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陶瓷基板烧结工艺专业版

  • 开本:16开
  • 资料形式:DVD/U盘/电子版    正文语种: 简体中文
  • 可否打印:是    装帧: 平装
  • 分类:专业技术
  • 咨询电话:联系客服
  • 资料说明:资料都是电子文档PDF格式,可在电脑中阅读、放大 缩小、打印,可以网传,也可以刻录在光盘或优盘中(加收40元)邮寄 ,如需纸质版客户可自行打印。资料具体内容包括技术开发单位信 息、技术原理、技术原文,技术配方、工艺流程、制作方法,设备 原理、机械设计构造、图纸等,是开发产品不可多得的专业参考资料。

以下为本套资料目录和简介:

在陶瓷基板烧结过程中,烧结工艺和气氛影响着产品的性能,烧结温度梯度和烧结时间都决定了基板的外貌形态,也极大地影响着基板的介电性能。本文介绍先进窑炉装备在DBC/AMB、金属封装外壳、HTCC陶瓷外壳、LTCC等领域的应用解决方案.

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1、低温烧结陶瓷烧结体及多层陶瓷基板
      [摘要]  一种构成具备外部导体膜(4)的多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的低温烧结陶瓷烧结体,其中,该低温烧结陶瓷烧结体由非玻璃系的低温烧结陶瓷材料烧结形成,并析出了石英(Quartz)、氧化铝(Alumina)和硅钛钡石(Fresnoite)的各结晶相。由于陶瓷层(2)是非玻璃系的低温烧结陶瓷烧结体,因此其组成不均匀性小,可以低成本并且容易地制造多层陶瓷基板(1)。此外,由于陶瓷层(2)析出了前述的各结晶相,因此与外部导体膜(4)的接合强度高,并且烧结体自身的破坏韧性值大。

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2、低温烧结陶瓷烧结体及多层陶瓷基板
      [摘要]  一种构成具备外部导体膜(4)的多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的低温烧结陶瓷烧结体,其中,该低温烧结陶瓷烧结体由非玻璃系的低温烧结陶瓷材料烧结形成,并析出了石英(Quartz)、氧化铝(Alumina)和硅钛钡石(Fresnoite)的各结晶相。由于陶瓷层(2)是非玻璃系的低温烧结陶瓷烧结体,因此其组成不均匀性小,可以低成本并且容易地制造多层陶瓷基板(1)。此外,由于陶瓷层(2)析出了前述的各结晶相,因此与外部导体膜(4)的接合强度高,并且烧结体自身的破坏韧性值大。
3、低温烧结陶瓷材料及陶瓷基板
      [摘要]  本套资料提供一种低温烧结陶瓷材料,可形成烧成后的组成不均匀性较小且烧结体的弯曲强度高、表面电极的剥离强度高、可靠性优良的陶瓷基板。用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的低温烧结陶瓷材料含有主成分陶瓷材料和副成分陶瓷材料,实质上不含有Cr氧化物及B氧化物中的任何一种,其中,主成分陶瓷材料含有换算成SiO2为48~75重量%的Si、换算成BaO为20~40重量%的Ba以及换算成Al2O3为5~20重量%的Al,相对于100重量份的主成分陶瓷材料,副成分陶瓷材料含有换算成MnO为2~10重量份的Mn以及分别换算成TiO2和Fe2O3为0.1~10重量份的选自Ti和Fe的至少一种。
4、低温烧结陶瓷材料、低温烧结陶瓷烧结体和多层陶瓷基板
      [摘要]  本套资料解决如下问题:对于SiO2-BaO-Al2O3系低温烧结陶瓷材料而言,特别是将其作为原料工业上制造多层陶瓷基板时,存在原料批次间的品质(特别是烧结性)易于产生偏差。本套资料中,作为用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)而使用的陶瓷材料使用以下材料:以SiO2-BaO-Al2O3系低温烧结陶瓷材料作为基本成分,并且相对于该SiO2-BaO-Al2O3系基本成分100重量份,作为副成分含有以Fe2O3换算计为0.044~0.077重量份的铁,和以ZrO2换算计为0.30~0.55重量份的锆。优选的是所述SiO2-BaO-Al2O3系基本成分分别含有47~60重量%的SiO2,20~42重量%的BaO,5~30重量%的Al2O3。

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5、低温烧结陶瓷材料及陶瓷基板
      [摘要]  本套资料提供一种低温烧结陶瓷材料,可形成烧成后的组成不均匀性较小且烧结体的弯曲强度高、表面电极的剥离强度高、可靠性优良的陶瓷基板。用于构成多层陶瓷基板(1)的陶瓷层(2)的低温烧结陶瓷材料含有主成分陶瓷材料和副成分陶瓷材料,实质上不含有Cr氧化物及B氧化物中的任何一种,其中,主成分陶瓷材料含有换算成SiO2为48~75重量%的Si、换算成BaO为20~40重量%的Ba以及换算成Al2O3为5~20重量%的Al,相对于100重量份的主成分陶瓷材料,副成分陶瓷材料含有换算成MnO为2~10重量份的Mn以及分别换算成TiO2和Fe2O3为0.1~10重量份的选自Ti和Fe的至少一种。
6、氮化铝陶瓷基板的烧结方法
      [摘要]  一种氮化铝陶瓷基板的烧结方法,在基板烧结过程中,使用惰性气体对石墨烧结炉炉膛内的气氛进行置换,本套资料的烧结方法采用可控的氮气保护气氛,并定期置换炉内气氛,调整石墨烧结炉的炉膛压力和炉内化学物质气氛,排出杂质气氛,控制氮化铝陶瓷基板的热导率和提升基板的平整度。采用本套资料方法生产的基板的热导率可以稳定控制在170W/m·K以上,基板平整度合格率为95%以上。

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7、用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置
      [摘要]  本套资料涉及覆铜陶瓷基板制造加工技术领域,公开了一种用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置,包括:底板,所述底板上方设有基座;所述基座设有一开口槽;压条,所述压条通过所述开口槽插接所述基座。使用本套资料的加工治具,在第二面烧结时,在产品中间位置对铜片进行限位控制,可以有效防止烧结过程中铜片向移动,从而解决基板第二面烧结时铜与瓷之间的错位问题,提升产品的良率。
8、一种低温烧结铜纤维陶瓷基复合基板
      [摘要]  本套资料提供一种低温烧结铜纤维陶瓷基复合基板。该基板由陶瓷粉、铜纤维及低温玻璃烧结助剂组成。基板材料组成以质量百分数计:陶瓷粉30~40%,铜纤维20~40%,低温玻璃烧结助剂30~40%。本套资料提供的陶瓷基复合基板可在800~950℃烧成。本套资料选取价格低廉的可实现低温烧结的陶瓷粉体作为主要原料,通过在陶瓷基体中添加高导热铜纤维,铜纤维穿插于陶瓷基体之间,使材料的传热阻力降低,基板的热导率有很大程度的提高。同时加入一定量的低温玻璃烧结助剂,在金属纤维熔点以下实现基板的低温烧结。本套资料适用于LED的封装应用等领域。

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9、一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺
      [摘要]  本套资料提供一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺,所述工艺包括如下步骤:1)将氮化铝坯卷冲剪成一定尺寸的生坯;2)在氮化铝生坯表面敷上一层隔粘粉;3)将氮化铝生坯按次序正反面交错叠放在一起,优选5~25片叠放;4)在叠放好的氮化铝生坯上面放置重物,放入真空干燥箱内进行压平陈化处理,处理24~96小时;5)将压平陈化处理后的坯放在承烧板并放入间歇炉内进行排胶,排胶时间为80~200小时,最高排胶温度为450~700℃;6)将排胶后的产品放入烧结炉内烧结,烧结温度为1700~1900℃;7)用除尘设备除去烧结后的氮化铝基板表面的隔粘粉。本工艺能够实现氮化铝基板一次平整烧结,烧成后产品翘曲≤0.05mm/25.4mm,能够保证产品的平整度,从而节约成本和提高成品率。
10、一种陶瓷基板的高温烧结设备及其烧结方法
      [摘要]  本套资料公开了一种陶瓷基板的高温烧结设备,包括箱体装置,加热装置设置在箱体装置上,温度检测装置用于监测箱体装置内部的温度,温度检测装置与加热装置电连接,基板承载装置设置在箱体装置的底部上;基板承载装置包括基板承载部件,基板承载部件包括边框,边框内部被若干互相垂直的分割板分割成独立的限位框,限位框中设置有多个用于承载陶瓷基板的支撑杆,所有的支撑杆互相平行且等间距设置,支撑杆的一端设置在边框的一边上,支撑杆的另一端延伸至边框另一边的外侧且与传动组件相连,分割板上设置有与支撑杆配合的旋转孔,传动组件与动力组件相连,动力组件设置在箱体装置外侧。在本烧结设备中,有效的增加了陶瓷基板高温烧结的合格率。
13、玻璃陶瓷烧结体及配线基板
      [摘要]  本套资料提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小,且相对于温度变化特性难以变动的玻璃陶瓷烧结体及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体,其含有:结晶化玻璃、氧化铝填料、二氧化硅以及钛酸锶。结晶化玻璃的含量为50质量%~80质量%,氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为15.6质量%~31.2质量%,二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.4质量%~4.8质量%,钛酸锶的含量以SrTiO3换算计为4质量%~14质量%。
14、低温共烧陶瓷基板的成型与烧结方法
      [摘要]  本套资料涉及低温共烧陶瓷基板的成型与烧结方法,包括以下步骤:制备陶瓷坯片;将陶瓷坯片进行堆叠真空包装层压得陶瓷生坯组;对陶瓷生坯组进行冲孔、用银浆填孔,在陶瓷生坯组的顶面和底面分别用银浆印刷电路图形,获得待烧陶瓷生坯组;将待烧陶瓷生坯组放入排胶炉中进行两步排胶去粘;获得烧结中间过渡体;将烧结中间过渡体升温至陶瓷生坯烧结温度,并保温直至获得致密的陶瓷基板;然后冷却降温,获得低温共烧陶瓷基板。相对现有技术,本套资料氮化铝、氮化硼、氧化铍的复合,降低了成本,保持了散热性能;添加石墨烯纳米颗粒,有利于提高热传递,也提高了陶瓷基板的致密度;羟甲基纤维素优化了陶瓷基板的物化性能。

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15、陶瓷烧结体以及半导体装置用基板
      [摘要]  在陶瓷烧结体(3)中,Zr的含量以ZrO2换算为17.5质量%以上且23.5质量%以下,Hf的含量以HfO2换算为0.3质量%以上且0.5质量%以下,Al的含量以Al2O3换算为74.3质量%以上且80.7质量%以下,Y的含量以Y2O3换算为0.8质量%以上且1.9质量%以下,Mg的含量以MgO换算为0.1质量%以上且0.8质量%以下,Si的含量以SiO2换算为0.1质量%以上且1.5质量%以下,Ca的含量以CaO换算为0.03质量%以上且0.35质量%以下,Na以及K的合计含量在将Na的含量设为Na2O换算并将K的含量设为K2O换算的情况下,为0.01质量%以上且0.10质量%以下,剩余部分的含量以氧化物换算为0.05质量%以下。Mg的MgO换算的含量、Si的SiO2换算的含量、Ca的CaO换算的含量、Na的Na2O换算的含量、K的K2O换算的含量、以及剩余部分的含量之和为0.3质量%以上且2.0质量%以下。
16、玻璃陶瓷烧结体及配线基板
      [摘要]  本套资料提供一种在10GHz以上的高频区域中介电损耗小的玻璃陶瓷烧结体以及使用其的配线基板。一种玻璃陶瓷烧结体,其含有结晶化玻璃、氧化铝填料及二氧化硅。结晶化玻璃的含量为45质量%~85质量%,氧化铝填料的含量以Al2O3换算计为14.8质量%~50.1质量%,二氧化硅的含量以SiO2换算计为0.2质量%~4.9质量%。
17、一种陶瓷基板的烧结方法
      [摘要]  本套资料公开了一种陶瓷基板的烧结方法,其特征在于,包括(1)混料:按重量份数计,取陶瓷粉末放入磨筒中研磨成浆料,然后加入1份分散剂,15~20份烧结助剂,得到混合料、(2)制作陶瓷坯片:通过流延的方法制得陶瓷坯片、(3)制作生坯组、(4)排胶去粘、(5)二次烧结成型、(6)降温取物,通过在将陶瓷基板进行在烧结炉中经过一次低温烧结后,然后将炉内温度上升到指定温度后进行二次烧结,两次烧结材料生长完全、结晶性好,再次高温烧结粒度增大,同时也可修饰表面形貌、降低比表面积、降低金属单质含量,同时也可以略微增大粒子粒度。
18、用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置
      [摘要]  本套资料涉及覆铜陶瓷基板制造加工技术领域,公开了一种用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置,包括:底板,所述底板上方设有基座;所述基座设有一开口槽;压条,所述压条通过所述开口槽插接所述基座。使用本套资料的加工治具,在第二面烧结时,在产品中间位置对铜片进行限位控制,可以有效防止烧结过程中铜片向移动,从而解决基板第二面烧结时铜与瓷之间的错位问题,提升产品的良率。
19、一种陶瓷基板烧结生产线用输出系统
      [摘要]  本套资料公开了一种陶瓷基板烧结生产线用输出系统,包括进料装置、真空吸附输送装置、接料小车、冷却装置以及控制装置,进料装置位于真空吸附输送装置的起始端,用于将陶瓷基板送入真空吸附输送装置,接料小车位于真空吸附输送装置的末端,冷却装置位于真空吸附输送装置的正下方,控制装置与进料装置、真空吸附输送装置均为电联接。烧结完成的陶瓷基板经由真空吸附输送装置进行输出,真空吸附输送装置的皮带上设置有伸缩吸盘,当需要对陶瓷基板进行吸附时,伸缩吸盘伸出并提供吸附力,当陶瓷基板进入接料小车区域,伸缩吸盘缩回并释放陶瓷基板,完成自动落料;且接料小车在接料过程中能够自动升起,尽量缩短陶瓷基板落下的高度,避免其损伤。
20、一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺
      [摘要]  本套资料提供一种氮化铝陶瓷基板烧结工艺,所述工艺包括如下步骤:1)将氮化铝坯卷冲剪成一定尺寸的生坯;2)在氮化铝生坯表面敷上一层隔粘粉;3)将氮化铝生坯按次序正反面交错叠放在一起,优选5~25片叠放;4)在叠放好的氮化铝生坯上面放置重物,放入真空干燥箱内进行压平陈化处理,处理24~96小时;5)将压平陈化处理后的坯放在承烧板并放入间歇炉内进行排胶,排胶时间为80~200小时,最高排胶温度为450~700℃;6)将排胶后的产品放入烧结炉内烧结,烧结温度为1700~1900℃;7)用除尘设备除去烧结后的氮化铝基板表面的隔粘粉。本工艺能够实现氮化铝基板一次平整烧结,烧成后产品翘曲≤0.05mm/25.4mm,能够保证产品的平整度,从而节约成本和提高成品率。
21、陶瓷烧结体以及半导体装置用基板
      [摘要]  陶瓷烧结体(3)包含Zr、Al、Y和Mg,Zr的含量以ZrO2换算为7.5质量%以上且23.5质量%以下,Al的含量以Al2O3换算为74.9质量%以上且91.8质量%以下,Y的含量以Y2O3换算为0.41质量%以上且1.58质量%以下,Mg的含量以MgO换算为0.10质量%以上且0.80质量%以下。陶瓷烧结体(3)的热老化后M相率为15%以下。
22、一种低温烧结氧化锆陶瓷基板
      [摘要]  本套资料提供一种低温烧结氧化锆陶瓷基板,涉及陶瓷基板领域。该一种低温烧结氧化锆陶瓷基板,包括氧化锆陶瓷基板,所述氧化锆陶瓷基板的底部固定连接有第一绝缘层,所述氧化锆陶瓷基板的上表面一侧固定连接有第一金属保护套,所述第一金属保护套的内部设置有第一焊接盘,所述第一焊接盘的底部固定连接有氧化锆陶瓷基板,所述第一焊接盘的上表面固定连接有第一圆形固定板,所述第一圆形固定板的一侧固定连接有第一引线,所述氧化锆陶瓷基板的上表面并且与第一金属保护套对称的位置固定连接有第二金属保护套,所述第二金属保护套的内部设置有第二焊接盘。通过氧化铜连接层的使用,使得氧化锆陶瓷基板的抗弯强度和耐磨性更加强。


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