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制作晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2019/6/3 星期一

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1、制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器
[简介]: 本发明实施例提供一种制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器,用于提高有机薄膜晶体管的迁移率。该方法包括:形成功能板;所述功能板包括沟道区域;在所述功能板上形成包括微孔区域的绝缘层;所述微孔区域位于所述沟道...

2、制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器
[简介]: 本发明公开了一种制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有高k金属栅晶体管;在所述半导体衬底上形成覆盖所述高k金属栅晶体管的层间介电层;对所述层间介电层进行图案化,以形成仅...

3、制作高k金属栅晶体管的接触孔的方法
[简介]: 揭示一种制作晶体管的方法图3A到3F。所述方法包括在衬底300的面处形成电介质层306以及在所述电介质层上形成栅极312。在所述衬底中在所述栅极附近植入316源极和漏极区310。在所述栅极中植入318非晶区以形成...

4、制作晶体管的方法
[简介]: 本发明是通过以下技术方案实现的:一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构,包括轨道板和盖板,所述盖板固定在所述轨道板的顶部,所述盖板的顶部设置若干个方形通孔,其中所述轨道板上设置轨道槽,所述盖板上设置开口...

5、一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构
[简介]: 本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构,包括轨道板和盖板,所述盖板固定在所述轨道板的顶部,所述盖板的顶部设置若干个方形通孔,其中所述轨道板上设置轨道槽,所述盖板上设置...

6、一种制作集成电路全自动晶体管粘片机的轨道结构
[简介]: 本发明公开了一种制作凹入式信道存储晶体管装置的方法,包括:提供半导体基材,基材上具有凹槽;在凹槽中形成栅极介电层;在凹槽中沉积栅极材料层;在栅极材料层上形成介电盖层;图案化介电盖层和栅极材料层以形成栅极图案;在...

7、制作凹入式信道存储晶体管装置的方法
[简介]: 本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制造方法。本发明先在半导体衬底之上外延生长锗硅外延层,然后再在锗硅外延层上制备隧穿晶体管,所得到的隧穿晶体管具有高的开关电流,而且...

8、一种制作在锗硅外延层上的隧穿晶体管及其制备方法
[简介]: 本发明公开提供一种石墨烯晶体管及其生物传感器的制作与应用方法,该方法价格低廉且避免了石墨烯晶体管表面的化学污染,适合石墨烯晶体管与现有电子器件的集成化制作与规模化生产;针对石墨烯晶体管传感器的选择性较差的...

9、石墨烯晶体管及其生物传感器的制作与应用方法
[简介]: 本发明提供一种PMOS晶体管的制作方法与一种NMOS晶体管的制作方法。上述制作方法采用在源极及漏极区域形成垂直硅衬底表面方向的多个堆叠的sigma形凹槽(至少两个),即阶梯状sigma形凹槽,且在自硅衬底表面向硅衬底内方向上...

10、PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法
[简介]: 本发明涉及可以特别地用在动态随机存取存储器的存储单元中的晶体管。因此,本发明也涉及存储单元以及制造这种晶体管的方法。本发明的晶体管是双翅场效应晶体管。特别地,该晶体管包括第一和第二源漏区,连接第一和第二源漏...

11、晶体管、存储单元以及制作晶体管的方法
[简介]: 各种实施例提供用于制作具有所要IO晶体管阈值电压的双供应电压CMOS装置的方法。可在包含用于逻辑NMOS晶体管、逻辑PMOS晶体管、IONMOS晶体管及IOPMOS晶体管的隔离区的半导体衬底110中制作所述双供应电压CMOS装置。具...

12、具有不同阈值电压的CMOS晶体管制作
[简介]: 本发明公开了一种晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件。该晶体管制作方法可以包括:提供衬底,并且在该衬底上形成第一绝缘层;在该第一绝缘层上定义第一器件区;在该第一绝缘层上围绕该第一器件区形成侧墙隔离...

13、晶体管、晶体管制作方法及包括该晶体管的半导体器件
[简介]: 本发明是关于一种单只晶体管制作的音频信号发生器。该音频信号发生器包括直流电源DC、电源滤波电路、共*极放大电路、*RC移相电路和交流负反馈电路,其特征是:共*极放大电路中接有*RC移相电路,PNP晶体管VT1的发...

14、单只晶体管制作的音频信号发生器
[简介]: 本实用新型是关于一种单只晶体管制作的音频信号发生器。该音频信号发生器包括直流电源DC、电源滤波电路、共*极放大电路、*RC移相电路和交流负反馈电路,其特征是:共*极放大电路中接有*RC移相电路,PNP晶体管VT1...

15、单只晶体管制作的音频信号发生器
[简介]: 提供了一种制作晶体管和半导体器件的方法。制作晶体管的方法可以包括:在半导体衬底上确定有源区,在所述有源区上形成栅叠层或伪栅叠层、源漏延伸区、侧墙和源漏区,所述源漏延伸区嵌于所述有源区中且自对准于所述栅叠层或伪...

16、一种制作晶体管和半导体器件的方法
[简介]: 本发明涉及一种掺杂阱的制作方法,包括:提供衬底,在衬底上形成具有第一图案的光刻胶层;在具有第一图案的光刻胶层和衬底上涂覆交联材料层;对衬底进行烘焙,以便使交联材料层发生交联反应,而在交联材料层的与具有第一图案...

17、制作掺杂阱以及包含该掺杂阱的晶体管的方法
[简介]: 本发明的利用三块掩模板制作垂直双极性晶体管的方法包括以下步骤:在形成CMOS双阱的过程中,对第一导电类型的衬基的双极性晶体管区进行第一导电类型掺杂,形成集电极;在所述衬基的表面上形成多晶硅层,以第二导电类杂质对...

18、利用三块掩模板制作垂直双极性晶体管的方法
[简介]: 一种CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法。所述CMOS晶体管的制作方法包括:提供半导体衬底;在半导体衬底上依次形成栅介质层、第一功函数金属层、第二功函数金属层和多晶硅层,第二功函数金属层的功函数位于NMOS晶体...

19、CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法
[简介]: 一种CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法。所述CMOS晶体管的制作方法包括:提供包括NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的半导体衬底;在半导体衬底上形成栅介质层;在栅介质层上形成功函数金属层,功函数金属层的功函数...

20、CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法
[简介]: 本发明提供了嵌入硅锗的PMOS晶体管与嵌入碳化硅的NMOS晶体管及其制作方法,不但在嵌入硅锗或碳化硅表面形成金属硅化物来降低源极与漏极的电阻,而且在该轻掺杂区也形成了金属硅化物以降低轻杂掺区的电阻,从而减缓由于嵌...

21、PMOS晶体管、NMOS晶体管及其各自的制作方法
[简介]: 本发明公开了一种NMOS晶体管、CMOS晶体管及两者的制作方法。其中,所述NMOS晶体管的制作方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成栅极结构,以及在栅极结构两侧形成源极和漏极;形成张应力层,所述张应力层覆盖所述栅...

22、NMOS晶体管、CMOS晶体管及两者的制作方法
[简介]: 本发明提出一种改善反窄沟道效应及制作MOS晶体管的方法。其中改善反窄沟道效应的方法,包括:提供依次形成有浅沟槽的半导体衬底,所述浅沟槽内壁形成有衬氧化层;对浅沟槽侧壁进行有角度的离子注入。本发明有效改善了MOS晶体...

23、改善反窄沟道效应及制作MOS晶体管的方法
[简介]: 本发明揭示一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包含在衬底上面延伸的台面。所述台面具有在所述台面的第一侧与第二侧之间的沟道区。第一栅极在所述台面的第一侧上,所述第一栅极包括第一栅极绝缘体及第一栅极导体,所述...

24、包含垂直晶体管装置的半导体装置结构、垂直晶体管装置阵列及制作方法
[简介]: 晶体管制作包括在衬底上形成氮化物基沟道层、在该氮化物基沟道层上形成阻挡层、在该阻挡层中形成接触凹进以暴露该氮化物基沟道层的接触区、例如利用低温沉积工艺在该氮化物基沟道层的该暴露的接触区上形成接触层、在该接触...

25、制作具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管的方法以及具有再生长欧姆接触区的氮化物基晶体管
[简介]: 本发明实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置,用于提高阵列基板的开口率,该方法包括:形成第一源极和漏极金属层;在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层;在绝缘层上形成栅极金属层;在栅极金属层上形成...

26、晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置
[简介]: 本发明揭示方法、系统及装置,其包含具有存储器装置的系统。在一些实施例中,所述存储器装置包含:多个鳍式场效晶体管190,其安置成若干个行164;多个绝缘鳍154,其每一者安置于所述行164之间;及多个存储器元件,其每一...

27、包括鳍式晶体管的系统及装置以及其使用、制作及操作方法
[简介]: 提供了一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片。制作晶体管的方法可以包括下面的步骤:在半导体衬底上确定有源区,在所述有源区上形成栅叠层、主侧墙和源漏区,所述主侧墙环绕所述栅叠层,所述源漏区嵌于所述有源...

28、一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片
[简介]: 本发明公开了一种T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法,包括如下步骤:第1步,淀积一多晶硅层;第2步,刻蚀出T型多晶硅栅极;第3步,在T型多晶硅栅极四周形成氧化硅层;第4步,光刻形成源区、漏区,对源区、漏区进行轻掺杂漏注入;...

29、T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法
[简介]: 本发明是关于场效晶体管的制作方法及场效晶体管。此方法包含对半导体基板进行袋型布植。之后,在半导体基板上形成多晶硅层。图案化多晶硅层以形成多晶硅栅极。此场效晶体管包含第一型掺质的井,其形成于半导体基板中;金属栅...

30、场效晶体管的制作方法及场效晶体管
[简介]: 一种MOS晶体管源漏应力区的形成方法,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成牺牲栅;对所述半导体衬底进行离子注入,在牺牲栅两侧的半导体衬底中形成非晶区;在所述半导体衬底上形成包含固有应力的介电层;对所述半导...

31、MOS晶体管源漏应力区的形成方法及MOS晶体管制作方法
[简介]: 本发明公开了一种制作异质结双极型晶体管HBT的方法,包括:在清洗后的制作了部分或全部三台面HBT的圆片A的一面上涂覆粘附剂,利用粘附工艺将圆片A粘附到圆片B上;去掉圆片A的衬底,留下HBT和需要的半导体材料层;制作HBT集...

32、一种制作异质结双极型晶体管的方法
[简介]: 本发明公开了一种制作FinFET晶体管的方法,是选用晶向为110的SOIsemiconductoroninsulator晶片为衬底材料,用各向异性的腐蚀方法腐蚀该SOI材料的半导体层形成一侧面光滑且垂直于表面的半导体条,并对该半导体条的中...

33、一种制作FinFET晶体管的方法
[简介]: 本发明提供一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法。首先,提供半导体基底以及栅极结构位于半导体基底上。半导体基底具有源极区域与漏极区域,分别位于栅极结构两侧的半导体基底中。接着,在半导体基底上形成应力覆盖层并...

34、制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法
[简介]: 本发明公开了一种制作晶体管T型纳米栅的方法,包括:A、在清洗干净的外延片上匀一层易于实现去胶和剥离的第一层电子束胶,然后前烘;B、在第一层电子束胶上匀第二层电子束胶ZEP520A,然后前烘;C、在第二层电子束胶ZEP520A上匀...

35、一种制作晶体管T型纳米栅的方法
[简介]: 本发明公开了一种制作金属氧化物半导体晶体管元件的方法。提供半导体基底;在半导体基底上形成栅极介电层;在栅极介电层上形成栅极;在该栅极的侧壁上形成衬垫层;在衬垫层上形成氮化硅间隙壁;对半导体基底进行漏极源极离...

36、制作半导体晶体管元件的方法
[简介]: 本发明揭示了一种制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法。首先,提供半导体基底,该半导体基底具有第一有源区域用以制备第一晶体管以及至少一第二有源区域用以制备第二晶体管。接着依序形成第一蚀刻停止层、应力层以...

37、制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
[简介]: 一种VDMOS晶体管兼容LDMOS晶体管的制作方法,包括:提供具有LDMOS晶体管区和VDMOS晶体管区的衬底;在衬底内形成N埋层区域;在N埋层区域上形成外延层;在LDMOS晶体管区VDMOS晶体管区形成隔离区;在LDMOS晶体管区形成漂移区;在...

38、VDMOS晶体管兼容LDMOS晶体管及其制作方法
[简介]: 本发明提供一种制作应变硅沟道金属氧化物半导体晶体管元件的方法,包含提供一衬底,于该衬底上形成至少一栅极结构,于该栅极结构上形成一掩模层,进行一蚀刻工艺以于该栅极结构相对两侧的该衬底内形成两凹槽,进行一选择性...

39、制作应变硅沟道金属半导体晶体管的方法
[简介]: 首先提供一半导体基底,该半导体基底具有一第一有源区域用以制备一第一晶体管以及一第二有源区域用以制备一第二晶体管。然后形成一第一栅极结构于该第一有源区域上、一第二栅极结构于该第二有源区域上以及一第一间隙壁于...

40、制作应变硅互补式金属氧化物半导体晶体管的方法
[简介]: 一种制作MOS晶体管的方法,提供一包括有一栅极结构的基底。随后进行一预非晶化工艺,于该栅极结构两侧的该基底内形成一非晶化区域;并进行一共注入工艺,于该非晶化区域内注入一共注入掺杂质。进行一第一离子注入工艺与一第...

41、制作金属氧化物半导体晶体管的方法
[简介]: 本发明提供了一种半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管,所述高压晶体管制作在带有绝缘层的半导体衬底的表面,所述半导体衬底包括支撑衬底、支撑衬底表面的绝缘埋层以及绝缘埋层表面的器件层,所述高压晶体管形...

42、半导体衬底的制作方法、半导体衬底以及高压晶体管
[简介]: 一种能够将平面型10和非平面型20、30晶体管集成在块状半导体衬底上的工艺,其中,所有晶体管的沟道可在连续的宽度范围加以限定。

43、在块状衬底上集成平面型与非平面型CMOS晶体管的工艺及用此工艺制作的器件
[简介]: 本发明提供一种CMOS晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置,该CMOS晶体管包括:位于衬底基板上方的第一区域和第二区域,所述第一区域包括:第一栅电极、第一有源层、第一源电极和第一漏电极;所述第二区域包括:第二栅电极、第...

44、CMOS晶体管及其制作方法、显示面板和显示装置
[简介]: 本发明揭示一种金属氧化物半导体晶体管MOS及其制作方法,其中相对于栅极电极的宽度增加有效沟道长度。在结构的表面处形成上覆于虚拟栅极电介质材料上的虚拟栅极电极,所述结构具有自对准的源极漏极区域及在虚拟栅极结构...

45、金属氧化物半导体MOS晶体管及其制作方法
[简介]: 一种晶体管的制作方法,包括:提供衬底,在衬底上形成第一伪栅和第一侧墙;形成第一沟槽;在第一沟槽中形成第一应力层;去除第一侧墙,在第一伪栅的侧壁形成第二侧墙;在第一应力层上形成第二伪栅;露出第一应力层之间的衬底;在...

46、晶体管及其制作方法
[简介]: 一种晶体管的制作方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成栅介质层;在所述栅介质层上形成栅极;在所述栅介质层和所述栅极两侧形成偏移间隙壁;以所述偏移间隙壁为掩模,对所述栅极两侧的半导体衬底进行离子注入...

47、晶体管的制作方法
[简介]: 本发明提供一种鳍形场效晶体管结构及其制作方法,所述制作方法包括:1)于半导体衬底表面形成具有间隔排列的刻蚀窗口的掩膜层;2)藉由所述刻蚀窗口于所述半导体衬底中刻蚀出至少一个顶部截面为矩形、底部截面为梯形的鳍形半...

48、一种鳍形场效晶体管结构及其制作方法
[简介]: 本发明公开一种垂直式晶体管元件及其制作方法,该晶体管元件包括基材、第一源极、漏极、第一栅介电层、第一栅极以及第一掺杂区。基材具有至少一个凸出部。第一源极具有第一电性,形成于基材上。漏极具有第一电性,且位于凸出部上...

49、垂直式晶体管元件及其制作方法
[简介]: 本发明涉及晶体管,公开了一种异质结双极型晶体管HBT及其制作方法。包含半导体衬底,位于半导体衬底上的*极,位于*极上的基极,位于基极上的集电极和位于*极两侧及之下的半导体衬底内部的金属硅化物层,其中,位于发...

50、异质结双极型晶体管及其制作方法
[简介]: 本发明涉及半导体器件制造技术领域,公开了一种自对准硅化物晶体管及其制作方法,所述自对准硅化物晶体管的制作方法,包括:形成位于衬底上的栅极及位于所述栅极上的抗氧化层;将离子注入及驱入所述栅极一侧的衬底内形成体...

51、无结晶体管及其制作方法
52、无结晶体管及其制作方法
53、含锗为主的沟道层的晶体管装置的制作方法与微电子装置
54、沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法
55、栅介质层的制作方法、晶体管的制作方法
56、级联堆叠纳米线MOS晶体管制作方法
57、堆叠纳米线MOS晶体管及其制作方法
58、浅沟槽隔离结构、包含其的晶体管及其制作方法
59、具有绝缘栅极的常闭型氮化镓晶体管及其制作方法
60、PMOS晶体管及其制作方法
61、N型晶体管及其制作方法、互补金属氧化物半导体
62、PMOS晶体管及其制作方法
63、PMOS晶体管的制作方法
64、晶体管及其制作方法
65、PMOS晶体管的制作方法
66、PMOS晶体管的制作方法
67、一种绝缘栅双极型晶体管及其自对准制作方法
68、一种自对准绝缘栅双极型晶体管的制作方法
69、栅极的制作方法、晶体管的制作方法
70、掺杂的多晶硅栅极的制作方法、MOS晶体管及其制作方法
71、一种具有降低纵向寄生晶体管效应的器件结构及其制作方法
72、悬浮栅晶体管及其制作方法、应用方法、显示器驱动电路
73、沟槽型功率晶体管及其制作方法
74、一种MOS晶体管的制作方法
75、一种采用应力接近技术的晶体管的制作方法
76、制作超高伸张应力膜以及应变硅晶体管的方法
77、CMOS晶体管的制作方法
78、制作应变硅晶体管的方法
79、低温多晶硅晶体管的制作方法
80、一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
81、制作高张力薄膜及应变硅金属氧化物半导体晶体管的方法
82、基于Cu膜退火的SiC衬底上侧栅石墨烯晶体管制作方法
83、晶体管的制作方法和确定栅极周围侧墙厚度的方法
84、凹入式晶体管的制作方法
85、具有不同长度的晶体管栅极阵列及其制作方法
86、晶体管的制作方法
87、制作应变硅晶体管的方法
88、半导体结构及其制作方法、MOS晶体管及其制作方法
89、一种半导体晶体管的制作方法
90、自对准超结功率晶体管的制作方法
91、MOS晶体管的制作方法和圆角化沟槽顶部尖角的方法
92、MOS晶体管的制作方法
93、一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
94、NMOS晶体管及其制作方法
95、MOS晶体管的制作方法
96、一种SOI半导体氧化物晶体管及其制作方法
97、CMOS晶体管的制作方法
98、堆叠纳米线MOS晶体管制作方法
99、晶体管的结构及其制作方法
100、晶体管的制作方法
101、一种双极结型晶体管及其制作方法
102、一种双极结型晶体管及其制作方法
103、多晶体管半导体器件及其制作方法
104、MOS晶体管的制作方法
105、三族氮化物基光电晶体管探测器件及其制作方法
106、PMOS晶体管及其制作方法
107、半导体器件制作方法和SiGeHBT晶体管制作方法
108、一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
109、高K膜的制作方法及晶体管的形成方法
110、沟槽型功率晶体管组件及其制作方法
111、多栅极场效晶体管及其制作工艺
112、CMOS晶体管的制作方法
113、浮栅晶体管的制作方法
114、PMOS晶体管的制作方法
115、制作金属氧化物半导体晶体管的方法
116、降低多晶耗尽效应的制作多晶硅栅极晶体管的方法
117、金属栅极晶体管的制作方法
118、一种MOS晶体管及其制作方法
119、一种功率晶体管及其制作方法
120、一种双漏极型CMOS磁场感应晶体管及其制作方法
121、图像传感器与晶体管的制作方法
122、单晶体管单电阻器电阻式存储器元件及其制作方法
123、横向晶体管及其制作方法
124、一种绝缘栅双极型晶体管晶片制作方法
125、横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
126、金属氧化物半导体晶体管的制作方法
127、一种用于SRAM的P型传输栅极晶体管及其制作方法
128、绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
129、一种碳纳米管墨水的制备方法及晶体管器件的制作方法
130、具有超级结的功率晶体管组件的制作方法
131、功率晶体管组件的制作方法
132、一种双极结型晶体管的制作方法
133、光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法
134、能降低邻近字线或晶体管影响的半导体器件及其制作方法
135、具有埋入式位线及垂直晶体管的存储装置以及其制作方法
136、制作半导体晶体管元件的方法
137、具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件及其制作方法
138、鳍状场效晶体管结构及其制作方法
139、沟槽型功率晶体管组件及其制作方法
140、具有超级接口的功率晶体管组件及其制作方法
141、MOS晶体管及其制作方法
142、LDMOS晶体管及其制作方法
143、萧基晶体管装置的制作方法
144、晶体管及其制作方法
145、一种大电流晶体管封装结构及其制作方法
146、CMOS晶体管金属栅极的制作方法
147、超级接面晶体管及其制作方法
148、功率晶体管组件及其制作方法
149、晶体管的制作方法
150、绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制作方法
151、非平面晶体管的制作方法
152、非平面晶体管的制作方法
153、具有鳍状结构的场效晶体管的结构及其制作方法
154、MOS晶体管及其制作方法
155、LDMOS晶体管及其制作方法
156、功率晶体管组件及其制作方法
157、高压晶体管及其制作方法
158、晶体管的制作方法
159、沟槽式功率金氧半场效晶体管的制作方法
160、类金刚石衬底上源漏掩埋型石墨烯晶体管器件和制作方法
161、一种后栅极单晶体管动态随机存储器的制作方法
162、CMOS晶体管的制作方法
163、鳍状晶体管与其制作方法
164、功率晶体管的制作方法
165、异质结构场效晶体管及其制作方法
166、CMOS晶体管的制作方法
167、具有超级介面的功率晶体管的制作方法
168、具有厚底部介电层的沟槽式晶体管及其制作方法
169、具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管及其制作方法
170、槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管及其制作方法
171、一种晶体管和半导体器件及其制作方法
172、CMOS晶体管的制作方法
173、薄膜晶体管主动装置的制作方法及制作的薄膜晶体管主动装置
174、超结功率晶体管结构及其制作方法
175、一种制作具有延伸闸极晶体管的方法
176、功率晶体管结构及其制作方法
177、氧化物薄膜晶体管结构及制作氧化物薄膜晶体管的方法
178、晶体管及其制作方法
179、一种双极型晶体管的制作方法
180、EDMOS晶体管及其制作方法
181、晶体管及其制作方法
182、一种梳状栅复合源MOS晶体管及其制作方法
183、降低寄生晶体管导通的功率组件及其制作方法
184、一种FinFET晶体管的制作方法
185、一种纳米线及纳米线晶体管的制作方法
186、晶体管及其制作方法
187、MOS晶体管及其制作方法
188、晶体管及其制作方法
189、LDMOS晶体管、布局方法和制作方法
190、MOS晶体管及其制作方法
191、MOS晶体管及其制作方法
192、氮化镓晶体管的制作方法
193、晶体管制作方法
194、晶体管的制作方法
195、晶体管的制作方法
196、晶体管的制作方法
197、晶体管及其制作方法
198、晶体管及其制作方法
199、晶体管及其制作方法
200、晶体管及其制作方法
201、晶体管的制作方法
202、晶体管的制作方法
203、晶体管的制作方法
204、晶体管的制作方法
205、MOS晶体管及其制作方法
206、栅介质层和晶体管的制作方法
207、晶体管及其制作方法
208、NMOS晶体管的制作方法
209、MOS晶体管及其制作方法
210、MOS晶体管及其制作方法
211、MOS晶体管及其制作方法
212、CMOS晶体管的制作方法
213、具有金属栅极的晶体管的制作方法
214、CMOS晶体管的制作方法
215、MOS晶体管及其制作方法
216、晶体管的制作方法
217、具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法
218、MOS晶体管及其栅介电层的制作方法
219、高K栅介电层的制作方法及形成MOS晶体管的方法
220、MOS晶体管及其制作方法
221、双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法
222、MOS晶体管及其制作方法
223、NMOS晶体管的制作方法
224、超薄体晶体管及其制作方法
225、互补金氧半晶体管及其制作方法
226、一种双极型晶体管的制作方法
227、一种晶体管的制作方法
228、金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管的整合及制作方法
229、沟槽型VMOS晶体管制作方法
230、互补金属氧化物半导体晶体管的制作方法
231、横向扩散型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
232、制作栅极和金属氧化物半导体晶体管的方法
233、NPN晶体管及其制作方法
234、一种双极型晶体管及其制作方法
235、MOS晶体管的制作方法
236、制作金氧半导体晶体管的方法
237、基于氮化物的晶体管的覆盖层和或钝化层、晶体管结构及制作方法
238、鳍式晶体管结构及其制作方法
239、CMOS晶体管及其制作方法
240、高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的制作方法
241、鳍式晶体管结构及其制作方法
242、降低浅掺杂漏PN结漏电流的MOS晶体管的制作方法
243、外延层和晶体管制作方法
244、鳍式晶体管结构及其制作方法
245、封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构及其制作方法
246、P型掺杂超浅结及PMOS晶体管的制作方法
247、MOS晶体管的制作方法
248、跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法
249、具有双超浅隔离结构的硅晶体管及其制作方法
250、具有双超浅隔离结构的硅覆绝缘晶体管及其制作方法
251、沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法
252、沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法
253、一种部分耗尽的绝缘层上硅MOS晶体管的制作方法
254、MOS晶体管及其制作方法
255、制作薄膜晶体管的方法
256、金属氧化物半导体晶体管结构及其制作方法
257、绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法
258、MOS晶体管及其制作方法
259、MOS晶体管的制作方法
260、MOS晶体管的制作方法
261、MOS晶体管的制作方法
262、四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法
263、MOS晶体管及其制作方法
264、CMOS晶体管及其制作方法
265、袋形注入区的离子注入方法及MOS晶体管的制作方法
266、制作浅结MOS晶体管的方法
267、栅极及MOS晶体管的制作方法
268、包含耐栅极短路的鳍式晶体管的装置及其制作方法
269、CMOS晶体管及其制作方法
270、制作薄膜晶体管阵列基板的方法、阵列基板和显示装置
271、CMOS晶体管及其制作方法
272、CMOS晶体管及其制作方法
273、CMOS晶体管及其制作方法
274、高电子迁移率晶体管、外延衬底、及制作高电子迁移率晶体管的方法
275、互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法
276、MOS晶体管及其制作方法
277、MOS晶体管及其制作方法
278、NMOS晶体管的制作方法
279、NMOS晶体管的制作方法
280、多栅极晶体管制作方法及系统
281、NMOS晶体管的制作方法
282、一种金属半导体场效应发光晶体管及其制作方法
283、一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法
284、半导体器件、p型MOS晶体管及其制作方法
285、半导体器件、n型MOS晶体管及其制作方法
286、可同时具有部分空乏晶体管与完全空乏晶体管的芯片及其制作方法
287、MOS结构的功率晶体管及其制作方法
288、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
289、制作鳍形场效应晶体管的方法
290、减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法
291、CMOS晶体管及其制作方法
292、栅极及晶体管的制作方法
293、晶体管浅结的制作方法
294、晶体管器件中浅结制作方法
295、凹入式栅极晶体管元件结构及制作方法
296、制作鳍式场效应晶体管的方法以及由此形成的半导体结构
297、栅极及NMOS晶体管的制作方法
298、功率晶体管结构及其制作方法
299、具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作
300、光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法
301、沟槽式功率金氧半晶体管及其制作方法
302、沟槽式功率金氧半晶体管及其制作方法
303、互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法
304、具有凹陷式栅极的动态随机存取存储器晶体管及其制作方法
305、晶体管结构及其制作方法
306、晶体管及半导体装置的制作方法
307、凹入式栅极金属氧化物半导体晶体管装置及其制作方法
308、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
309、一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法
310、复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
311、一种晶体管T型纳米栅的制作方法
312、应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
313、互补式金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
314、互补式金属氧化物半导体晶体管的制作方法及其结构
315、一种制作大功率场效应晶体管的方法
316、一种MOS晶体管及其制作方法
317、一种不对称肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法
318、高压MOS晶体管的制作方法
319、高压MOS晶体管的制作方法
320、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
321、一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的制作方法
322、横向PNP晶体管制作方法
323、EEPROM外围电路中高压NMOS场晶体管的沟道结构及制作方法
324、一种部分耗尽SOI结构的MOS晶体管及其制作方法
325、磷化铟异质结双极型晶体管自对准*极的制作方法
326、自动对准凹入式栅极金氧半导体晶体管元件的制作方法
327、金属氧化物半导体晶体管的制作方法
328、一种制作准双栅MOSFET晶体管的方法
329、一种部分耗尽的SOIMOS晶体管及其制作方法
330、半导体晶体管元件及其制作方法
331、金刚石晶体管及其制作方法
332、漏极延伸型PMOS晶体管及其制作方法
333、一种肖特基势垒MOS晶体管及其制作方法
334、一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法
335、一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法
336、互补式金属氧化物半导体晶体管元件及其制作方法
337、制作双电压金属氧化物半导体晶体管的方法
338、液晶显示器及其制作方法及其晶体管数组基板及制作方法
339、具隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法
340、用于单片集成具有隔离结构的MOS场效晶体管及其制作方法
341、LDMOS晶体管及其制作方法
342、一种制作薄膜晶体管沟道区以及源、漏电极的新方法
343、一种制作底电极平坦化的有机场效应晶体管的方法
344、垂直型双极晶体管的制作工艺方法及垂直型双极晶体管
345、一种制作背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法
346、一种制作顶栅氧化锌纳米线场效应晶体管的方法
347、一种薄膜晶体管制作方法、薄膜晶体管及显示设备
348、具超浅接面漏极源极延伸的半导体晶体管元件制作方法
349、一种体硅MOS晶体管及其制作方法
350、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法
351、纳米部件的掺杂方法,制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法
352、纳米部件的掺杂方法,制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法
353、SiGe异质结双极晶体管的*极制作工艺方法
354、垂直绝缘栅晶体管及其制作方法
355、一种源漏下陷型超薄体SOIMOS晶体管及其集成电路的制作方法
356、用于制作场效应晶体管的栅极介电的方法
357、低温多晶硅薄膜制作方法、薄膜晶体管制作方法
358、电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法
359、背棚MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器
360、一种薄膜晶体管的制作方法和薄膜晶体管
361、侧面扩散金属氧化半导体晶体管的结构及其制作方法
362、有机薄膜晶体管的制造方法及采用该制造方法制作的有机薄膜晶体管及其片材
363、具有超薄的应变矽通道的金氧半导体场效晶体管及其制作方法
364、鳍部的制作方法、鳍式场效应晶体管及其制作方法
365、用于制作场效应晶体管的栅极电介质的方法
366、薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的阵列基板及其制作方法
367、最小化非平面性效应的晶体管金属栅结构及制作方法
368、一种薄膜晶体管的制作方法
369、互补型薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板
370、掩膜版组、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置
371、一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及显示装置
372、具有被改造以用于背栅偏置的沟道芯部的场效应晶体管及制作方法
373、金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
374、具有被改造以减少漏电流的沟道芯部的场效应晶体管及制作方法
375、GaN基高电子迁移率晶体管的低温无金欧姆接触的制作方法
376、一种逆阻型绝缘栅型双极晶体管的制作方法
377、绝缘栅场效应晶体管装置及其制作方法
378、薄膜晶体管及其制作方法
379、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
380、氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
381、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
382、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置和阻挡层
383、碳纳米管薄膜晶体管、AMOLED像素柔性驱动电路及制作方法
384、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
385、薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板
386、一种薄膜晶体管驱动背板及其制作方法、显示面板
387、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
388、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
389、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
390、应变沟道鳍式场效应晶体管及其制作方法
391、非对称平面栅超级结金属氧化层半导体场效应晶体管及其制作方法
392、薄膜晶体管的制作方法
393、鳍式场效应晶体管结构及其制作方法
394、薄膜晶体管基板及其制作方法
395、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
396、薄膜晶体管与显示阵列基板及其制作方法
397、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示器
398、一种薄膜晶体管阵列的制作方法和薄膜晶体管阵列
399、一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
400、源漏区抬高的顶栅自对准薄膜晶体管及其制作方法
401、薄膜晶体管及其制作方法和显示器件
402、薄膜晶体管及其制作方法和显示器件
403、一种聚合物模板的制作方法及其在有机场效应晶体管中的应用
404、一种氧化铟基薄膜晶体管及其制作方法
405、一种氧化锌基薄膜晶体管及其制作方法
406、高电子迁移率场效应晶体管及其制作方法
407、薄膜晶体管及其制作方法与液晶显示面板
408、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
409、一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板
410、低温多晶硅的制作方法、低温多晶硅薄膜和薄膜晶体管
411、薄膜晶体管及其制作方法
412、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
413、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
414、低栅极空乏现象的MOS晶体管的制作方法
415、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
416、具有不同鳍宽的鳍式场效应晶体管的制作方法
417、多晶硅层的制作方法和多晶硅薄膜晶体管及其制造方法
418、一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法、显示面板
419、信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
420、具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
421、薄膜晶体管及其制作方法和显示装置
422、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及显示装置
423、具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
424、一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示面板
425、鳍式场效应晶体管牺牲栅极的制作方法
426、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
427、高压场效应晶体管及其制作方法
428、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
429、鳍式场效应晶体管的制作方法
430、一种薄膜晶体管和阵列基板的制作方法
431、一种底栅结构的氧化物薄膜晶体管及其制作方法
432、半导体层结构、多晶硅薄膜晶体管、制作方法、显示装置
433、具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法
434、低阻值晶体管元件的制作方法
435、赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法
436、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法以及液晶显示装置
437、薄膜晶体管液晶显示器、阵列基板及其制作方法
438、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
439、一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法
440、鳍式场效应晶体管的制作方法
441、鳍式场效应晶体管的制作方法
442、一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法
443、一种III-V族半导体纳米线场效应晶体管器件及其制作方法
444、一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法
445、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置
446、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
447、具有低密勒电容的金氧半场效应晶体管器件及其制作方法
448、薄膜晶体管结构及其制作方法
449、显示装置、透反式薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
450、聚噻吩薄膜场效应晶体管及其制作方法
451、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
452、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
453、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
454、源场板异质结场效应晶体管及其制作方法
455、一种混合结构场效应晶体管及其制作方法
456、一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法
457、一种有机场效应晶体管的制作方法
458、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
459、薄膜晶体管阵列制作方法
460、一种鳍片型场效应晶体管及其制作方法
461、显示面板的垂直式薄膜晶体管结构及其制作方法
462、具有光感测器的薄膜晶体管基板及其制作方法
463、一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
464、薄膜晶体管像素结构及其制作方法
465、薄膜晶体管主动装置及其制作方法
466、一种改善器件均匀性的顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
467、双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
468、一种场效应晶体管结构及其制作方法
469、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
470、一种兼具反向导通的异质结构场效应晶体管及其制作方法
471、一种薄膜晶体管驱动背板的制作方法
472、薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法和液晶显示器
473、薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
474、一种有机薄膜晶体管阵列基板制作方法
475、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
476、双肖特基结氧化锌半导体薄膜晶体管及制作方法
477、沟槽场效应晶体管的制作方法
478、一种横向扩散场效应晶体管结构和制作方法
479、薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
480、一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
481、一种薄膜晶体管液晶显示装置及其制作方法
482、薄膜晶体管基板及其制作方法以及显示器
483、LDMOS场效应晶体管及其制作方法
484、一种薄膜晶体管及其制作方法及一种阵列基板
485、氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
486、一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法和显示装置
487、显示装置、阵列基板、薄膜晶体管及其制作方法
488、一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
489、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
490、一种超导场效应晶体管、其制作方法及应用方法
491、氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置
492、制作液晶显示器的薄膜晶体管的方法
493、制作液晶显示器的薄膜晶体管的方法
494、GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
495、MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
496、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
497、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
498、场效应晶体管及其制作方法
499、双极晶体管及其制作方法
500、薄膜晶体管及其制作方法
501、一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法
502、一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法
503、深沟槽功率半导体场效应晶体管及其制作方法
504、一种无结薄膜晶体管的制作方法
505、一种结型场效应晶体管的制作方法
506、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
507、薄膜晶体管基板及其制作方法以及具有其的显示器
508、一种具有埋入式栅极结构的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
509、薄膜晶体管及其制作方法
510、半导体场效应晶体管及其制作方法
511、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
512、一种多晶硅双极晶体管及其制作方法
513、薄膜晶体管及其制作方法及显示器
514、薄膜晶体管及其制作方法及显示器
515、硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法
516、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
517、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
518、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
519、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
520、金属栅极场效应晶体管及其制作方法
521、鳍式场效应晶体管的制作方法
522、鳍式场效应晶体管的制作方法
523、场效应晶体管的制作方法
524、石墨烯场效应晶体管及其制作方法
525、鳍式场效应晶体管的制作方法
526、沟槽绝缘栅型双极晶体管的制作方法
527、薄膜晶体管基板及其制作方法、显示器
528、一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
529、鳍式场效应晶体管及其制作方法
530、鳍式场效应晶体管及其制作方法
531、氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法
532、高精度印刷法制作有机薄膜晶体管的方法
533、多栅极场效应晶体管及其制作方法
534、平面开关控制模式的薄膜晶体管液晶显示器及其制作方法
535、场效应晶体管及其制作方法
536、一种薄膜晶体管及其制作方法
537、薄膜晶体管阵列基板、液晶显示器及其制作方法
538、自对准双极晶体管及其制作方法
539、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
540、显示面板的薄膜晶体管及其制作方法
541、显示面板的薄膜晶体管及其制作方法
542、沟槽栅结型场效应晶体管及其制作方法
543、半自对准双极晶体管及其制作方法
544、双台阶结构闸电极及相应的薄膜场效应晶体管的制作方法
545、一种多栅极场效应晶体管的制作方法
546、薄膜场效应晶体管及其制作方法
547、薄膜晶体管基板及其制作方法
548、制作一半透半反薄膜晶体管液晶显示器的方法
549、一种鳍型场效应晶体管的制作方法
550、带反型隔离层结构的金属半导体场效应晶体管及制作方法
551、有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置
552、有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置
553、一种赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法
554、集成鳍式场效应晶体管(FINFET)及其制作方法
555、含氧半导体薄膜晶体管的制作方法及显示装置的制作方法
556、一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法
557、一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法
558、功率沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺
559、薄膜晶体管元件及其制作方法
560、垂直式有机薄膜晶体管及其制作方法
561、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
562、低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
563、一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
564、一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法
565、一种增强型AlNGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
566、一种有机薄膜晶体管器件及其制作方法
567、高介电常数栅介质场效应晶体管及其制作方法
568、一种利用激光结晶工艺制作薄膜晶体管的方法
569、逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法
570、薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板、制作方法和显示设备
571、一种薄膜晶体管阵列基板以及制作方法
572、制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法
573、一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制作方法
574、一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
575、薄膜晶体管的制作方法
576、薄膜晶体管的制作方法
577、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
578、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
579、一种薄膜晶体管的制作方法
580、一种自对准薄膜晶体管的制作方法
581、氧化物半导体薄膜晶体管结构与其制作方法
582、氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法
583、制作互补式薄膜晶体管的方法
584、逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
585、内透明集电极绝缘栅双极晶体管及其制作方法
586、高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法
587、氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法
588、一种横向双极晶体管及其制作方法
589、基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法
590、薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法以及显示装置
591、一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法
592、功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制作方法
593、形成多晶硅层以及制作多晶硅薄膜晶体管的方法
594、薄膜晶体管数组基板的制作方法
595、显示面板的薄膜晶体管基板与薄膜晶体管及其制作方法
596、液晶显示面板的薄膜晶体管基板与其制作方法
597、场效应晶体管及间隙壁结构的制作方法
598、制作薄膜晶体管液晶显示器的方法
599、一种制作薄膜晶体管的方法
600、薄膜晶体管及其制作方法
601、绝缘栅双极晶体管及其制作方法
602、绝缘栅双极晶体管及其制作方法
603、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和液晶显示装置
604、反射式液晶显示面板的薄膜晶体管基板及其制作方法
605、一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法
606、鳍式场效应晶体管元件的制作方法
607、AlGaNGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
608、一种双极型有机薄膜晶体管及其制作方法
609、自对准双极晶体管及其制作方法
610、绝缘栅双极晶体管及其制作方法
611、绝缘栅双极晶体管、制作方法及沟槽栅结构制作方法
612、全透明AlGaNGaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
613、一种闭环式有机场效应晶体管及其制作方法
614、一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法
615、具有高击穿电压的锗硅异质结双极晶体管结构及其制作方法
616、一种绝缘栅双极晶体管模块及其制作方法
617、薄膜晶体管元件及其制作方法
618、结场效应晶体管装置结构及其制作方法
619、AlGaNGaN绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法
620、一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法
621、绝缘栅双极晶体管结构及其制作方法
622、低噪声的锗硅异质结双极晶体管制作方法
623、薄膜晶体管数组基板的制作方法
624、功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
625、高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法
626、绝缘栅双极晶体管及其制作方法
627、GaN场效应晶体管和单片电路台形接地通孔的制作方法
628、绝缘栅双极晶体管终端及其制作方法
629、绝缘栅双极晶体管及其制作方法
630、沟槽栅型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
631、绝缘栅双极晶体管及制作方法
632、薄膜晶体管数组基板、显示面板、液晶显示装置及其制作方法
633、一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用
634、绝缘栅型双极晶体管及其制作方法
635、一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法
636、金属-半导体场效应晶体管及其制作方法
637、一种薄膜晶体管及其制作方法、图像显示装置
638、一种薄膜晶体管及图像显示装置的制作方法
639、顶栅ZnO多纳米线场效应晶体管的制作方法
640、薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板的制作方法
641、一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法
642、一种自对准的金属氧化物薄膜晶体管的制作方法
643、一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法
644、双层上电极有机场效应晶体管的制作方法
645、AlNGaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管及其制作方法
646、横向双极型场效应复合晶体管及其制作方法
647、一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法
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649、一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法
650、一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法
651、绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法
652、绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法
653、槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法
654、Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法
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656、下栅极式薄膜晶体管及其制作方法
657、制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
658、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
659、一种纳米氧化锌场效应晶体管的制作方法
660、改进工艺窗口制作全自对准薄膜场效应晶体管的方法
661、沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
662、薄膜晶体管基板、电子装置及其制作方法
663、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
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666、有机薄膜晶体管与像素结构及其制作方法以及显示面板
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687、薄膜晶体管及其有源层的制作方法与液晶显示器
688、薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
689、金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
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747、有机薄膜晶体管及其制作方法
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750、多栅极结构的薄膜晶体管及其制作方法



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