技术领域
一种硅化物配方,该配方可用于玻璃等制品中。
背景技术
目前,很多应用场合对玻璃的化学均匀性有极高的要求,因为不均匀性的存在能够产生光学缺陷。这些不均匀性可以是气态夹杂物或者固体夹杂物或者不同化学组成的区域。无论应用怎样,应该避免存在光学缺陷。本发明提供一种硅化物配方,其用于玻璃制造,可以大大提高玻璃的化学均匀性。
内容
一种娃化物配方,其化学组成包含60% - 75%的重量含量的二氧化ϊΐ圭,0.05%-1%的重量含量的氧化铋,0.005%-0.05%的重量含量的铁氧化物和其他氧化物组分。
具体实施方式
优选实施例:二氧化硅重量含量为71%,氧化铋重量含量为0.2%,铁氧化物重量含量为0.03%,氧化钡重量含量1%,氧化镁重量含量20%,氧化纳重量含量6.5%,三氧化二招重量含量1.25%,氧化钾重量含量0.02%。
以下为目录
1、三元硅化物
2、硅化物配方
3、硅化物膜成核
4、用于FINFET的环绕硅化物
5、硅化物的形成方法
6、CMOS硅化物金属栅集成
7、自对准金属硅化物工艺
8、形成金属硅化物的方法
9、金属硅化物制造方法
10、金属硅化物形成方法
13、经硅化物化的内嵌硅
14、金属硅化物的制造方法
15、金属硅化物形成方法
16、形成金属硅化物的方法
17、制备金属硅化物的方法
18、制作金属硅化物的方法
19、形成硅化物的方法
20、在晶片上的硅化物形成
21、金属硅化物的形成方法
22、硅化物接触和硅化物栅金属集成的方法
25、使用高电阻硅化物靶材生长硅化物的工艺
26、金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法
27、形成金属硅化物的方法
28、生成硅化物的电解方法
29、硅化物间隙薄膜晶体管
30、硅化物的形成方法
31、金属硅化物制造方法
32、硅化物保护层去胶方法
33、形成硅化物的方法
34、硅化物形成方法及系统
37、在晶片上的硅化物形成
38、金属硅化物的形成方法
39、金属硅化物的形成方法
40、自对准金属硅化物工艺
41、形成金属硅化物的方法
42、硅化物沉积的方法
43、金属硅化物制作方法
44、金属硅化物形成方法
45、镍硅化物的制造方法
46、金属硅化物的清洗方法
49、用于FINFET的环绕硅化物
50、金属硅化物形成方法
51、金属硅化物形成方法
52、制作金属硅化物的方法
53、金属硅化物的形成方法
54、制备金属硅化物的方法
55、金属硅化物的清洗方法
56、金属硅化物的制造方法
57、形成金属硅化物的方法
58、形成金属硅化物的方法
61、金属硅化物溅镀靶
62、改进的多晶硅-硅化物
63、硅化物块熔丝器件
64、生产铀硅化物的方法
65、金属硅化物的形成方法
66、金属硅化物的制备方法
67、金属硅化物的制备方法
68、金属硅化物的制备方法
69、经硅化物化的内嵌硅
70、CMOS硅化物金属栅集成
73、金属硅化物的制造方法
74、金属硅化物的制造方法
75、金属硅化物及金属硅化物上接触孔的制造方法
76、使用高电阻硅化物靶材生长硅化物的工艺
77、硅化物接触和硅化物栅金属集成的方法
78、新型硅化物电极绝缘环
79、具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法
80、具有镍硅化物的半导体元件与制作镍硅化物的方法
81、小尺寸硅化物纳米线的制备方法及小尺寸硅化物纳米线
82、具有镍硅化物的半导体元件与制作镍硅化物的方法
85、温和溶剂热反应制备硅化物的方法及制得的硅化物和应用
86、形成金属硅化物层的方法和由此形成的金属硅化物层
87、具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法
88、金属硅化物层的形成方法
89、通过约束来进行的硅化物相控制
90、一种金属硅化物的表征方法
91、镍金属硅化物生成监控方法
92、一种纯相的金属硅化物的制备方法
93、高熵二硅化物及其制备方法
94、通过改善的SiGe刻面改善硅化物形成
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