的硅导氮化硅速热式热水器。所述的氮化硅加热体5用法兰盘4固定装置在上内胆2和下内胆3内，且装置在外胆1内部。由于本实用新型采用纳米级氮化硅陶...
18、硅导氮化硅速热式热水器
[简介]： 本套资料提供了一种硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法。该硅衬底上氮化物高压器件通过在漏极区域引入高电压耐受层，局部增加外延层的厚度来承担较高的压降，从而实现可以耐高击穿电压的器件。通过这种局部生长方法，不仅可...
19、硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法
[简介]： 一种电路结构包括：衬底；未掺杂氮化铝的成核层；包含铝、镓、氮、硅和氧之一、和p型导电性掺杂剂的梯度缓冲层；包含镓、氮、硅和氧之一、和不包括铝的p型导电性掺杂剂的非梯度缓冲层；以及位于非梯度缓冲层上方的未掺杂氮化镓的块...
20、硅衬底上的III族氮化物的衬底击穿电压改进方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种在制造晶体硅太阳能电池的过程中，在硅片表面同时形成PN结和氮化硅减反射膜的方法，该方法中，硅片制绒清洗后用低压化学气相沉积方法在硅片表面沉积一层含0.1％～5％掺杂元素的氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜沉积...
21、一种硅氧氮化物荧光粉的制备方法
22、一种硅氧氮化物荧光粉的制备方法
23、硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法
24、一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺
25、硅导氮化硅暖风热水器
26、一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法
27、一种荧光增强的硅氧氮化物发光材料及其制备方法
28、氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池
29、氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池
30、永久性硅氧化物氮化物硅氮化物氧化物硅存储器
31、新型半石墨化碳氮化硅砖及其制造方法
32、纳米复合钛硅氮化物刀具涂层及其制备方法
33、程控式可控硅降压变压器低压大电流氮化炉供电装置
34、硅102衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
35、硅衬底上生长的非极性A面氮化物薄膜及其制法和用途
36、一种氮化硅增韧陶瓷球轴承滚动体的生产工艺
37、一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法
38、氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法
39、一种氮化硼-硅橡胶复合材料的制备方法
40、一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法
41、一种氮化硅涂层医用镁合金材料及制备方法
42、一种氮化硅涂层医用镁合金材料及制备方法
43、一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法
44、提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法
45、一种超短脉冲激光烧蚀氮化硅的模拟计算方法
46、一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法
47、氮化硅复合发热体及其制作方法
48、一种碳化锆-碳化硅-氮化硅超高温陶瓷复合材料及其制备方法
49、一种双层氮化硅减反膜的制作方法
50、一种氮化硅增韧陶瓷的制备方法
51、一种氮化硅钒及其生产方法
52、一种氮化硅电热元件
53、一种氮化硅材质微粒捕集器的制备方法
54、氮化硅膜制备装置
55、氮化硅膜制备装置
56、一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法
57、一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法
58、一种含氮化硅铁的免烘烤铁沟捣打料
59、氮化硅膜的形成方法
60、硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长
61、一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法
62、一种亚微米级单相氮化硅粉体的合成方法
63、一种氮化硅铁粉的制备方法
64、一种基于软质磨料固着磨具的氮化硅陶瓷球研磨方法
65、氮化硅溶液自动搅拌装置
66、一种多孔陶瓷表面氮化硅基涂层的制备方法
67、深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法
68、一种在瓦楞辊表面注渗氮化硅特种陶瓷的方法
69、一种高纯度氮化硅粉体的制备方法
70、一种用于太阳能电池的双层氮化硅减反射膜及其制备方法
71、一种碳酸氢铵发泡法制备多孔氮化硅陶瓷的方法
72、硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
73、一种增强氮化硅薄膜张应力的方法
74、防结垢氮化硅陶瓷电热板及制作方法
75、一种防结垢氮化硅陶瓷电热板
76、一种在半导体器件中提高氮化硅薄膜拉应力的方法
77、双层氮化硅减反射膜制备方法
78、一种多孔氮化硅复合陶瓷的制备方法
79、一种氮化硅增韧陶瓷球的制备方法
80、一种氮化硅陶瓷球轴承滚动体的生产工艺
81、一种氮化硅陶瓷球的研磨方法
82、一种氮化硅陶瓷球的研磨方法
83、一种氮化铝碳化硅钛酸铝多孔陶瓷及其制备方法
84、埋入式二次氮化硅衬垫的浅槽隔离结构的制备方法
85、一种高温宽频梯度多孔氮化硅天线罩结构
86、一种高温宽频对称梯度多孔氮化硅天线罩结构
87、提高刻蚀硬掩膜氧化层和氮化硅层刻蚀选择比的方法
88、一种氮化硅喷*
89、一种轻质高强氮化硅结合碳化硅耐火材料及其制备方法
90、一种氮化硅电热元件及其制造方法
91、一种氮化硅陶瓷内衬弯头
92、一种高含量氮化硅粉末的生产方法
93、一种高含量α晶形氮化硅粉末的生产方法
94、氮化硅质基板、及使用其的电路基板以及电子装置
95、一种调整氮化硅折射率的方法
96、SONOS器件的氮化硅陷阱层橄榄形能带间隙结构及制造方法
97、镀氮化硅减反射膜的方法
98、一种具有氮化硼结构表层的碳化硅纤维的制备方法
99、氮化硅球磨机
100、一种大型水泥窑用棕刚玉-氮化硅复合耐磨砖及其制造方法
101、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
102、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
103、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
104、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
105、落地式氮化硅智能电锅炉
106、落地式氮化硅智能电锅炉
107、壁挂式氮化硅智能电锅炉
108、氮化硅智能电锅炉
109、抗软化氮化硅梯度掺杂石英坩埚制备方法
110、表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法
111、一种烧成氮化硅结合氧化镁-碳质耐火材料及其制备方法
112、氮化硼纳米管增强的二氧化硅陶瓷的制备方法
113、一种氮化硅烧成炉
114、一种氮化硅烧成炉
115、氮化硅坩埚涂层及其制备方法
116、具有薄氮化硅层的金刚石SOI
117、在锦纶织物表面制备纳米氮化硅复合镍磷镀层的方法
118、一种制备β-氮化硅粉体的方法
119、多孔氮化硅陶瓷及其制备方法
120、一种内嵌陶瓷纤维的氮化硅结合碳化硅陶瓷升液管
121、热加工用氮化硅基金属陶瓷模具材料及其制备方法与应用
122、热加工用氮化硅基金属陶瓷模具材料及其制备方法与应用
123、提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
124、多晶硅太阳能电池铸锭用氮化硅坩埚
125、采用含钛有机金属材料的化学汽相淀积含硅氮化钛的工艺
126、硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
127、太阳能电池用氮化硅坩埚
128、制造太阳能电池可用的氮化硅钝化层的方法
129、用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
130、氮化硅陶瓷球轴承及其加工方法
131、氮化硅陶瓷球轴承
132、一种氮化硅烧结体添加剂
133、一种采用氮化硅Si3N4和掺磷氧化硅PSG复合薄膜隔离技术的IGBT功率器件及其制造工艺
134、改进的氮化硅非易失存储器及其实现方法
135、一种制备氮化硅结合碳化硅复合陶瓷的胶态成型工艺方法
136、一种多晶硅还原炉用氮化硅陶瓷环的制备方法
137、氮化硅陶瓷对辊机
138、提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法
139、氮化硅基纳米复合梯度功能陶瓷刀具材料及其制备方法
140、双层氮化硅减反射膜及其制备方法
141、一种氮化硅发热体及其制造方法
142、一种氮化硅发热体及其制造方法
143、氮化硅氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法
144、一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法
145、多孔氮化硅-二氧化硅透波材料的制备方法
146、氮化硅结合碳化硅侧块砖
147、氮化硅薄膜及MIM电容的形成方法
148、氮化硼纳米管增强的氮化硅陶瓷及其制备方法
149、水泥窑预热器用复合氮化物结合碳化硅挂板及烧制方法
150、自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法
151、去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法
152、活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
153、氮化硅加热式热水器
154、设有环形应力缝的自结合碳化硅、氮化硅结合碳化硅棚板
155、高强度氮化硅结合碳化硅材料及其制备方法
156、氮化硅薄膜溅射源装置
157、一种高可靠性大尺寸氮化硅陶瓷材料的制备方法
158、用于连接氮化硅陶瓷的组合物及方法
159、氮化铝硼硅酸盐玻璃低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法
160、一种氮化硅陶瓷的制备方法及由该方法制备的氮化硅陶瓷
161、氮化硅湿法腐蚀方法
162、氮化硅湿法腐蚀方法
163、一种多层金属-氮化硅-金属电容的制作方法
164、一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法
165、一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法
166、一种多层金属-氮化硅-金属电容及其制作方法
167、一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法
168、一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法
169、以聚四氟乙烯为添加剂燃烧合成氮化硅粉体的方法
170、一种氮化硅复合陶瓷发热体
171、氮化硅与碳化硅制造热镀锌槽的方法
172、荧光氮化硅基纳米线及其制备方法
173、流化床直接制取氮化硅的装置
174、流化床直接制取氮化硅的装置及其方法
175、一种热等静压氮化硅全陶瓷电主轴及其制造方法
176、氮化硅陶瓷发热体
177、可减小金属前介质层中空洞形成概率的氮化硅制作方法
178、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
179、增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
180、一种氮化硅彩虹玻璃及其制备方法
181、氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法
