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切割芯片,切割芯片工艺技术及生产制造方法

切割芯片,切割芯片资料封面
请记住资料编号:GY10001-77378    资料价格:198元
1、光学芯片切割夹具、芯片切割装置以及光学芯片切割方法
        [简介]: 本套资料提供一种光学芯片切割夹具,可以使得一次切割多片芯片,并且切割后的芯片成品率更高。该光学芯片切割夹具包括夹具基座和夹具上盖;所述夹具基座上设有固定螺栓和至少两个立柱以及至少两个基座镂空轨迹,该基座镂空轨...
2、光学芯片切割夹具、芯片切割装置以及光学芯片切割方法
        [简介]: 一种切割半导体晶片的方法,包括:在该晶片的背面主表面中切割基准槽;在该背面主表面中切割背槽,该背槽相对该基准槽定位;确定所需的芯片边缘相对该基准槽的位置;以及在某个路径中施加辐射能量,从而在该晶片内沿该路径形...
3、切割半导体晶片的方法、从半导体晶片切割的芯片以及从半导体晶片切割的芯片的阵列
        [简介]: 本套资料主要内容为切割芯片粘合膜、用于切割芯片粘合膜的组合物和半导体装置,且所述切割芯片粘合膜包括邻接基膜的第一表面A和邻接半导体晶片的第二表面B,其中所述第二表面具有高于所述第一表面的剥离强度,并具有0.2N25...
4、切割芯片粘合膜、切割芯片粘合膜用组合物和半导体装置
        [简介]: 本套资料的目的在于提供切割芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法。所述切割芯片接合薄膜可以在保持切割时的保持力的同时提高拾取时的剥离性,并且可以抑制切割芯片接合薄膜从切割环上剥...
5、切割芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜的制造方法以及半导体装置的制造方法
        [简介]: 本套资料涉及芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置。本套资料的课题在于提供可以在不降低生产率的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。一种芯片接合薄膜,其具有胶粘...
6、芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种基于侧壁腐蚀的LED芯片切割方法,LED晶圆经过正面激光划片、侧壁腐蚀后,按照正常的LED芯片制造流程完成芯片制造;晶圆减薄、背镀后进行背面激光*切割,控制*切割线位置使其与正面划片线错开;裂片时在...
7、LED芯片切割方法及其制备的LED芯片
        [简介]: 本套资料涉及芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置。本套资料提供即使在高温下长时间暴露也可以减少芯片接合薄膜与被粘物的边界处空隙的产生的芯片接合薄膜。一种芯片接合薄膜,其特征在于,含有含腈基热固性丙烯酸类共...
8、芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置
        [简介]: 本套资料的目的在于,抑制半导体晶片W的切割工序中粘接剂层2的周边部E从粘合剂层3b剥离。本套资料的切割-芯片焊接一体型膜具备:基材膜3a、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环R的压敏型的粘合剂层、和形成...
9、切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法
        [简介]: 本套资料提供通过拉伸张力芯片接合薄膜恰当地断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜,用于以下方法:对半导体晶片照射激光形成改性区域后,通过用改性区域将半导体晶片断裂而由半导体晶片得到半导体元件的方法;...
10、热固型芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法
        [简介]: 一种提高LED芯片出光的芯片切割方法。先在芯片正面用激光划出划痕,再用金刚石锯片刀沿划痕锯片,所述锯片刀是左右对称的等腰倒三角形,刀侧面与水平线的夹角为30°-60°,调节锯片刀刀高使得外延层刚好被锯透,将锯片完毕的...
11、一种提高LED芯片出光的芯片切割方法
        [简介]: 本套资料提供一种固化后的固化物的粘接性优异的固化性组合物。本套资料的固化性组合物含有:环氧树脂、环氧树脂用固化剂、重均分子量为10万以上、40万以下,且玻璃化转变温度在60℃以上的第1含环氧基丙烯酸树脂、重均分子量为1万以...
12、固化性组合物、切割和芯片接合带、连接结构体及带有粘合剂层的半导体芯片的制造方法
        [简介]: 本套资料提供用于在通过焊线与被粘物电连接的半导体元件上胶粘另一个半导体元件的芯片接合薄膜,其可以防止所述焊线的变形或断裂,可以搭载另一个半导体元件,由此可以提高半导体装置的制造成品率,本套资料还提供切割芯片接...
13、芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置
        [简介]: 本套资料提供芯片接合薄膜适合通过拉伸张力而断裂的热固型芯片接合薄膜。一种热固型芯片接合薄膜,用于将半导体芯片固着到被粘物上,至少具有胶粘剂层,其中,在热固化前室温下单位面积的断裂能为1Jmm2以下,并且断裂伸长率为...
14、热固型芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜及半导体装置
        [简介]: 本套资料主要内容为一种平面光波导分路器芯片切割工艺,涉及一种芯片切割工艺,其步骤包括下料、晶圆和盖板切割、BAR切割、研磨和CHIP切割,下料后将晶圆顶面与盖板粘结,底面粘在UV膜上,然后进行晶圆、盖板和UV膜的整体切割,切割完...
15、平面光波导分路器芯片切割工艺
        [简介]:本技术实施例主要内容为一种切割芯片测试装置,在现有的芯片测试工位机台上的中心夹具底部安装一个手动或者电动驱动轴承,使的芯片安装夹具可以在工位的中心部位前后形成约10-15CM的范围内前后精密移动,再将芯片切割好条...
16、切割芯片测试装置
        [简介]: 提供一种切割薄膜与芯片接合薄膜之间的成分迁移受到抑制、并且切割时的半导体晶圆保持力和拾取时的剥离性优异的切割芯片接合薄膜。本套资料的切割芯片接合薄膜具备第一粘合剂层和第二粘合剂层,该第一粘合剂层包含聚烯烃...
17、切割芯片接合薄膜
        [简介]: 本套资料涉及晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法。一种晶片切割方法包括:在晶片的第一表面上形成半导体器件;对所述晶片的一部分和所述半导体器件进行第一切割;及通过对已进行第一切割的所述晶片进行第二切割...
18、晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法
        [简介]: 本套资料主要内容为一种*空间光隔离器芯片体的切割方法,所述*空间光隔离器芯片体包括作为光的入射面的第一平面,与第一平面垂直的第二平面,其特征在于,包括以下步骤:A、用刀片沿平行于第二平面的方向切割芯片体,将芯片体...
19、*空间光隔离器芯片体的切割方法
        [简介]: 提供导热系数高且散热特性优异、粘合性良好且耐湿试验后的可靠性优异的导热性粘合剂组合物、使用该组合物的粘合用片材以及导热性切割芯片贴膜。导热性粘合剂组合物,其含有:A聚合物骨架中具有能与环氧树脂反应的官能团的...
20、导热性粘合剂组合物、使用该组合物的粘合用片材以及导热性切割芯片贴膜
        [简介]: 本套资料提供一种深刻蚀切割发光二极管芯片的方法,先于半导体衬底表面形成包括多个发光单元的发光原件;然后制作在各该发光单元的交接处形成刻蚀窗口的保护层;从各该刻蚀窗口进行刻蚀形成裂片走道;接着于各该裂片走道内填...
21、一种切割后集成光子芯片直接耦合装置
22、一种切割后集成光子芯片直接耦合装置
23、切割芯片接合薄膜
24、GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法
25、一种四元系LED芯片及其切割方法
26、一种支持从晶圆背面实施切割的芯片封装方法
27、一种*切割LED芯片及其制作方法
28、半导体芯片BGA封装体锯式切割用薄型金属基金刚石切割片及其制造方法
29、一种芯片切割方法
30、一种用于PLC芯片切割用观测系统的照明结构
31、光学透明粘结剂、切割芯片接合膜和半导体器件
32、切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置
33、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法
34、切割芯片接合薄膜
35、切割芯片贴膜和切割方法
36、芯片切割无端皮带
37、将用于制备传感器芯片的晶圆切割成晶粒的方法
38、基于沟槽MOSFET的二极管的芯片切割保护环及其制作方法
39、切割和芯片接合用带以及半导体芯片的制造方法
40、切割芯片接合薄膜
41、蓝宝石衬底LED芯片的切割方法
42、蓝宝石衬底LED芯片的切割方法
43、蓝宝石衬底LED芯片的切割方法
44、一种LED芯片的切割方法
45、一种晶圆表面切割芯片的表面缺陷检测方法
46、切割分离发光二极管晶片形成发光二极管芯片的方法
47、芯片切割无接头皮带
48、一种提高芯片成品率的多项目晶圆切割方法
49、用于在玻璃基板上的芯片等级封装的镭射切割的方法
50、一种改进芯片切割的方法
51、切割芯片接合薄膜
52、切割芯片接合薄膜
53、切割芯片接合薄膜
54、切割芯片接合薄膜
55、用于切割大幅面MicroPhone芯片的紫外激光设备
56、用于切割大功率LED芯片用铜基板的紫外激光设备
57、一种新型用于切割大幅面MicroPhone芯片的紫外激光设备
58、一种新型用于切割大功率LED芯片用铜基板的紫外激光设备
59、切割芯片焊接膜
60、切割芯片接合薄膜
61、切割芯片接合薄膜
62、切割芯片接合薄膜
63、切割芯片接合薄膜
64、切割芯片接合薄膜
65、切割芯片接合薄膜
66、粘性膜以及采用该膜的切割芯片结合膜和半导体器件
67、切割芯片接合薄膜
68、具有弯曲切割形状的阵列波导光栅芯片
69、防止硅基板切割时冷却水进入芯片的方法
70、切割芯片焊接膜
71、倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置
72、晶片切割用胶粘带及使用该胶粘带的芯片的制造方法
73、倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件
74、倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件
75、倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、半导体器件的生产方法和倒装芯片型半导体器件
76、芯片连接区快速切割方法和设备
77、一种振镜式紫外激光切割晶圆芯片装置
78、一种振镜式紫外激光切割晶圆芯片装置及其方法
79、切割·芯片接合兼用粘接片及使用了该粘接片的半导体装置的制造方法
80、切割用芯片粘贴薄膜
81、倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜
82、倒装芯片型半导体背面用膜和半导体背面用切割带集成膜
83、芯片切割·粘接薄膜
84、切割和除粘一阵列芯片封装组件
85、切割芯片焊接薄膜固定碎片工件的方法及半导体器件
86、芯片切割装置
87、一种GaAs基LED芯片的激光切割方法
88、从半导体晶片切割芯片的方法及切割区中设置的槽的结构
89、激光切割薄片以及芯片体的制造方法
90、激光切割薄片以及芯片体的制造方法

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  • 开本:16开
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