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1、形成陶瓷氧化硅类涂层的方法生产无机基材的方法形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂和半导体器件
[简介]： 通过在无机基材表面上涂布有机基氢硅氧烷氢硅氧烷共聚物，并通过在惰性气体或含氧气的惰性气体氧气小于20体积％内加热到高温，将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层，形成陶瓷氧化硅类涂层的方法和生产具有这一涂层的无机基...
2、形成陶瓷氧化硅类涂层的方法生产无机基材的方法形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂和半导体器件
[简介]： 为了形成由0.5％稀氢氟酸溶液蚀刻的蚀刻速率为0.11nm秒以下的致密且绝缘性优良的高品质氧化硅膜SiO2膜、SiON膜，使用等离子体CVD装置，经由具有多个孔的平面天线向处理容器内导入微波并生成等离子体，将处理容器内的压力...
3、氧化硅膜、氧化硅膜的形成方法及等离子体CVD装置
[简介]： 将硅化合物气体、氧化气体、以及稀有气体供应至等离子体处理设备1的腔2内。将微波供应至腔2内，并利用由微波产生的等离子体在目标衬底上形成氧化硅膜。稀有气体的分压比率是硅化合物气体、氧化气体和稀有气体的总气体...
4、氧化硅膜的形成方法、氧化硅膜、半导体器件、以及半导体器件的制造方法
[简介]： 本套资料提供一种碳氮氧化硅膜的形成方法，其是在基底之上形成碳氮氧化硅膜的碳氮氧化硅膜的形成方法，在基底之上层叠碳氮化硅膜和氮氧化硅膜来形成碳氮氧化硅膜。
5、碳氮氧化硅膜的形成方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种RFLDMOS中形成厚氧化硅隔离层的制造方法，在P型硅衬底上生长P型外延，并在其上生长ON叠层，光刻和干刻ON叠层形成场氧开口，在硅层中刻蚀形成凹进；淀积氧化硅层并进行光刻和干刻，间隔打开氧化硅层并刻蚀深...
6、RFLDMOS中形成厚氧化硅隔离层的制造方法
[简介]： 一种去除缺陷膜层的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次包含有第一膜层和缺陷第二膜层；用蚀刻第二膜层的速率大于蚀刻第一膜层的速率的溶液去除缺陷第二膜层。本套资料还提供一种形成氧化硅-氮化硅-氧...
7、去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法
[简介]： 本套资料提供一种局部氧化硅隔离的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层及阻挡层；形成贯穿所述垫氧化层和所述阻挡层、并延伸至所述半导体衬底内的沟槽；在所述沟槽的底面和侧壁上形成缓冲层；...
8、局部氧化硅隔离的形成方法
[简介]： 本套资料提供向钨膜或者氧化钨膜上形成氧化硅膜的成膜方法。其包括以下工序：在被处理体上形成钨膜或者氧化钨膜的工序步骤1；在钨膜或者氧化钨膜上形成晶种层的工序步骤2；在晶种层上形成氧化硅膜的工序步骤3，通过加热...
9、向钨膜或者氧化钨膜上形成氧化硅膜的成膜方法
[简介]： 本套资料提供了一种去除衬底表面自然氧化硅层的方法，所述方法包括：用含有氟化氢和氨气的刻蚀气体对表面上形成有自然氧化硅层的衬底进行气相刻蚀，以使所述刻蚀气体与所述自然氧化硅层发生反应；和使用含氘气的气体对所述衬...
10、去除自然氧化硅层和形成自对准硅化物的方法
[简介]： 本套资料提供一种不含氢及游离氟，从而膜特性良好的绝缘性膜。本套资料的氮氧化硅膜包含硅、氮、氧及氟而成，氮N、氧O及氟F的合计N+O+F相对于硅Si的元素比率N+O+FSi处于1.93～1.48的范围内，且该膜中的硅的元素比率处于0.34～...
11、氮氧化硅膜及其形成方法以及半导体器件
[简介]： 本套资料主要内容为一种形成氮氧化硅层的方法，所述氮氧化硅层采用原子层沉积ALD方法形成，该方法包括以下步骤：A、向沉积反应腔内的硅衬底表面通入四氯化硅SiCl4气体，在所述硅衬底表面沉积一层SiCl4层后，抽掉所述沉积反应腔内残...
12、形成氮氧化硅层的方法
[简介]： 揭示了一种形成氧化硅层的方法。该方法可包含下列步骤：混合一种无碳的含硅与氮前驱物及*基前驱物，并沉积一种含硅与氮层于基材上。接着将含硅与氮层转变为氧化硅层。
13、使用非碳可流动CVD处理形成氧化硅
[简介]： 本套资料提供在具有至少75体积％的氦的蚀刻环境下蚀刻到含氧化硅材料中的方法。所述蚀刻环境还可包括一氧化碳、O2以及一种或一种以上碳氟化合物。可利用形成于所述含氧化硅材料中的开口来制造容器电容器，且可将这些电容器并...
14、蚀刻到含氧化硅材料中的方法、形成容器电容器的方法和形成动态随机存取存储器（DRAM）阵列的方法
[简介]： 一种非晶硅氧化硅叠层结构的形成方法，包括：使用化学气相沉积形成氧化硅层，反应物为氯代硅烷和氧*基。本套资料降低了非晶硅层形成过程的反应温度，避免了反应过程中反复的升温和降温过程，降低了时间消耗，提高了产能。
15、非晶硅氧化硅叠层结构的形成方法
[简介]： 一种掺氟的氧化硅薄膜的形成方法，包括：提供化学气相沉积设备，对化学气相沉积设备的反应腔室执行清洁步骤；在所述反应腔室表面形成覆盖层，所述覆盖层在腔室不同的位置厚度不同，所述覆盖层的厚度与氟离子在反应腔室不同的...
16、掺氟的氧化硅薄膜的形成方法
[简介]： 一种用于抑制氧化硅和硅酸盐化合物在水体系中形成和沉积的方法，包括向所述水体系的水中加入有效抑制量的一种或多种通式所示的水溶性聚合物，其中，M为包括可聚合的碳碳双键的一种或多种单体聚合后得到的重复单元；r为0至...
17、用于抑制氧化硅垢在水体系中形成和沉积的方法
[简介]： 本套资料主要内容为一种氧化硅薄膜的形成方法，包括步骤：提供衬底；将所述衬底放入薄膜沉积室内；对所述沉积室进行抽真空操作；对所述沉积室进行加热操作；向所述沉积室通入硅烷及含氧气体，且所述硅烷及含氧气体的流量比在1∶800至...
18、氧化硅薄膜及金属-绝缘体-金属型电容的形成方法
[简介]： 一种在基板上沉积氧化硅层的方法，包括提供基板至沉积室。第一含硅前驱物、第二含硅前驱物与氨气NH3等离子体反应以形成氧化硅层。第一含硅前驱物包括Si-H和Si-Si键的至少其中之一。第二含硅前驱物包括至少一Si-N键。沉积的...
19、在基板上形成氧化硅层的方法
[简介]： 本套资料提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有氯硅烷类气体的第一处理气体、含有氧化气体的第二处理气体和含有氮化气体的第三处理气体的处理区域内，利用CVD在被处理基板上形成氮氧化硅膜。该成膜方法具有相互交替的第...
20、氮氧化硅膜的形成方法、形成装置以及程序
[简介]： 本套资料揭示了一种氮氧化硅栅极电介质的形成方法，在位于由多晶硅栅极构成的栅极和硅基材之间的二氧化硅层中形成氮氧化物结构，该方法包括：在二氧化硅层中接近二氧化硅和硅基材的界面的位置形成基氮氧化层，该基氮氧化层具...
21、去除硅衬底表面氧化硅层及形成接触孔的方法
22、去除硅衬底表面氧化硅层及形成接触孔的方法
23、以多退火步骤形成氮氧化硅栅极介电层的方法
24、形成含氧化硅的薄膜的方法
25、氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质
26、形成在氧化硅上的纳米点及其制造方法
27、旋涂玻璃组合物和在半导体制造工序中使用该旋涂玻璃形成氧化硅层的方法
28、形成氮氧化硅的方法
29、在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法
30、低温二氧化硅薄膜的形成方法
31、低温二氧化硅薄膜的形成方法
32、低温二氧化硅薄膜的形成方法
33、低温二氧化硅薄膜的形成方法
34、一种厚度均匀二氧化硅侧墙的形成方法
35、一种形成厚度均匀二氧化硅侧墙的方法
36、二氧化硅和碱金属盐组合物、从所述组合物形成的洗涤剂及形成所述组合物的方法
37、一种超低介电常数薄膜生长中形成渐进二氧化硅层的方法
38、旋涂玻璃组合物及其在半导体生产中形成氧化硅层的方法
39、放射线敏感性组合物、二氧化硅系覆膜的形成方法、二氧化硅系覆膜、具有二氧化硅系覆膜的装置和部件以及绝缘膜用感光剂
40、感光性树脂组合物、二氧化硅系覆膜的形成方法以及具有二氧化硅系覆膜的装置和部件
41、基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法
42、基于硅烷的二氧化硅膜形成方法以及半导体器件制造方法
43、其表面形成有二氧化硅颜料的基材的制造方法
44、多孔质二氧化硅前体组合物及其制备方法、多孔质二氧化硅膜及其形成方法、半导体元件、图像显示装置及液晶显示装置
45、有机硅化合物和用于形成二氧化硅基微粒的材料
46、包括预混合布洛芬和二氧化硅的形成片剂的方法
47、浅沟渠隔离的二氧化硅高品质介电膜的形成：于高纵深比填沟工艺Ⅱ（HARPⅡ）使用不同的硅氧烷前体—远端等离子辅助沉积工艺
48、低折射率二氧化硅类涂膜形成用组合物
49、着色二氧化硅类涂膜形成用组合物
50、中空二氧化硅微粒、含有该微粒的透明涂膜形成用组合物、及覆有透明涂膜的基材
51、改进的包含硅烷化的二氧化硅的加工组合物及其形成方法
52、形成含掺杂磷的二氧化硅的层的方法和在制造集成电路中形成沟槽隔离的方法
53、二氧化硅系被膜形成用组合物
54、含二氧化硅的层状结构和用于形成多孔二氧化硅层的涂料组合物
55、二氧化硅膜、该膜的形成材料和相关产品、及其制造方法
56、低介电常数无定形二氧化硅类被膜的形成方法及由该方法得到的低介电常数无定形二氧化硅类被膜
57、二氧化硅系被膜形成用涂布液
58、二氧化硅系被膜形成用涂布液
59、二氧化硅类微粒、其制备方法、涂膜形成用涂料及覆有涂膜的基材
60、有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物
61、有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物
62、有机二氧化硅系膜及形成法、布线结构体、半导体装置及膜形成用组合物
63、形成有二氧化硅系膜的物品及其制造方法
64、二氧化硅涂膜形成用组合物、二氧化硅涂膜及其制造方法、电子部件
65、二氧化硅涂膜形成用组合物、二氧化硅涂膜及其制造方法、以及电子部件
66、二氧化硅涂膜形成用组合物、二氧化硅涂膜及其制造方法、以及电子部件
67、二氧化硅涂膜形成用组合物、二氧化硅涂膜及其制造方法、以及电子部件
68、改质介孔二氧化硅粉体、生成低介电环氧树脂与低介电聚亚酰胺树脂的前驱溶液、低介电常数基板及其形成方法
69、由使用纳米结构的中孔二氧化硅包囊的疫苗抗原形成的免疫原性复合物
70、形成含二氧化硅的层的原子层沉积方法
71、透明二氧化硅覆膜形成用涂覆溶液及透明二氧化硅覆膜的制造方法
72、二氧化硅类微粒的制备方法、涂膜形成用涂料及覆有涂膜的基材
73、多孔质二氧化硅形成用涂布液
74、低介电常数无定形二氧化硅类被膜形成用涂布液及该涂布液的配制方法
75、由沉淀二氧化硅和磷酸盐形成的化合物以及其作为营养性液体载体和作为营养性防结块剂的用途
76、采用原子层沉积工艺在基片上形成二氧化硅层的方法
77、相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂其使用方法和形成的结构
78、可分散的、高结构沉淀二氧化硅作为牙膏组合物中的增稠剂或组织形成剂的应用
79、二氧化硅在可通过缩聚交联形成弹性体的硅氧烷基物中的悬浮液的制备方法
80、介电常数降低的改进二氧化硅绝缘膜及其形成方法
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