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道场效应晶体管加工制造工艺方法图文全套

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2019/6/3 星期一

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1、隧道场效应晶体管及其形成方法
[简介]: 一种隧穿场效应晶体管及其形成方法,所述隧穿场效应晶体管包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括鳍部;栅极结构,所述栅极结构横跨所述鳍部的中部;源极,所述源极横跨所述鳍部的一端;漏极,位于所述鳍部的另一端;所述漏极的导...

2、隧道场效应晶体管及其形成方法
[简介]: 用于垂直隧道场效应晶体管单元的系统和方法。本发明公开了一种半导体器件单元。该半导体器件单元包括具有栅极表面和接触表面的晶体管栅极,以及通过源极接触件接触的源极区。半导体器件单元还包括通过漏极接触件接触的漏极...

3、用于垂直隧道场效应晶体管单元的系统和方法
[简介]: 本发明公开了一种深度耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法,该晶体管包括:衬底;位于所述衬底中的Vt设定区;位于所述Vt设定区中的凹形非掺杂区;形成于所述非掺杂区上的栅介质层;形成于所述栅介质层上并延伸出衬底表面的栅极...

4、深度耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种隧道场效应晶体管(1),该隧道场效应晶体管包括:至少源极区域(2),包括对应源极半导体材料;至少漏极区域(3),包括对应漏极半导体材料;以及在源极区域(2)与漏极区域(3)之间布置的至少沟道区域(4),包括对应沟...

5、隧道场效应晶体管
[简介]: 本发明提供了一种深耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法,将传统深耗尽沟道场效应晶体管形成在衬底中的沟道区改为设置于衬底上的垂直型结构,并优化了深耗尽沟道场效应晶体管的结构,在降低器件功耗,解决FET阈值电压变异的...

6、深耗尽沟道场效应晶体管及其制备方法
[简介]: 本发明公开了一种表面沟道场效应晶体管,包括:P型衬底上部形成有P阱和N阱,P阱上部两侧形成有N型源漏区,N阱上部两侧形成有P型源漏区;P型源漏区和N型源漏区旁侧形成有场氧区,P型源漏区和N型源漏区被场氧区隔离;P阱上方形...

7、一种表面沟道场效应晶体管及其制造方法
[简介]: 本公开涉及微电子晶体管制造领域,尤其涉及具有提高的导通电流电平而不具有相应增大的截止电流电平的隧道场效应晶体管的制造,这是通过在隧道场效应晶体管的源极与本征沟道之间添加过渡层来实现的。

8、隧道场效应晶体管
[简介]: 本发明公开了一种新型共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管结构,包括位于最底端的衬底,该衬底是呈现P型导电性的硅单晶片,同时作为背栅电极;衬底上是已知厚度和介电常数的绝缘层,在绝缘层上有由一个源极和两个...

9、一种共栅共源多漏极的碳纳米管导电沟道场效应晶体管
[简介]: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台;源端为多晶硅,位于圆环形Si台的上端;漏端位于圆环形Si台下端的外侧;栅位于圆环形Si台的外侧面;在圆环形Si台的...

10、一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
[简介]: 本发明涉及一种可在较小的亚阈值下动作且可容易地制造的隧道场效应晶体管。本发明的隧道场效应晶体管包含:IV族半导体基板,掺杂为第一导电型;III-V族化合物半导体纳米线,配置在所述IV族半导体基板的111面上,且包含连接...

11、隧道场效应晶体管及其制造方法
[简介]: 本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极,其特征在于,所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层,包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部,该复合隔离层又分为两...

12、一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法
[简介]: 一种TFET包括源区110,210、漏区120,220、位于源区与漏区之间的沟道区130,230、以及毗邻沟道区的栅区140,240。源区包含第一化合物半导体,该第一化合物半导体包括第一III族材料和第一V族材料,而沟道区包含第二化合物...

13、隧道场效应晶体管及其制造方法
[简介]: 本发明提供了用于CMOS工艺中N沟道场效应晶体管阵列的版图设计方法,在所述N沟道场效应晶体管中使用的浅沟槽下方形成P阱掺杂区,所述浅沟槽的宽度范围为0.25um至0.31um之间。本发明所提供的方法可以制作出隔离性能好宽度窄...

14、用于CMOS工艺中N沟道场效应晶体管阵列的版图设计方法
[简介]: 一种具有金属源极的隧道场效应晶体管包括:沟道区;沟道区上方的栅电介质;和栅电介质上方的栅电极。第一源漏区邻接栅电介质,其中第一源漏区是半导体区且为第一导电类型。相比第一源漏区,第二源漏区在沟道区的相对侧上...

15、具有金属源极的隧道场效应晶体管
[简介]: 本发明涉及化合物半导体材料、器件技术领域的一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法。为了解决现有ZnO纳米线场效应晶体管工作电流小、与实际应用有较大差距的问题,本发明提供一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体...

16、一种背栅ZnO多纳米线沟道场效应晶体管的制作方法
[简介]: 本发明涉及混合晶向沟道场效应晶体管,在结合界面360上方的源漏区具有的晶向,而结合界面360下方的源漏区具有下部半导体370的晶向,使得源漏区的每个部分的晶向与横向相邻的半导体材料的晶向相同。可选的源漏延...

17、混合晶向沟道场效应晶体管
[简介]: 一种比较理想的新型的全耗尽垂直沟道双栅场效应晶体管,具有如下特点:是一种全耗尽的垂直沟道双栅结构;沟道长度和沟道硅膜厚度都能不依赖于光刻技术,这两个关键尺寸都可以被精确而均匀控制;而且可以在单位面积上实现两...

18、双栅垂直沟道场效应晶体管及其制备方法
[简介]: 本发明提供了一种结构,其中半导体器件区具有第一部分和第二部分,以及设置在第一和第二部分中的器件。导电部件水平地在第一部分上但不在第二部分上延伸。介质区,设置在该部件上,具有基本上平坦的上表面,介质区基本上覆盖...

19、具有未重叠双衬里的应变沟道场效应晶体管对的结构和方法
[简介]: 本发明公开一种场效应晶体管100和制造该场效应晶体管的方法。所述场效应晶体管包括在栅电介质层155上表面170上形成的栅电极165,所述栅电介质层位于单晶硅沟道区110的上表面160上,所述单晶硅沟道区位于锗包...

20、高迁移率块体硅p沟道场效应晶体管
[简介]: 一种用于电子器件制造技术领域的碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法,具体步骤如下:将碳纳米管进行表面活化处理,对碳纳米管进行表面功能分子化学修饰或DNA修饰以制成稳定分散的碳纳米管悬浮液,在表面含有绝缘层的硅...

21、碳纳米管构成多沟道场效应晶体管的方法
[简介]: 本发明提供了一种硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离工艺,属于CMOS超大规模集成电路制造技术领域。其步骤包括:第一次刻蚀出有源区硅台之后,用氮化硅保护有源区硅台的表面和侧壁,然后再局部氧化场区完成隔离工艺,通过在后...

22、适用于硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离方法
[简介]: 本实用新型提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管,其包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中,岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上,且岛状的应变硅主动层彼此分隔。

23、具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管
[简介]: 本发明提出一种具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法。本发明的具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管包括一绝缘层和多个岛状的应变硅主动层。其中,岛状的应变硅主动层设于绝缘层之上,且岛状的应变硅主动层...

24、具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法
[简介]: 一种P沟道场效应晶体管剂量仪,包括一零温度系数恒流源,其输出端与P沟道场效应晶体管的漏极和栅极输入端连接,该零温度系数恒流源提供P沟道场效应晶体管零温度系数工作电流;一栅极电压漂移值运算电路,其输入端与运放B的...

25、P沟道场效应晶体管剂量仪
[简介]: 本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管,及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管,其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积,更好的控制了器件的沟道长度,工艺中降低了硅台...

26、垂直沟道场效应晶体管及制备方法
[简介]: 本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管,及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构,在源端形成Halo结构;即,对于n型管,在漏端与沟道之间增加一个n-区,在源端与沟道之间增加一个p+区;对...




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