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刻蚀氮化硅工艺技术及生产制造方法研究

作者:admin    来源:金鼎工业资源网       更新时间:2019/6/2 星期日

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1、基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜硅微纳米加工方法
[简介]: 一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜硅微纳米加工方法,其操作是:将尖端为球状的探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上,将氮化硅膜硅固定在样品台上,给探针施加不低于临界载荷的法向载荷,并使探针沿...

2、基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜硅微纳米加工方法
[简介]: 本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法,包括:1)沟槽刻蚀;2)介质层生长;3)生长第一层多晶硅;4)第一层多晶硅进行第一步反刻蚀;5)对第一层多晶硅进行光刻及第二步反刻蚀;6)淀积氮化膜;7)淀积HD...

3、沟槽型双层栅MOS中的多晶硅之间的氮化膜形成方法
[简介]: 一种硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法,包括:提供一酸槽刻蚀液,所述酸槽刻蚀液具有刻蚀固定标准批次产品能力;提供多批次形成硅、氧化硅和氮化硅堆栈结构的产品,并提供每批次产品的数量和参数;根据每批次产品的数量和...

4、硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法
[简介]: 一种氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法,首先在形成偏移隔离侧墙的半导体器件上,在轻掺杂漏注入及Halo工艺之后,先后沉积上氧化硅、氮化硅薄膜;然后是主刻蚀步骤:将氮化硅薄膜刻蚀到一个特定厚度;接着是过刻蚀步骤,再...

5、氧化硅及氮化硅双层复合侧墙的刻蚀方法
[简介]: 本发明氮化硅薄膜高深宽比孔的刻蚀方法,首先将已经形成半导体所需图形的氮化硅薄膜的半导体器件放入刻蚀腔体内,然后采用干法等离子体工艺,通入高碳链分子碳氟基气体、氧化性气体、稀释性气体、含氢碳氟基气体,加上射频功...

6、氮化硅高深宽比孔的刻蚀方法
[简介]: 一种SONOS快闪存储器及其制作方法,制作方法包括:在半导体衬底上形成介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构;在所述三层堆叠结构上依次形成第一多晶硅层、腐蚀阻挡层,所述第一多晶硅层的厚度为200~500;依次刻蚀腐蚀阻...

7、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅快闪存储器及其制作方法
[简介]: 一种氮化硅薄膜高深宽比孔的循环刻蚀方法,步骤一通过干法等离子体工艺采用碳氟基气体进行氮化硅薄膜的刻蚀并形成孔,同时生成聚合物沉积在所述孔的底部及侧壁;步骤二再向刻蚀腔体内通入氧化性气体及稀释性气体,既可控制...

8、氮化硅高深宽比孔的循环刻蚀方法
[简介]: 本发明公开了一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法,应用于具有氮化硅层和氧化层的半导体结构的刻蚀工艺,且氮化硅层覆盖于氧化层的上表面,方法包括:采用包含有添加剂的磷酸化学液对所述氮化硅层进行刻蚀工艺;其中...

9、一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法
[简介]: 本发明公开一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法,提供一硅基板,所述硅基板上覆盖有栅氧层,在所述栅氧层上淀积多晶硅,其特征在于,接着执行如下步骤:形成第一二氧化硅位于所述多晶硅上;在所述第一二氧化硅上形成刻...

10、一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法
[简介]: 一种刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法,其中氮化硅的刻蚀方法包括:提供衬底,所述衬底表面依次形成有氧化硅层和氮化硅层;在所述氮化硅层表面形成光刻胶图形;以所述光刻胶图形为掩膜,刻蚀所述氮化硅直至暴露出氧化硅层,所述刻...

11、刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法
[简介]: 本发明公开了一种提高刻蚀硬掩膜氧化层和氮化硅层刻蚀选择比的方法,刻蚀硬掩膜氧化层在刻蚀反应腔内进行,刻蚀硬掩膜氧化层时向刻蚀反应腔内通入含氟类刻蚀气体和氧气的比例为0.25~2,刻蚀反应腔内的源功率为0~100瓦。采...

12、提高刻蚀硬掩膜氧化层和氮化硅层刻蚀选择比的方法
[简介]: 本发明一种建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法,包括:在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅,其中,对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备,在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽,并进行曝光,对...

13、建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法
[简介]: 本发明氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法使用氮化硅-二氧化硅-氮化硅作为浅沟道隔离刻蚀的阻挡层,让STI干刻停止在最上层氮化硅,然后通过回刻去除第二氮化硅层,利用CMP去除中间的二氧化硅层,最后再用热...

14、氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法
[简介]: 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法。本发明提出一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法,通过采用在反应腔室外制备等离子体以进行等离子刻蚀工艺,能很好的控制刻蚀...

15、一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法
[简介]: 本发明公开了一种深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法,包括步骤:采用OF方式,用去离子水对硅片进行预处理;将硅片浸入到磷酸槽中进行刻蚀处理将氮化硅完全去除。本发明方法通过在将硅片浸入到磷酸槽中之前,增加一个预处...

16、深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法
[简介]: 本发明提供一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法,其步骤包括:1)在硅片衬底上首先利用等离子体增强型化学气相沉积方法(PECVD)沉积高k值氮化硅薄膜;2)通过光刻和刻蚀去除非MOM区域的氮化硅;3)沉积低k值介质层;4)化学...

17、一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法
[简介]: 本发明提供一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法,其步骤包括:1)沉积低k值介质层;2)通过光刻和刻蚀形成MOM区域;3)利用等离子体增强型化学气相沉积方法(PECVD)沉积高k值氮化硅;4)化学机械研磨去除多余氮化硅,形成低k值介...

18、一种金属-氮化硅-金属电容的制造方法
[简介]: 本发明公开一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法,在通孔刻蚀停止层上旋涂光阻之前,通过先将作为通孔刻蚀停止层的氮化硅薄膜表面游离的氮元素降低,再在其上旋涂光阻,避免使光阻直接接触含氮元素的薄膜而导致光阻...

19、一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法
[简介]: 一种氮化硅膜的干刻蚀方法,其特征在于,包括以下工序:准备在基板上层叠有氮化硅膜的被加工物;将被加工物搬入到高频电极及对置电极被平行配置的平行平板型的干刻蚀装置内,将所述被加工物的基板载置在所述高频电极上;将所...

20、氮化硅膜的干刻蚀方法
[简介]: 本发明公开了一种采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法,包括如下步骤:第一步,浅沟隔离刻蚀;第二步,缓冲氧化层切口刻蚀;第三步,氮化硅第一次回刻;第四步,在浅沟隔离露出的硅表面生长衬垫氧化层;第五步,氮化...

21、采用两次氮化硅回刻来改善浅沟隔离顶角圆化的方法
[简介]: 本发明涉及一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法,其是在经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅片上表面依次镀一层折射率为2.10~2.15的高折射率氮化硅减反射膜、一层折射率为2.25~2.30的高折射率氮化硅减反射膜和再一层折射...

22、一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法
[简介]: 本发明一般涉及半导体集成电路制造领域,更确切的说,本发明涉及改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构。本发明公开了一种改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构,通过采用氮化物层-氧化物层-氮化...

23、改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构
[简介]: 本发明是一种多层氮化硅膜的制备方法,按如下步骤进行:A.将经过制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积,得到高折射率氮化硅减反膜;B.得到高折射率氮化硅减反膜后,关闭硅烷流量1-2分钟,同时保持氨气流量和射频功率不变...

24、一种多层氮化硅膜的制备方法
[简介]: 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:将硅衬底进行氢气刻蚀处理;步骤2:通入三甲基铝,进行硅衬底表面铺铝;步骤3:不关断三甲基铝源,通入氨气,进行氮化铝缓冲层生长;步骤...

25、基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
[简介]: 一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法,包括:在沉积有牺牲层22的基材21上刻蚀出图案,接着填充金属铜;进行化学机械抛光后除去牺牲层,形成金属铜头23;沉积金属间绝缘介质24,25,26,27,28;定义刻蚀区,对...

26、一种用于铜工艺无边导通孔的自对准氮化硅覆层方法
[简介]: 本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法。本发明提出一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法,通过采用原位等离子刻蚀工艺去除小线宽处沉积侧壁氮化物层形成的悬挂膜,以...

27、一种改善侧墙氮化硅不同区域的厚度均匀性的方法
[简介]: 本发明公开了一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法,在一硅晶片衬底的两面上分别沉积一层低应力氮化硅薄膜,利用一掩膜板将氮化硅窗口图形转移至之相应的覆盖在一氮化硅薄膜上的光刻胶上,并形成光刻胶的被曝...

28、一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法
[简介]: 本发明涉及一种均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法,该方法根据硅片表面图形线宽和所需氮化硅薄膜的厚度要求,分次沉积氮化硅形成氮化硅薄膜,包括如下步骤:1在硅片表面的栅极结构上方及其两侧沉积氮化硅形成氮化硅薄膜;2...

29、均匀沉积氮化硅以形成侧墙的方法
[简介]: 本发明公开一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法,包括如下步骤:步骤A、在硅片上形成铜的种子层;步骤B、在所述铜的种子层上沉积覆盖一层铜的淀积层;步骤C、对铜的淀积层进行研磨;步骤D、将硅片送入反应腔室中,利用等...

30、一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法
[简介]: 本发明公开了一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法,在一衬底上形成有多个第一、第二半导体器件,在半导体器件的栅极及源极、漏极上沉积一层薄氧化物层,其中,包括以下步骤:在第一、第二半导体器件的薄氧化物层上沉积...

31、一种预防在双应力氮化硅工艺中光阻失效的方法
[简介]: 本发明公开了一种去除硅片背面氮化硅膜的方法,包括以下步骤:第一步,将背面有氮化硅膜的硅片放置于背面旋转刻蚀装置中;第二步,将上述硅片浸泡在氢氟酸药液中;第三步,将黏附在硅片表面的氢氟酸溶液旋转甩离硅片表面;第四...

32、去除硅片背面氮化硅膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种双层氮化硅减反膜的制作方法,按如下步骤进行A将经过清洗制绒、扩散、刻蚀后的晶体硅用管式PECVD沉积,得到高折射率氮化硅减反膜;B得到高折射率氮化硅减反膜后,关闭硅烷流量1-2分钟,同时保持氨气流量和射...

33、一种双层氮化硅减反膜的制作方法
[简介]: 一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法,包括进行衬垫氧化层12与氮化硅层13的刻蚀;在衬垫氧化层12与氮化硅层13的侧壁生成氧化物隔离层14,并进行浅隔离图案化氧化物隔离层14;在氧化物隔离层14空隙间...

34、一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法
[简介]: 本发明公开了一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法,其中,包括下列步骤:提供一种具有NMOS晶体管和PMOS晶体管的半导体衬底;在所述半导体衬底上沉积一层第一氮化硅层;在所述第一氮化硅层的表面沉积一层第二氮化硅层,所述第二...

35、一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
[简介]: 本发明公开了一种氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法,包括如下步骤:第一步,使用单个磷酸槽对氮化硅膜进行完全刻蚀;第二步,使用高温水洗槽进行清洗;第三步,使用单个磷酸槽进行过刻蚀;第四步,使用高温水洗槽进行清洗。采用本发明方...

36、氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法
[简介]: 本发明涉及氮化硅只读存储器技术领域,公开了一种存储器的字线的形成方法,先在衬底上形成一层导体层,再形成一层金属硅化物层和一层掩模图案,以便用掩模图案定义出数个字线区域并露出金属硅化物层的部分表面。接着,在衬底...

37、氮化硅只读存储器及其字线的制造方法
[简介]: 一种硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法,包括如下步骤:在硅衬底上生长缓冲层和一层三族氮化物;在已生长的三族氮化物表面沉积或蒸发一层二氧化硅膜,该二氧化硅膜是最后可协变衬底的支撑,并且在中空结构形成过程起重...

38、硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法
[简介]: 本发明公开了一种氮化硅薄膜的形成方法,包括步骤:将衬底放置于沉积室中;将高频射频电源设置在450至500W的范围内;将沉积室内通入的氮气流量设置在6000至10000sccm之间;在沉积室内通入氮气和反应气体;启动所述高频射频电...

39、氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法
[简介]: 本发明是关于一种氮化硅湿法腐蚀方法,包括:A.提供一氮化硅层,并通过光刻法在该氮化硅层上形成具有一次图形的光刻胶层;B.采用电子束蒸发方法蒸发铬金属形成金属铬层;C.剥离上述的光刻胶层,在氮化硅层上形成具有二次图形...

40、氮化硅湿法腐蚀方法
[简介]: 本发明公开了一种氮化硅膜的生长方法,在高密度等离子体腔体通硅烷和一氧化二氮,或者在高密度等离子体腔体中通硅烷和氨气,在高密度等离子体腔体中形成氮化硅膜。本发明的氮化硅膜的生长方法在淀积的同时刻蚀,刻蚀时能打...

41、一种氮化硅膜的生长方法
[简介]: 一种基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法,其工艺步骤如下:1.在基片上双面淀积氮化硅薄膜;2.在基片上旋涂抗蚀剂,光刻得到镂空窗口;3.利用抗蚀剂作为掩膜刻蚀氮化硅薄膜;4.利用氮化硅作为掩膜,湿法腐蚀基片得到氮化硅...

42、基于氮化硅镂空掩模的纳米电极制备方法
[简介]: 本发明集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法利用现有的工艺设备,在硅片背面低温沉积氮化硅。简单来说就是在金属前绝缘层(PMD)沉积后,再追长氮化硅膜做保护层,这可以有效减少背面划伤以及小颗粒,将硅片后翻,进入普...

43、集成在前道工艺中的硅片背面氮化硅成长方法
[简介]: 本发明介绍了一种金属-氮化硅-金属MOM电容的制作方法。通过形成低k值介质和高k氮化硅的混合层,再利用传统工艺的光刻蚀刻在低k值介质和高k氮化硅中形成金属槽并填充金属,在高k值材料氮化硅区域实现了高性能MOM电容器结...

44、一种金属-氮化硅-金属电容的制作方法
[简介]: 为了选择性地除去半导体装置中接触孔等底部上形成的氮化硅膜,用供应的生产气体进行等离子刻蚀,所述生产气体由具有碳碳键的第一氟化合物例如,八氟环丁烷C4F8、六氟丁二烯C4F6、八氟环戊烯C5F8等和在一个分子中包...

45、除去氮化硅膜的方法
[简介]: 本发明涉及一种适用碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺,无显影光刻胶由成膜物质、增感剂、有机碱、溶剂组成,各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶有机碱∶溶剂为(8-9)∶(0.5-1.0)∶(0.8-1.0)∶90。采用上述光刻胶刻蚀氮化硅...

46、碱性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
[简介]: 本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的工艺,无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为∶成膜物质∶增感剂∶光敏产酸物∶溶剂为(8-9)∶(0.5-1.0)∶(0.8-1.0)∶90。用上述光刻胶刻蚀氮化...

47、酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺
[简介]: 一种氮化硅陶瓷部件的微加工方法,涉及一种耐高温、耐氧化、高硬度的氮化硅陶瓷的微型部件的加工工艺。该方法主要包括三个部分:1利用热压或等离子体放电烧结技术将Si粉预烧成形,并将致密度控制在70-85%;2利用精密机械...




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