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碳化硅合成方法技术资料

作者:未知 来源:本站原创 发布时间:2019年12月21日

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1、碳化硅合成方法

本技术公开了一种碳化硅合成方法,包括装填料、通电加热、恒功率保持、自然冷却和出料工序,其特点是至少在装填料工序的装入导电用石墨粉前,在炉体加热腔一侧的炉头石墨电极上涂抹一层石墨粉浆,然后再进行装填料工序的装入导电用石墨粉。与现有技术相比,本技术能防止熔融物粘结在石墨电极表面上,下一次装料前,石墨电极表面清理非常容易,只要用刮刀轻刮就能完全去除涂抹在石墨电极表面上的石墨粉和熔融物,并且由于涂抹时使用的结合剂是水,受热即挥发掉,不影响石墨电极和炉心石墨粉之间的导电性,也不会损坏石墨电极表面,因而大大延长了石墨电极的寿命,减少了维修,提高了生产效率,降低了生产成本。



2、碳化硅合成方法

本技术公开了一种碳化硅合成方法,包括装填料、通电加热、恒功率保持、自然冷却和出料工序,其特点是至少在装填料工序的装入导电用石墨粉前,在炉体加热腔一侧的炉头石墨电极上涂抹一层石墨粉浆,然后再进行装填料工序的装入导电用石墨粉。与现有技术相比,本技术能防止熔融物粘结在石墨电极表面上,下一次装料前,石墨电极表面清理非常容易,只要用刮刀轻刮就能完全去除涂抹在石墨电极表面上的石墨粉和熔融物,并且由于涂抹时使用的结合剂是水,受热即挥发掉,不影响石墨电极和炉心石墨粉之间的导电性,也不会损坏石墨电极表面,因而大大延长了石墨电极的寿命,减少了维修,提高了生产效率,降低了生产成本。



3、碳化硅合成电阻炉

本技术公开了一种碳化硅合成电阻炉,包括炉柱1、炉壁板4、炉头和炉头电极6,炉柱上设有炉柱护板2,护板2上设有耐火砖3层。与现有技术相比,清炉和装炉时只需对炉内进行打扫、清洗,无需柝卸炉堂内的耐火砖,从而节省大量劳力和材力,大大提高生产效率,炉柱不会受到中盐分的侵蚀,有效延长炉子的使用寿命。



4、绿碳化硅合成工艺方法

本技术公开了一种绿碳化硅合成工艺方法,包括装填料、恒功率冶炼、冷却和出料工序流程,其要点是:在本轮合成时,至少在反应区(3)中装填前轮合成中使用过的侧焙烧区(12)及上焙烧区(13)的物料进行合成反应;将前轮合成中使用过的底焙烧区(11)的焙烧料填装到本轮的侧焙烧区(12)和上焙烧区(13)进行二次焙烧。与现有技术相比,本技术采用二次焙烧和反应工艺,能有效防止原材料及炉底部焙烧过程中杂质直接进入到下一炉反应区,影响绿碳化硅的生成及成色,同时也替换掉长期循环使用的保温物料,不仅提高了绿碳化硅产品的品质,还大大降低了能耗。



5、绿碳化硅合成工艺方法

本技术公开了一种绿碳化硅合成工艺方法,包括装填料、恒功率冶炼、冷却和出料工序流程,其要点是:在本轮合成时,至少在反应区(3)中装填前轮合成中使用过的侧焙烧区(12)及上焙烧区(13)的物料进行合成反应;将前轮合成中使用过的底焙烧区(11)的焙烧料填装到本轮的侧焙烧区(12)和上焙烧区(13)进行二次焙烧。与现有技术相比,本技术采用二次焙烧和反应工艺,能有效防止原材料及炉底部焙烧过程中杂质直接进入到下一炉反应区,影响绿碳化硅的生成及成色,同时也替换掉长期循环使用的保温物料,不仅提高了绿碳化硅产品的品质,还大大降低了能耗。



6、碳化硅合成电阻炉

本技术公开了一种碳化硅合成电阻炉,包括炉柱1、炉壁板4、炉头和炉头电极6,炉柱上设有炉柱护板2,护板2上设有耐火砖3层。与现有技术相比,清炉和装炉时只需对炉内进行打扫、清洗,无需柝卸炉堂内的耐火砖,从而节省大量劳力和材力,大大提高生产效率,炉柱不会受到中盐分的侵蚀,有效延长炉子的使用寿命。



7、用于合成超高纯度碳化硅的方法

本技术公开了一种形成多晶碳化硅材料的方法,将低密度的、具有透气性和蒸汽渗透性的块状碳定位在石墨坩埚内部的第一位置,并且将元素硅和元素碳的混合物定位在第二位置。将混合物和块状碳加热至低于元素硅的熔点的第一温度而将所吸附的气体、湿气、和/或挥发物从混合物和块状碳中移除。然后将混合物和块状碳加热到第二温度,致使元素硅和元素碳反应,在坩埚内部形成合成碳化硅。然后加热合成碳化硅和块状碳,致使合成碳化硅升华并产生蒸汽,蒸汽转移进入并凝结在块状碳上,并与块状碳反应,形成多晶碳化硅材料。



8、一种热源并联式碳化硅合成炉

本技术公开了一种热源并联式碳化硅合成炉,包括炉底,所述炉底上设置有环绕一周形成矩形围挡的保温外墙,所述炉底上方且位于保温外墙内侧从下至上依次设置有底部透气层和保温透气层,所述底部透气层上且位于保温透气层的左右两侧均设置有带孔隙保温内墙,所述保温透气层上设置有与带孔隙保温内墙平行的n个隔断墙,左侧带孔隙保温内墙的外壁与保温外墙左侧内壁之间、右侧带孔隙保温内墙的外壁与保温外墙右侧内壁之间以及隔断墙的两个带孔隙保温墙之间均设置有中空排气层。本技术的合成炉结构设计合理,不仅能够有效降低炉内压力,并且能使热量不易散失,从而在保温的前提下,降低喷炉事故的发生,减少一氧化碳气体对人员的伤害。



9、碳化硅纳米线的电化学合成方法

本技术公开了一种碳化硅纳米线的电化学合成方法,以纳米二氧化硅为原料,在其中按碳化硅化学计量比1:1加入纳米碳粉和1~2%(重量百分比)的聚乙烯醇缩丁醛粘结剂后球磨获得细粉;然后在12~20 MPa下压制成薄片作为制备碳化硅纳米线的阴极,以无水氯化钙作为电解质,以惰性气体为保护气。用8%(摩尔比)氧化钇稳定氧化锆固体透氧膜管组装阳极作为可控阳极体系在900~1150℃和3.0~4.0伏电压条件下进行直接脱氧,通过透氧膜高效脱氧及精确控制反应过程直接原位合成碳化硅纳米线。本技术可实现从二氧化硅/碳前驱体一步合成碳化硅,极大改善现有制备方法,具有效率高、原料要求低、能耗低等特点。



10、一种多孔碳化硅材料的合成方法

本技术公开了一种多孔碳化硅材料的合成方法,包括步骤为:将二氧化硅和硅预先球磨一定时间,再加入活性碳高温反应3-4小时,反应结束后再在空气中焙烧1-2小时,得到碳化硅固体;将所述碳化硅、高岭土和氧化铝在有机溶剂中搅拌3-5小时,烘干、干压并静压成型,再高温烧结得到多孔碳化硅材料。通过上述方式,本技术的多孔碳化硅材料的合成方法,该方法能得到平均孔径为0.10-0.15μm且孔径均匀的多孔碳化硅材料,孔隙率高,在气孔率为70%时所述碳化硅多孔材料的抗弯强度能达到30MPa,能作为催化剂载体用于各种反应中,具有很高的选择性。



13、一种合成仿生碳化硅晶须的方法

本技术涉及一种合成仿生碳化硅晶须的方法。所采取的技术方案是:将酚醛树脂和含硅化合物按摩尔比为1∶1.01~3.0混合,外加为酚醛树脂重量百分含量3~15%的乌洛托品为固化剂,外加为酚醛树脂和含硅化合物重量百分含量10~90%的分散剂,再将所配原料混合5~180分钟,机压成型,在90~120℃条件下干燥20~30小时,然后在埋碳气氛下升温到1100~1700℃,保温5~600分钟,自然冷却。本技术合成的碳化硅晶须为仿生哑铃状,原位均匀分散在各种基质中,反应完全。本技术具有合成工艺简单、成本低,能大批量工业化生产的特点,在结构陶瓷尤其是耐火材料中具有良好的应用前景。



14、一种合成碳化硅纳米棒的方法

本技术公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩埚里,将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩埚上,随后倒置另一石墨坩埚于基片上;将坩埚放置真空高温烧结炉里,以10~30℃/min的升温速率一直升温到1400℃~1600℃,保温时间3~6个小时,硅蒸气与碳纳米管反应,整个装置在Ar的气氛下进行,反应结束后,关掉加热电源,冷却;最后有大量的灰白色的纳米SiC棒粉体产品附着在基片上。所得产品的质量很高,产品杂质少且产率很高,无层错等缺陷;无需使用金属催化剂,所以也避免了因催化剂的混入而导致产品不纯的缺陷;反应设备简单,操作成本低。



15、一种针状纳米碳化硅的合成方法

本技术公开了一种针状纳米碳化硅的合成方法。硅作为起始的原材料首先被置于石墨坩锅里,然后将聚丙烯腈基碳纤维或活性碳纤维丝分布在于石墨坩锅上,再倒置同样直径大小的坩锅于装有硅源的石墨坩锅上,放置在真空高温烧结炉内,以10~30℃/min的升温速率一直升温到1500~1650℃,保温时间3~9个小时。整个装置在Ar的气氛下进行,保温时间结束后,以5~20℃/min的降温速率降温到1200℃,然后关掉加热电源,冷却水循环直至完全冷却。它以碳纤维为碳源,硅蒸汽为硅源制备了针状一维纳米碳化硅。这种针状一维纳米碳化硅在碳基体呈发散状生长。在碳基体上生长的针状一维纳米碳化硅在场发射效应、光致发光及电致发光等领域具有一定的应用前景。



16、准气相法合成碳化硅纳米粉的方法

准气相法合成碳化硅纳米粉的方法,本技术公开了该方法是利用含碳气体在不完全燃烧时生成的呈纳米状态的碳元素,以及含碳气体燃烧时创造的高温条件下,与加入的含硅气体分解成的硅元素自热结合生成纳米碳化硅;本技术的优点在于:所用原料为乙炔、甲烷、石油液化气等,成本低,生产设备简单,工艺条件要求低,能源消耗较少,可实现大规模的连续化生成,反应产物除碳化硅纳米粉外,就是水、一氧化碳和二氧化碳,其中的一氧化碳可经洗涤净化后重新用作能源,因而无污染产生,高效环保。



17、一种合成纳米碳化硅晶须的方法

本技术公开了一种合成纳米碳化硅晶须的方法,该方法包括以下步骤:将纳米微晶纤维素水溶液加热至25-70℃,加入酸性催化剂,混匀;将含硅化合物溶解于无水乙醇中,然后滴入到上述的混合溶液中,25-90℃下反应3-6小时;将所得的产物离心,取沉淀物;将沉淀在氩气氛围下加热至900-1200℃,维持0.5-15小时,得到纳米碳化硅晶须。本技术合成纳米碳化硅晶须的工艺简单,所得纳米碳化硅晶须具有较好的单分散性,得到的产物粒径大小均一;通过改变纳米微晶纤维素、酸催化剂和硅源的比例可以合成出不同粒径大小的纳米碳化硅晶须,将纳米碳化硅晶须应用于金属基、陶瓷基和高聚物基复合材料增强,有望在复合材料领域发挥了重要的作用。



18、碳化硅合成炉专用密封料

本技术公开了一种碳化硅合成炉专用密封料。本技术的专用密封料由以下重量组份组成:碳化硅55~73份,二氧化硅5~8份,液体水玻璃8~20份,磷酸8~20份,在使用前将液体水玻璃和磷酸与上述碳化硅和二氧化硅粉末按比例混合均匀,在半干状态下,捣打入石墨电极和耐火砖之间的空隙中即可。与现有技术相比,本技术的碳化硅合成炉专用密封料考虑到了常温、中温、高温情况下的结合性能,从而有效防止了在炉头材料升温过程中受热膨胀,密封料因挤压而剥落,大大延长了合成炉的维修周期,特别是炉头使用时间可延长到2~3年。



19、燃烧合成均质纳米碳化硅粉体的方法

本技术属于无机纳米材料制备技术领域,特别涉及燃烧合成均质纳米碳化硅粉体的方法。以硅粉、碳粉、氮化硅或碳化硅添加剂和聚四氟乙烯为原料,按照一定比例配制成反应物料,经研磨混合后,用石墨坩埚盛装物料,放入密闭高压反应合成装置中;反应装置抽真空后充入氮气至适当压力,通过采用局部电热点火或者局部高频感应加热方式引发燃烧合成反应;待反应完毕,将产物收集处理,可得到均质纳米碳化硅粉体,其平均晶粒尺寸小于100nm。本技术实现了利用燃烧合成技术低成本制备高质量纳米碳化硅粉体,且工艺实施简单、方便,合成过程节能、清洁无污染。



20、用碳化硅与金属合成金刚石的方法

一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法,以SiC为碳源,以纯金属Mn、Fe、Ni,Co基合金,Mn基合金,Ni基合金,Fe基合金,Cu-Nb合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒;采用旁热式粉末混合或积层接触工艺,压力为3~5.5GPa,温度为600~1500℃,保温时间为5秒~20分钟。此种方法合成的金刚石晶体生长对称、完整、等积形晶体比例高,不易相互干扰形成连晶。



21、一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品

本技术公开了一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品,其中方法包括,以三嵌段共聚物P123为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,糠醇为碳源制备出C/SiO2前驱体;在惰性气体下,将C/SiO2前驱体经镁热还原和洗涤干燥,得到碳化硅材料,晶型为3C?SiC。我方技术提供的低温合成高比表面介孔碳化硅的方法很大程度上降低了制备温度,反应温度可降为700℃以下,能耗明显降低;前驱体制备时间很短,只需4天左右;本技术中前驱体材料选取了互为支撑、交互生长的C/SiO2作为前驱体,由此带来的优势主要体现在反应过程中骨架结构得到最大程度的保留,所制备材料比表面积较大,可达600~800m2/g;碳化硅介孔材料颗粒大小和颗粒分布均匀,尺寸在10~20nm。



22、一种低温辅助反应诱发合成碳化硅或碳化硅纳米管的方法

本技术公开了一种低温辅助反应诱发合成碳化硅或碳化硅纳米管的方法,它以硅粉为硅源,以石墨或碳纳米管为碳源,将硅源、碳源、钠和硫或者将硅源、碳源、钠和碘于反应釜中加热到200-600℃,使硅源和碳源在钠与硫或碘的辅助反应诱发下反应,然后直接冷却或保温后冷却至室温,最后经除杂干燥制得碳化硅或碳化硅纳米管。该种方法产率高,反应温度低,反应时间短,节约能源,可重复性好,操作简单、无污染、辅助反应的反应物和生成物易清除,有利于SiC的大量生产。



25、电阻炉合成单晶碳化硅制备方法

本技术在电阻炉合成单晶碳化制备方法,而单晶碳化硅是属半导体技术领域中一种半导体芯片高性能材料。广泛用于高科技及国防工业上。创造性突破半导体高性能材料单晶碳化硅合成新方法。现技术在电阻炉合成单晶碳化硅,严格控制温度在2600度,形成合成结晶空间,制备方法:“熔解法”,按配方比例配料SIC晶种,辅以绿碳化硅及硅砂为填充料,在电阻炉合成单晶碳化硅,质量好、晶体大。新颖性特征:比单晶硅在力学性质、光学性质、热学性质,导电性质等,在各方面都有明显的优越。其特点:耐高温抗烧蚀,硬度高耐磨损,强度高耐抗压,耐老化寿命长,电阻低导电好。电阻炉合成单晶碳化硅填补半导体芯片高性能材料的空白。单晶碳化硅、投资少、效益高特别适合中小企业开发生产、经济及社会效益显著。



26、一步合成碳化硅纤维多孔陶瓷的方法

本技术涉及无机非金属材料技术领域,特别公开了一种一步合成碳化硅纤维多孔陶瓷的方法。该一步合成碳化硅纤维多孔陶瓷的方法,其特征为:将羟甲基纤维素、氮化硅、活性炭和聚乙烯醇混合均匀,压制成型;在氮气气氛保护下,高温烧结并保温,然后冷却至室温,得到未处理的碳化硅纤维多孔陶瓷;将多孔陶瓷在保温;然后在酸中浸泡2h,最后用去离子水洗涤,干燥得到成品。本技术的方法有利于解决传统工艺中存在的过程复杂、成本高等问题,并且提高了碳化硅纤维多孔陶瓷的性能,产品可广泛用作传感器、气体、液体过滤材料、催化剂载体等。



27、电阻炉合成单晶碳化硅制备方法

本技术在电阻炉合成单晶碳化硅制备方法,而单晶碳化硅是属半导体技术领域中半导体芯片材料,广泛用于高科技术及国防工业上。单晶碳化硅合成有许多方法,常用单晶碳化硅合成方法是“升华法”,是在真空一般为10-30毫米汞柱的碳管炉内,靠装填碳管炉内sic炉料升华在内壁生长合成单晶碳化硅。现技术在电阻炉合成单晶碳化硅,严格控制温度在2600度,形成合成结晶空间,制备方法是“熔解法”,在电阻炉中埋入密闭石墨干坩埚,不受对流冲击影响,按配方比例配料sic晶种与粘结剂树脂溶液树脂干粉搅拌均匀,木模成型,电炉干燥加热固化放入石墨干坩内辅以录碳化硅及硅砂为填充料,在电阻炉合成单晶碳化硅,质量好,晶体大,投资少,效益高,特别适合中小型企业开发生产,经济及社会效益显著。



28、绿碳化硅全新料焙烧合成方法

本技术涉及冶炼化工技术领域,一种绿碳化硅全新料焙烧合成方法,包括装填料、恒功率冶炼、冷却、出料工序流程,其特征在于:所述填装料过程中,将所述保温区变为焙烧区,即将所述上部保温区变为上部焙烧区,将侧部保温区变为侧部焙烧区,每炉的所述上部焙烧区及侧部焙烧区装填的是配比好的石英砂和石油焦混合料,在填装下一炉物料时,将上一炉底部焙烧区和侧部焙烧区、上部焙烧区的物料填装到下部反应区、侧部反应区、上部反应区及分解区,依次循环填充使用。本技术能够有效防止绿碳化硅中Sic含量降低、碳化硅成色不好、杂质排出比重不足、耗电量增加,大大改善了碳化硅品质,进而提高产品品质和降低生产成本。



29、一种多孔碳化硅材料的合成方法

本技术公开了一种多孔碳化硅材料的合成方法,包括步骤为:将二氧化硅和硅预先球磨一定时间,再加入活性碳高温反应3-4小时,反应结束后再在空气中焙烧1-2小时,得到碳化硅固体;将所述碳化硅、高岭土和氧化铝在有机溶剂中搅拌3-5小时,烘干、干压并静压成型,再高温烧结得到多孔碳化硅材料。通过上述方式,本技术的多孔碳化硅材料的合成方法,该方法能得到平均孔径为0.10-0.15μm且孔径均匀的多孔碳化硅材料,孔隙率高,在气孔率为70%时所述碳化硅多孔材料的抗弯强度能达到30MPa,能作为催化剂载体用于各种反应中,具有很高的选择性。



30、一种碳化硅多孔材料的合成方法

本技术公开了一种碳化硅多孔材料的合成方法,包括步骤为:将二氧化硅和硅混合均质,再加入活性炭并反应5-7小时,反应温度为800-1000℃,得到碳化硅;将碳化硅和环糊精加入到有机溶剂中球磨,再过滤烘干,得到碳化硅多孔材料。通过上述方式,本技术碳化硅多孔材料的合成方法,该方法能得到孔径均匀的碳化硅多孔材料,平均孔径为0.10-0.15μm,孔隙率高,在气孔率为70%时所述碳化硅多孔材料的抗弯强度能达到30MPa,能作为催化剂载体用于各种反应中,具有很高的选择性。



31、一种合成纳米碳化硅晶须的方法

本技术公开了一种合成纳米碳化硅晶须的方法,该方法包括以下步骤:将纳米微晶纤维素水溶液加热至25-70℃,加入酸性催化剂,混匀;将含硅化合物溶解于无水乙醇中,然后滴入到上述的混合溶液中,25-90℃下反应3-6小时;将所得的产物离心,取沉淀物;将沉淀在氩气氛围下加热至900-1200℃,维持0.5-15小时,得到纳米碳化硅晶须。本技术合成纳米碳化硅晶须的工艺简单,所得纳米碳化硅晶须具有较好的单分散性,得到的产物粒径大小均一;通过改变纳米微晶纤维素、酸催化剂和硅源的比例可以合成出不同粒径大小的纳米碳化硅晶须,将纳米碳化硅晶须应用于金属基、陶瓷基和高聚物基复合材料增强,有望在复合材料领域发挥了重要的作用。



32、碳化硅合成炉用砌筑泥浆

本技术公开了一种碳化硅合成炉用砌筑泥浆,由以下重量组份组成:碳化硅15~20份,铝钒土20~30份,粘土40~55份,液体水玻璃3~5份,磷酸3~5份;将上述的碳化硅、铝钒土、粘土粉碎成≤0.3mm的细粉,在使用前取水20~50份,同时加入液体水玻璃和磷酸搅拌均匀即可使用。与现有技术相比,本技术充分考虑到了常温、中温和高温情况下的结合性能,从而使砌筑泥浆在常温、中温和高温状态下均具有较高结合强度,特别是700℃~1300℃,甚至在1300℃以上时,仍具有很好的支撑作用,有效减少炉头、炉体耐火砖移位、结构变形扭曲程度,大大延长耐火砖砌体的使用寿命。



33、制备碳化硅多孔陶瓷的燃烧合成法

制备碳化硅多孔陶瓷的燃烧合成法,随着特种陶瓷材料需求的日益增大,提高生产效率、降低生产成本已成为目前特种陶瓷材料研究的热点。本技术组成包括:多孔陶瓷的设计、制粉、燃烧合成,所述的燃烧合成是将干燥后的粉体以松散的形式倒入模具中,并在模具旁边堆放一层引燃剂,开始燃烧合成时,接通加热电阻的电源,使其发热,将引燃剂点燃,在引燃剂的作用下,粉体也开始燃烧,在粉体燃烧40-60s后,在压头上施加100-150t的压力,使其成型,并一直保持此压力直至其冷却至室温。本技术应用于材料领域。



34、一种合成碳化硅纳米棒的方法

本技术公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩锅里,将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩锅上,随后倒置另一石墨坩锅于基片上;将坩锅放置真空高温烧结炉里,以10~30℃/min的升温速率一直升温到1400℃~1600℃,保温时间3~6个小时,硅蒸气与碳纳米管反应,整个装置在Ar的气氛下进行,反应结束后,关掉加热电源,冷却;最后有大量的灰白色的纳米SiC棒粉体产品附着在基片上。所得产品的质量很高,产品杂质少且产率很高,无层错等缺陷;无需使用金属催化剂,所以也避免了因催化剂的混入而导致产品不纯的缺陷;反应设备简单,操作成本低。



37、用碳化硅与金属合成金刚石的方法

一种用碳化硅与金属合成金刚石的方法。以SiC为碳源;以纯金属Cr、Mn、Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ta、Co基合金,Al基合金,Ti基合金,Mn基合金,Ni基合金,Fe基合金,IB族元素与4A、5A、6A族元素和4A、5A、6A族元素的碳化物之间的2元合金及上述合金基础上添加其它元素形成的多元合金中的一种为触媒;采用旁热式粉末混合或积层接触工艺,压力为3~5.5GPa,温度为600°~1500℃,保温时间为5秒~20分钟。



38、一种碳化硅晶须的合成工艺

本技术公开了一种碳化硅晶须的合成工艺,包括稻草切碎酸洗、制备稻草炭和高温制备碳化硅晶须等步骤。利用稻草和硅粉可以得到以β型为主的SiCw,晶须以光滑、直晶为主,直径为20~100nm,晶须中含有孪晶等面缺陷。本技术可以提高废弃物稻草的利用率,避免稻草秸秆作为燃料燃烧而产生可吸入颗粒物等污染物的现状。



39、一种制备合成碳化硅猫眼的方法

本技术公开了一种制备合成碳化硅猫眼的方法,提供了一种对碳化硅生产过程中所产生的废品进行有效利用的途径。包括选择包含有一组密集、平行定向排列微管的合成碳化硅单晶块;在显微镜下观察所选合成碳化硅单晶块,并测量其微管(1)的方向及尺寸;根据测得的微管(1)的方向和尺寸,将所选合成碳化硅单晶块切割成半球形(2),半球形(2)的球面半径R与半球形截面的高度F之间满足:F=R/(n-1),n为合成碳化硅的折射率;该半球形的底面与所测得的微管平行,且该半球形的底面(3)的长轴(4)与微管的方向垂直;得到合成碳化硅猫眼。将生产过程中的碳化硅单晶废品进行有效利用,制作出高价值的人造宝石。



40、用于合成超高纯度碳化硅的方法

本技术公开了一种形成多晶碳化硅材料的方法,将低密度的、具有透气性和蒸汽渗透性的块状碳定位在石墨坩埚内部的第一位置,并且将元素硅和元素碳的混合物定位在第二位置。将混合物和块状碳加热至低于元素硅的熔点的第一温度而将所吸附的气体、湿气、和/或挥发物从混合物和块状碳中移除。然后将混合物和块状碳加热到第二温度,致使元素硅和元素碳反应,在坩埚内部形成合成碳化硅。然后加热合成碳化硅和块状碳,致使合成碳化硅升华并产生蒸汽,蒸汽转移进入并凝结在块状碳上,并与块状碳反应,形成多晶碳化硅材料。



41、一种热源并联式碳化硅合成炉

本技术公开了一种热源并联式碳化硅合成炉,包括炉底,所述炉底上设置有环绕一周形成矩形围挡的保温外墙,所述炉底上方且位于保温外墙内侧从下至上依次设置有底部透气层和保温透气层,所述底部透气层上且位于保温透气层的左右两侧均设置有带孔隙保温内墙,所述保温透气层上设置有与带孔隙保温内墙平行的n个隔断墙,左侧带孔隙保温内墙的外壁与保温外墙左侧内壁之间、右侧带孔隙保温内墙的外壁与保温外墙右侧内壁之间以及隔断墙的两个带孔隙保温墙之间均设置有中空排气层。本技术的合成炉结构设计合理,不仅能够有效降低炉内压力,并且能使热量不易散失,从而在保温的前提下,降低喷炉事故的发生,减少一氧化碳气体对人员的伤害。



42、碳化硅纳米线的电化学合成方法

本技术公开了一种碳化硅纳米线的电化学合成方法,以纳米二氧化硅为原料,在其中按碳化硅化学计量比1∶1加入纳米碳粉和1~2%(重量百分比)的聚乙烯醇缩丁醛粘结剂后球磨获得细粉;然后在12~20MPa下压制成薄片作为制备碳化硅纳米线的阴极,以无水氯化钙作为电解质,以惰性气体为保护气。用8%(摩尔比)氧化钇稳定氧化锆固体透氧膜管组装阳极作为可控阳极体系在900~1150℃和3.0~4.0伏电压条件下进行直接脱氧,通过透氧膜高效脱氧及精确控制反应过程直接原位合成碳化硅纳米线。本技术可实现从二氧化硅/碳前驱体一步合成碳化硅,极大改善现有制备方法,具有效率高、原料要求低、能耗低等特点。



43、高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法

本技术涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法,包括:配料工序:将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀,其摩尔比为1:1~1.5:1;高真空热处理工序:将高纯Si和C粉放入坩埚中,然后置于加热炉中,对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下,同时将温度升高至600~1300℃,保持2小时以上;惰性气体清洗工序:向生长室中充入第一规定压力的高纯惰性气体,保持1小时以上后,再抽真空至9×10-3Pa以下,该工序重复2次以上;以及高温合成工序:在第二规定压力的高纯惰性气体下,于反应温度1500~2500℃下,保持反应2小时以上,而后降至室温,即可得到氮含量在15ppm以下的高纯碳化硅粉体。



44、准气相法合成碳化硅纳米粉的方法

准气相法合成碳化硅纳米粉的方法,本技术公开了该方法是利用含碳气体在不完全燃烧时生成的呈纳米状态的碳元素,以及含碳气体燃烧时创造的高温条件下,与加入的含硅气体分解成的硅元素自热结合生成纳米碳化硅;本技术的优点在于:所用原料为乙炔、甲烷、石油液化气等,成本低,生产设备简单,工艺条件要求低,能源消耗较少,可实现大规模的连续化生成,反应产物除碳化硅纳米粉外,就是水、一氧化碳和二氧化碳,其中的一氧化碳可经洗涤净化后重新用作能源,因而无污染产生,高效环保。



45、一种碳化硅纳米粉末合成装置

本技术提供一种碳化硅纳米粉末合成装置,包括反应箱、收集箱和油缸,所述收集箱通过螺栓安装在反应箱一侧,所述反应箱内设置有空腔,所述空腔内设置有网孔板,所述网孔板通过支杆焊接在空腔内壁顶部,所述网孔板两侧均焊接有接料板,所述反应箱顶部通过螺栓安装有电机一,所述电机一的输出轴上安装有连接块,所述连接块设置在网孔板顶部,所述反应箱内设置有推动板,所述推动板内安装有加热板,所述油缸内设置有活塞头,所述活塞头顶部设置有活塞杆,所述活塞杆顶部通过螺栓安装在推动板底部,所述油缸底部焊接有放置箱,所述放置箱内安装有齿轮泵,该碳化硅纳米粉末合成装置设计新颖,结构合理,便于操作,适合推广。



46、一种直接合成大颗粒碳化硅粉的方法

本技术公开了一种直接合成大颗粒碳化硅粉的方法,步骤是:1、将高纯石墨和高纯硅粉按质量比称量,均匀混合后装入石墨坩埚中;2、将装有高纯石墨和高纯硅粉的石墨坩埚盖上石墨结晶板后放入感应炉中抽真空;3、迅速升温,充入气体并保温;4、将温度迅速升至1800-2300℃,压力为10-50mbar,升温速率为10-30℃/min,保温2-10小时;5、取出石墨结晶板并粉碎,即得到石墨结晶板孔洞中的大颗粒碳化硅粉;石墨结晶板厚度为10-30mm,石墨结晶板上均匀打有直径为5-20mm的孔。采用本方法直接合成大颗粒碳化硅粉,从而满足了生长高质量碳化硅单晶的需要。



49、一种碳化硅基抛光合成纸的制备方法

本技术公开了一种碳化硅基合成纸的制备方法。它以碳化硅和聚氨酯为主要原料,将碳化硅粉末与配制的聚氨酯溶液在一定条件下搅拌混合,再通过后续的固化处理成膜得到碳化硅基合成纸。本技术的抛光合成纸产品生产工艺易于控制,使用过程简便。与抛光液、抛光粉相比,本技术的抛光纸可直接应用抛光纸打磨器件表面;操作过程不会对抛光器件表面产生二次污染,器件抛光后无须清洗操作。本技术的抛光合成纸可对器件产生双重抛光作用,抛光质量更优。抛光合成纸产品中的碳化硅颗粒可对器件表面产生机械打磨的抛光作用,有效去除器件表面的沙眼、毛刺等;抛光合成纸中的聚丙烯蜡成分可在抛光过程中对器件产生上光作用。



50、碳化硅合成炉专用密封料

本技术公开了一种碳化硅合成炉专用密封料。本技术的专用密封料由以下重量组份组成:碳化硅55~73份,二氧化硅5~8份,液体水玻璃8~20份,磷酸8~20份,在使用前将液体水玻璃和磷酸与上述碳化硅和二氧化硅粉末按比例混合均匀,在半干状态下,捣打入石墨电极和耐火砖之间的空隙中即可。与现有技术相比,本技术的碳化硅合成炉专用密封料考虑到了常温、中温、高温情况下的结合性能,从而有效防止了在炉头材料升温过程中受热膨胀,密封料因挤压而剥落,大大延长了合成炉的维修周期,特别是炉头使用时间可延长到2~3年。



51、燃烧合成均质纳米碳化硅粉体的方法

本技术属于无机纳米材料制备技术领域,特别涉及燃烧合成均质纳米碳化硅粉体的方法。以硅粉、碳粉、氮化硅或碳化硅添加剂和聚四氟乙烯为原料,按照一定比例配制成反应物料,经研磨混合后,用石墨坩埚盛装物料,放入密闭高压反应合成装置中;反应装置抽真空后充入氮气至适当压力,通过采用局部电热点火或者局部高频感应加热方式引发燃烧合成反应;待反应完毕,将产物收集处理,可得到均质纳米碳化硅粉体,其平均晶粒尺寸小于100nm。本技术实现了利用燃烧合成技术低成本制备高质量纳米碳化硅粉体,且工艺实施简单、方便,合成过程节能、清洁无污染。



52、一种针状纳米碳化硅的合成方法

本技术公开了一种针状纳米碳化硅的合成方法。硅作为起始的原材料首先被置于石墨坩埚里,然后将聚丙烯腈基碳纤维或活性碳纤维丝分布在于石墨坩埚上,再倒置同样直径大小的坩埚于装有硅源的石墨坩埚上,放置在真空高温烧结炉内,以10~30℃/min的升温速率一直升温到1500~1650℃,保温时间3~9个小时。整个装置在Ar的气氛下进行,保温时间结束后,以5~20℃/min的降温速率降温到1200℃,然后关掉加热电源,冷却水循环直至完全冷却。它以碳纤维为碳源,硅蒸气为硅源制备了针状一维纳米碳化硅。这种针状一维纳米碳化硅在碳基体呈发散状生长。在碳基体上生长的针状一维纳米碳化硅在场发射效应、光致发光及电致发光等领域具有一定的应用前景。



53、一种合成仿生碳化硅晶须的方法

本技术涉及一种合成仿生碳化硅晶须的方法。所采取的技术方案是:将酚醛树脂和含硅化合物按摩尔比为1∶1.01~3.0混合,外加为酚醛树脂重量百分含量3~15%的乌洛托品为固化剂,外加为酚醛树脂和含硅化合物重量百分含量10~90%的分散剂,再将所配原料混合5~180分钟,机压成型,在90~120℃条件下干燥20~30小时,然后在埋碳气氛下升温到1100~1700℃,保温5~600分钟,自然冷却。本技术合成的碳化硅晶须为仿生哑铃状,原位均匀分散在各种基质中,反应完全。本技术具有合成工艺简单、成本低,能大批量工业化生产的特点,在结构陶瓷尤其是耐火材料中具有良好的应用前景。



54、一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法

本技术提供了一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅(SiC)粉料的合成方法。采用高纯碳粉和高纯硅粉为原料并混合均匀,将混合均匀后的粉末原料分为数份置于坩埚中,每份粉末原料之间用石墨片隔开,将坩埚放入加热炉中,抽真空到炉内部压力小于10?3Pa后,充入压力为1×104Pa~9×104Pa范围内的惰性气体,再将炉内温度由室温升到SiC粉料合成温度并在此温度和惰性气体压力范围内保持5~30小时,然后将炉内温度降至室温,即可得到碳化硅晶体生长用大粒径(SiC)粉料。本技术制备出的大粒径SiC粉料弥补了现有技术合成的SiC粉料粒径偏小的不足,该方法和装置简单、易于推广、适合大规模工业生产。



55、一种低温辅助反应诱发合成碳化硅或碳化硅纳米管的方法

本技术公开了一种低温辅助反应诱发合成碳化硅或碳化硅纳米管的方法,它以硅粉为硅源,以石墨或碳纳米管为碳源,将硅源、碳源、钠和硫或者将硅源、碳源、钠和碘于反应釜中加热到200-600℃,使硅源和碳源在钠与硫或碘的辅助反应诱发下反应,然后直接冷却或保温后冷却至室温,最后经除杂干燥制得碳化硅或碳化硅纳米管。该种方法产率高,反应温度低,反应时间短,节约能源,可重复性好,操作简单、无污染、辅助反应的反应物和生成物易清除,有利于SiC的大量生产。



56、一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品

本技术公开了一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品,其中方法包括,以三嵌段共聚物P123为模板剂,正硅酸乙酯为硅源,糠醇为碳源制备出C/SiO2前驱体;在惰性气体下,将C/SiO2前驱体经镁热还原和洗涤干燥,得到碳化硅材料,晶型为3C?SiC。我方技术提供的低温合成高比表面介孔碳化硅的方法很大程度上降低了制备温度,反应温度可降为700℃以下,能耗明显降低;前驱体制备时间很短,只需4天左右;本技术中前驱体材料选取了互为支撑、交互生长的C/SiO2作为前驱体,由此带来的优势主要体现在反应过程中骨架结构得到最大程度的保留,所制备材料比表面积较大,可达600~800m2/g;碳化硅介孔材料颗粒大小和颗粒分布均匀,尺寸在10~20nm。



57、碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法

本技术涉及一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法,包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。本技术将简单易得的有机物作为碳源和硅源来使用,因此生产成本低,制备工艺简单,能大规模生产;并且采用了液态或溶胶状态的碳源和硅源,通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体,保证了碳源和硅源的超紧密接触,克服了传统的固相合成法原料混合反应不均的问题;又,因采用高纯度碳源和硅源,能获得可应用于碳化硅晶体的生长的高纯度碳化硅原料。



58、用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法

本技术涉及一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法,包括:配料工序:采用高纯Si粉和高纯C粉为原料,高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1∶1且在1.5∶1以下;预处理工序:将高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中,然后置于加热炉中,对加热炉的生长室抽高真空至1×10-3Pa以下,同时将温度升高至600~1300℃;以及高温合成工序:在规定压力的高纯非氧化性气氛下,于反应温度1500~2500℃下,保持反应2~20小时,而后降至室温,即可得到用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料。



61、一种新型有机碳化硅材料LZU111及其合成方法

一种新型有机碳化硅材料LZU111及其合成方法,在溶剂热条件下,两种有机小分子单体四(4?醛基苯基)硅烷和四(4?胺基苯基)甲烷,在醋酸水溶液的催化下,通过可逆缩合反应形成亚胺键而连接成为有机碳化硅材料LZU111。该种新材料的主要结构特点是,具有2H?SiC的基础拓扑结构和新型的三层穿插网络;主要性质特点是,具有优良的热稳定性和较大的BET比表面积。通过上述方式,本技术能够高效地获得新型有机碳化硅材料LZU111,且起始原料廉价易得,合成条件温和,对合成设备要求低。



62、一种从农业废弃物低温合成碳化硅的方法

本技术公开了一种从农业废弃物低温合成碳化硅的方法。我国每年产生大量的稻壳、秸秆、枯枝落叶等农业废弃物,是一种重要的而未被开发的资源。通过几个简单的步骤:首先将农业废弃物在惰性气氛中加热分解成为以二氧化硅和碳为主要成分的粉末;随后将粉末与金属还原剂混合,500-800度煅烧后即得到碳化硅。碳化硅由于具有独特的物理及电子特性,是一种重要的半导体材料,在有色金属冶炼、钢铁行业、冶金选矿行业、建筑陶瓷、节能、吸波材料等领域具有重要的应用前景。本技术提出的从农业废弃物中制备碳化硅的方法,工艺流程简单,碳化硅形成温度低,原材料成本低廉,是一项经济有效的利用农业废弃物的方法。



63、一种低温合成碳化硅的原料配方及方法

本技术提供一种低温合成碳化硅的原料配方及方法,该原料配方为:蔗糖,乙醇水溶液,硝酸铁,正硅酸乙酯,酸催化剂;步骤为:将蔗糖溶于乙醇水溶液中,加入硝酸铁,同时滴加正硅酸乙酯和酸催化剂制备成碳化硅前驱体干凝胶;将干胶置于真空石墨炉中碳热还原制备碳化硅,将样品冷却至室温并在空气中处理数小时,用氢氟酸和硝酸的混合溶液洗涤,水洗、过滤、烘干,得到纯的碳化硅。本技术合成碳化硅所需的最低反应温度可降为850℃,与现有技术相比,本技术的反应温度低,因此耗能少;所采用的原料来源容易,价格低廉,有利于降低生产成本,所需的设备简单,操作易行,容易实现规模生产合成。



64、一种合成六棱柱状碳化硅纳米棒的方法

本技术公开了一种合成六棱柱状碳化硅纳米棒的方法。将硅粉放入石墨坩锅底部,盖上经抛光的光滑的石墨片,然后把整个装置放入真空烧结炉中并保温,之后降温到1300℃,关掉电源任其自然冷却,最后有大量的灰白色的产品附着在抛光石墨基片上为六棱柱状 SiC 纳米棒。本技术制备的六棱柱状 SiC 纳米棒且产量高,制备成本低;六棱柱状 SiC 纳米棒以一定的角度立于石墨片上,尺寸大小、形状均一;六棱柱状 SiC 纳米棒的质量较高,无层错等缺陷;反应设备简单,方法简单,工艺易于操作。



65、一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法

本技术公开了一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法,将Si粉与多壁碳纳米管作为原材料置于氧化铝坩埚里,然后将坩埚放置于真空高温烧结炉里,以10~30℃/min的升温速率到1410~1600℃,保温时间3~9个小时,整个装置在Ar的气氛下进行;反应结束后,关掉加热电源,冷却水一直循环直至整个装置完全冷却,最后大量的灰白色的产物在氧化铝坩埚内;取出产物后用体积比为1∶2的氢氟酸与硝酸混合液,除去多余未反应的硅得到碳化硅纳米线粉体;此外,在坩埚的盖上也存在葫芦状纳米碳化硅。本技术产品的质量较高,无层错等缺陷,且碳化硅纳米线很直,直径分布比较均匀;制备了少量葫芦状纳米碳化硅;反应设备简单,方法简单,工艺易于操作。



66、一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用

本技术属于晶体生长技术领域,具体涉及一种高纯碳化硅原料的合成方法及其应用。本技术通过三步反应技术,形成外层为SiC、内层为Si的SiC包覆Si的高纯颗粒。将Si包覆SiC内部,在使用此颗粒作为原料生长高纯SiC单晶时,表层的SiC升华后形成残余碳后,包覆于内部的硅能够继续与残余碳反应形成新的SiC,从而不断保持Si/C比处于平衡状态;同时减少碳颗粒可以减少长晶过程中SiC单晶内的碳包裹物形成。从SiC单晶生长的源头解决SiC单晶生长过程中的杂质和碳包裹物缺陷问题。



67、一种低成本低温合成碳化硅粉料的方法

本技术一种低成本低温合成碳化硅粉料的方法。采用高纯碳纤维和高纯硅粉为原料,在加高坩埚中,温度500?1000℃、真空度小于10?3Pa条件下,向生长室中充入氩气或者氩气和氢气的混合气体,压力为800?900mbar,升温至1000?1300℃进行合成。本技术采用一次合成法,克服了二次合成工序复杂、耗时长、人为引入杂质等缺点。本技术可一次性合成5?10kg粒度可控的大粒度碳化硅粉料。成本低,工艺简单。



68、一种利用植物纤维合成碳化硅纳米线的方法

本技术公开了一种利用天然植物纤维合成碳化硅纳米线的方法,该方法是以净化处理过的天然植物纤维为碳源及模板,以硅粉、二氧化硅或二氧化硅片中的一种或任意几种为硅源,以金属Fe、Co、Ni或Ag为催化剂,控制净化处理过的植物纤维、硅源及金属的投料重量比为1∶0.67~7∶0.5~3,首先通过浸渍法使得硅源和金属离子吸附在天然植物纤维表面,分离、干燥后即得吸附有硅源及金属离子的天然植物纤维,吸附有硅源及金属离子的天然植物纤维在化学惰性气体保护下于900~1500℃反应1~5小时,即得到所述的碳化硅纳米线。本技术充分利用了低成本的天然植物纤维同时作为模板及碳源,方法简单,成本低廉,易实现产业化。



69、碳化硅合成电阻炉

一种碳化硅合成电阻炉,包括炉柱1、炉壁板4、炉底支架7、电极8和炉头9,其特征在于高于炉台的炉柱部分上设有炉柱护板2,炉柱护板2上设有由耐火砖构成的耐火砖层3。与现有技术相比,清炉和装炉时只需对炉内进行打扫、清洗,无需柝卸炉堂内的耐火砖,从而节省大量劳力和材力,大大提高生产效率,炉柱不会受到中盐分的侵蚀,有效延长炉子的使用寿命。



70、一种碳化硅合成炉炉柱

一种碳化硅合成炉炉柱,包括基座(1),其特征在于基座(1)上设有钢管(3),钢管(3)的顶部设有绝缘块(6),绝缘块(6)与钢管(3)之间设有下垫铁(8),绝缘块(6)的上方设有上垫轶(7),上垫轶(7)与绝缘块(6)之间设有石棉垫(12)。与现有技术相比,本实用新型具有炉柱绝缘性好、使用寿命长的优点。



73、碳化硅合成电阻炉

本实用新型公开了一种碳化硅合成电阻炉,主要由炉头和炉体组成,所述炉头包含钢筋混凝土框架、耐火砖砌体、石墨电极和耐火砖砌体与石墨电极之间的密封保护圈,其特点是钢筋混凝土框架和耐火砖砌体之间设有耐高温的缓冲填充层。与现有技术相比,本实用新型在钢筋混凝土框架和耐火砖砌体之间设置耐高温的缓冲填充层,起到了缓冲热膨胀的作用,可以有效防止钢筋混凝土框架被胀裂,因而大大延长了设备的使用期。



74、一种碳化硅合成炉墙板

一种碳化硅合成炉墙板,包括板体(1),其特征在于板体(1)的顶部至少设有一个内吊耳(3),内吊耳(3)的下方设有加强筋(5),加强筋(5)两侧的板体(1)上设有百页窗状的透气缝(4),板体(1)的顶部设有人行道(2),为了方便组装,加强筋(5)上设有组合螺孔(6)。本实用新型结构简卓、使用寿命长、建炉方便、出料快捷。



75、一种碳化硅合成炉炉头

一种碳化硅合成炉炉头,包括:至少两根并行的石墨电极(4)、碳化硅粉填充层(3)、耐火砖砌筑体(6),其特征在于:并行的石墨电极中间设有夹层石墨块(7),将石墨电极分离,石墨电极四周设有炭块(5)和碳化硅粉填充层(3)构成的填实层进行双重保护,耐火砖砌筑体(6)设在填实层的外部。与现有技术相比,本实用新型具有电极的绝缘性好、密封效果好、炉头电极使用寿命长的优点。



76、碳化硅合成电阻炉炉头

一种碳化硅合成电阻炉炉头,包括:耐火砖砌体12、石墨电极6、导电铜板3、固定螺杆11,其特征在于在石墨电极的侧边设有水箱5,为增强水箱刚性,水箱内部设有隔板8,隔板上设有透水孔10,在每组水箱上下两端设有进出水口,用橡胶管连接,使其成为一套循环水系统,冷水进热水出,为使热电偶穿过,夹具中部设有钢管7,钢管上设有温度测量孔,导电铜板设在石墨电极的内侧,石墨电极的外侧用固定螺杆与侧边的水箱固定。与现有技术相比,本实用新型能延长石墨电极寿命、降低生成成本、能大大提高生成效率。



77、一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法

本技术公开了一种高纯、铝掺杂碳化硅粉及其合成方法,涉及碳化硅半导体材料领域。碳化硅粉纯度高,达到99.999%;采用一次合成方法,工艺流程少,生产设备简单,操作易行,容易实现规模化生产;该方法如果原料硅粉采用掺杂铝的单晶硅或太阳能多晶硅,不但有利于对废弃的单晶硅或太阳能多晶硅的回收利用,防止对环境造成污染;而且得到的碳化硅粉为铝掺杂碳化硅粉,可以作为生产无色透明碳化硅晶体或p型掺杂碳化硅晶体的原料。



78、一种碳化硅钛陶瓷粉体的常压合成方法

一种碳化硅钛陶瓷粉体的常压合成方法,以TiH2粉、Si粉和TiC粉为原料,Al为反应助剂,按Ti∶Si∶TiC∶Al=1∶1∶(1.8~2)∶(0.15~0.25)的摩尔比配料,干混10小时后,在30~50MPa压力下压制成块,将压块置于高温炉中,真空气氛下,以15~50℃/min的升温速率将炉温升至1300~1550℃,保温时间为5~15min,制得高纯度低成本Ti3SiC2粉体。该方法具有:合成Ti3SiC2粉体时间短,纯度高,成本低,所用设备简单,工艺参数稳定,适用于规模化生产。



79、一种碳化硅合成电阻炉

本实用新型公开了一种碳化硅合成电阻炉,包括炉头和炉体,所述炉头包含钢筋混凝土框架(3)、耐火砖砌体(8)和电极(2),其特征在于,还包括隔热层(6),所述隔热层(6)为设置在耐火砖砌体(8)朝向炉体内腔一侧的板状体,所述隔热层(6)不与耐火砖砌体(8)接触的一面设有石墨涂层(7)。与现有技术相比,该装置结构简单,从原来的1年更换一次耐火砖砌体提高至现在的3-4年更换一次,节省了大量的人力物力,有效提高工作效率,减少环境污染和资源浪费的问题。



80、碳化硅合成电阻炉

一种碳化硅合成电阻炉,本实用新型包括炉柱(1)、炉壁板(9)、炉底支架(7)、电极(8)、炉头(9),高于炉台的炉柱部分上设有炉柱护板(2),炉柱护板(2)上设有耐火砖层(3)。炉柱护板为柱状体,柱状体的两边设有凹型卡槽。炉柱下方设有底部封闭的铁板箱(6),炉柱(1)植根于铁板箱(6)内。与现有技术相比,本实用新型清炉和装炉时无需柝卸炉堂内的耐火砖,从而节省大量劳力和材力,大大提高生产效率,炉柱不会因受到清洗液中盐分的侵蚀,而造成断裂、倾倒有效延长炉子的使用寿命。



81、一种低温合成制备碳化硅陶瓷粉体的方法

一种低温合成制备碳化硅陶瓷粉体的方法,包括以下步骤:(1)将水玻璃、偶联剂、聚乙二醇和盐酸依次加入去离子水中,搅拌制成凝胶;经水洗和醇洗后过滤;(2)放入无水乙醇中,在搅拌条件下加入酚醛树脂,搅拌形成糊状体;在65~200℃条件下烘干,冷却至后研磨;(3)放入加热炉中,通入氩气并保持流通;升温到1400~1550℃进行碳热还原反应,随炉冷却;(4)置于电阻炉内,在550~650℃条件下保温使残留的碳去除,随炉冷却至常温后研磨。本技术原料来源广泛,通过催化改性等方式,使硅源和碳源达到原子或分子级别的均匀混合,从而降低碳热还原反应温度,降低生产成本。



82、镁橄榄石-碳化硅复合陶瓷材料及其合成方法

本技术公开了镁橄榄石-碳化硅复合陶瓷材料及其合成方法,其中,镁橄榄石-碳化硅复合陶瓷材料,包括镁橄榄石相和碳化硅相。镁橄榄石-碳化硅复合陶瓷材料的合成方法,其包括如下步骤:(1)制备第一混合粉体;(2)制备混合料浆;(3)制备造粒料;(4)制备成品复合陶瓷件。本技术充分利用碳化硅热导率高、热膨胀系数低、硬度高以及抗热震性好的优点,通过控制镁橄榄石和碳化硅两相的比例,可制成一系列具有性能可调的镁橄榄石-碳化硅复合陶瓷,其烧结成型能力、致密度和抗热震性能远高于镁橄榄石陶瓷;它与碳化硅陶瓷相比又具有工艺简单、烧结温度低、致密度高和成本低的优势。


 

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