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陶瓷基片技术资料

作者:未知 来源:本站原创 发布时间:2020年01月14日

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1、陶瓷基片

本技术公开了一种陶瓷基片,所述陶瓷基片上具有至少一个斜面。该陶瓷基片在使用时,使陶瓷基片的一个斜面与光电器件相对,这样光电器件发出的光经过陶瓷基片反射后不会被从原路返回,从而可保证光电器件的正常工作。采用这种陶瓷基片进行芯片封装时无需再设置倾斜的基座,简化了芯片封装的步骤,而且采用这种陶瓷基片封装芯片更有利于芯片的散热,保证芯片持续正常的工作。



2、制造陶瓷基片的方法以及陶瓷基片

本技术涉及制造陶瓷基片的方法,它有以下几个步骤:a)准备好一个基体(2),它有由相互重叠的层(3)构成的叠层(2a),各层含有一种未烧结的陶瓷材料和一种烧结辅助材料(5),叠层(2a)中的一个层(3a)比相邻的层含有较多的烧结辅助材料(5);b)烧结所述叠层(2a)在烧结过程中,在所述烧结辅助材料(5)含量较高的层(3a)和所述相邻的层之间形成一个反应层(9),所述反应层促成这两个彼此相邻的层之间的附着。本技术还涉及一种陶瓷基片。通过更高的烧结辅助材料的含量,可以改善一个层(3a)与相邻层(3)的机械连结。



3、制造陶瓷基片的方法以及陶瓷基片

本技术涉及制造陶瓷基片的方法,它有以下几个步骤:a)准备好一个基体(2),它有一叠(2a)相互重叠的层(3),这些层含有一种未烧结的陶瓷材料和一种烧结辅助材料(5),其中的一个层(3a)含有比一相邻的层(3)更多的烧结辅助材料(5);b)烧结层叠(2a)。本技术还涉及一种陶瓷基片。通过更高的烧结辅助材料的含量,可以改善一个层(3a)与相邻层(3)的机械连结。



4、陶瓷基片

本实用新型公开了一种陶瓷基片,所述陶瓷基片上具有至少一个斜面。该陶瓷基片在使用时,使陶瓷基片的一个斜面与光电器件相对,这样光电器件发出的光经过陶瓷基片反射后不会被从原路返回,从而可保证光电器件的正常工作。采用这种陶瓷基片进行芯片封装时无需再设置倾斜的基座,简化了芯片封装的步骤,而且采用这种陶瓷基片封装芯片更有利于芯片的散热,保证芯片持续正常的工作。



5、陶瓷基片的制备方法

本技术公开了一种陶瓷基片的制备方法,包括如下步骤:将陶瓷粉末、第一有机粘合剂和第一溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料,接着以所述陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷薄膜,最后采用1个~20个所述陶瓷薄膜制备得到陶瓷生坯;将淀粉、第二有机粘合剂和第二溶剂混合均匀后得到隔离浆料,接着以所述隔离浆料为原料制备得到隔离薄膜;将所述陶瓷生坯与所述隔离薄膜交替层叠后压合并切割,得到层叠体;以及将所述层叠体放置于承烧板上并且在所述层叠体上盖上盖板,然后对所述层叠体进行烧结,得到陶瓷基片。这种陶瓷基片的制备方法通过陶瓷生坯与隔离薄膜交替层叠后压合烧结,可以防止烧结时陶瓷生坯发生收缩,制备得到的陶瓷基片较为平整不会翘曲。



6、一种LED用陶瓷基片

本技术公开了一种LED用陶瓷基片,由以下份数的组分混合烧结而成:60?80份二硼化钛,100?120份氧化铝,50?80份氮化硅,80?100份碳酸钙,20?25份硼酸复合烧结剂,10?12份脂肪族酰胺类分散剂,10?12份丙醇,8?10份丙酮,8?12份乙酸乙酯,8?10份乙二醇,6?8份聚乙烯醇。该LED用陶瓷基片的工艺优化、成本低、可在中低温烧结,还具有优良的热传导性,可靠的电绝缘性,低的介电常数和介电损耗。



7、陶瓷基片的制备方法

本技术公开了一种陶瓷基片的制备方法,包括以下步骤:将陶瓷粉、第一有机粘合剂和第一溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料,接着以陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷膜,最后以陶瓷膜为原料制备得到陶瓷基片生坯;将氧化锆粉、第二有机粘合剂和第二溶剂混合均匀后得到氧化锆浆料,接着以氧化锆浆料为原料制备得到氧化锆薄膜,最后切割氧化锆薄膜得到氧化锆隔膜;将陶瓷基片生坯和氧化锆隔膜交替层叠后放置于基板上进行烧结,得到陶瓷基片。上述陶瓷基片的制备方法,得到的陶瓷基片较为平整,并且可防止烧结后陶瓷基片发生粘片。



8、陶瓷基片厚度检测装置

本技术揭示了一种陶瓷基片厚度检测装置,包括设备平台,还包括用于承载待检测陶瓷基片的承载机构、用于执行待检测陶瓷基片厚度检测的检测机构、以及用于实现待检测陶瓷基片抓取搬运的搬运机构,所述承载机构、检测机构以及搬运机构均固定设置于所述设备平台上,所述承载机构包括上料工位台、检测工位台以及下料工位台,所述检测工位台可活动地设置于所述设备平台上,所述搬运机构与所述检测工位台相配合、共同完成待检测陶瓷基片在所述上料工位台与所述下料工位台之间的搬运。本技术自动化程度高、检测效果好而且有利于提升陶瓷基片的整体质量,具体很高的使用及推广价值。



9、一种LED用陶瓷基片

本技术公开了一种LED用陶瓷基片,由以下份数的组分混合烧结而成:60-80份二硼化钛,100-120份氧化铝,50-80份氮化硅,80-100份碳酸钙,20-25份硼酸复合烧结剂,10-12份脂肪族酰胺类分散剂, 10-12份丙醇,8-10份丙酮,8-12份乙酸乙酯,8-10份乙二醇,6-8份聚乙烯醇。该LED用陶瓷基片的工艺优化、成本低、可在中低温烧结,还具有优良的热传导性, 可靠的电绝缘性,低的介电常数和介电损耗。



10、陶瓷基片裂痕检测装置

本技术揭示了一种陶瓷基片裂痕检测装置,包括用于实现待检测陶瓷基片输送的传送机构以及设备箱罩,还包括用于向待检测陶瓷基片上涂覆颜料的上色机构、用于待检测陶瓷基片表面颜料烘干的烘干机构以及用于对待检测陶瓷基片进行视觉检测的视觉检测机构,上色机构、烘干机构以及视觉检测机构按序固定设置于设备箱罩上,传送机构包括输送料带以及多个设置于输送料带上方、用于承载待检测陶瓷基片的承载基座,输送料带的一端为上料端、另一端为下料端,上色机构设置于靠近输送料带的上料端一侧,视觉检测机构设置于靠近输送料带的下料端一侧。本技术使用效果优异,自动化程度高、检测效率高、检测成本低,误检率低,具有很高的推广价值。



13、陶瓷基片的制备方法

本技术公开了一种陶瓷基片的制备方法,包括如下步骤:将陶瓷粉末、第一有机粘合剂和第一溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料,接着以所述陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷薄膜,最后采用1个~20个所述陶瓷薄膜制备得到陶瓷生坯;将淀粉、第二有机粘合剂和第二溶剂混合均匀后得到隔离浆料,接着以所述隔离浆料为原料制备得到隔离薄膜;将所述陶瓷生坯与所述隔离薄膜交替层叠后压合并切割,得到层叠体;以及将所述层叠体放置于承烧板上并且在所述层叠体上盖上盖板,然后对所述层叠体进行烧结,得到陶瓷基片。这种陶瓷基片的制备方法通过陶瓷生坯与隔离薄膜交替层叠后压合烧结,可以防止烧结时陶瓷生坯发生收缩,制备得到的陶瓷基片较为平整不会翘曲。



14、陶瓷基片的制备方法

本技术公开了一种陶瓷基片的制备方法,包括以下步骤:将陶瓷粉、第一有机粘合剂和第一溶剂混合均匀后得到陶瓷浆料,接着以陶瓷浆料为原料制备得到陶瓷膜,最后以陶瓷膜为原料制备得到陶瓷基片生坯;将氧化锆粉、第二有机粘合剂和第二溶剂混合均匀后得到氧化锆浆料,接着以氧化锆浆料为原料制备得到氧化锆薄膜,最后切割氧化锆薄膜得到氧化锆隔膜;将陶瓷基片生坯和氧化锆隔膜交替层叠后放置于基板上进行烧结,得到陶瓷基片。上述陶瓷基片的制备方法,得到的陶瓷基片较为平整,并且可防止烧结后陶瓷基片发生粘片。



15、陶瓷基片表面镀膜工艺

在该陶瓷基片表面镀膜工艺中,掩膜板上需遮蔽的部分为导电电路需要去除的部分,掩膜板上需要曝光的部分为导电电路需要保留的部分,这样经过曝光、显影后,陶瓷基片上需要形成导电电路的部分就形呈凹槽,在进行镀膜时,需要形成导电电路部分的金属层位于陶瓷基片上,而不需要形成导电电路部分的金属层则位于光刻胶上,这样只需通过丙酮将陶瓷基片上的光刻胶清洗干净,就可在陶瓷基片上形成导电电路。因为光刻胶在陶瓷基片上易于清洗,因此不存在清洗不干净的问题,这样就可有效避免陶瓷基片上的导电电路短路,进而可有效保证封装芯片的质量。



16、高刚性玻璃陶瓷基片

提供一种高刚性玻璃陶瓷基片,该基片含有至少一种选自顽辉石(MgSiO3)、顽辉石固溶体(MgSiO3固溶体)、钛酸镁和钛酸镁固溶体的成分作为主要结晶相,具有沉淀的结晶相的细晶粒(优选球形晶粒),具有优异的基础玻璃熔融性能,具有高抗脱玻性、易抛光性、抛光后表面优异的光滑度和能适应高速旋转的高杨氏模量。



17、装载板、陶瓷基片的制造方法及陶瓷基片

提供能够抑制烧结后压电陶瓷基片中产生的翘曲等的变形的装载板以及压电陶瓷基片的制造方法。通过将陶瓷坯件1装载于平均粒径为0.3~2.5μm,陶瓷密度为6kg/dm3以上,热传导率为5W/mK以下,且装载面2a的中心线平均粗糙度为1μm~20μm的氧化锆基板2的装载面2a上进行烧结,能够抑制烧结后的压电陶瓷基片中所产生的翘曲等的变形。



18、宽频微带天线基片陶瓷材料、制备方法及基片

本技术公开了一种宽频微带天线基片陶瓷材料、制备方法及基片,陶瓷材料按重量份包括下列组分,100重量份0.93(Mg0.97Zn0.03)TiO3?0.07CaTiO3和2?12重量份金属导体;本技术将陶瓷颗粒与颗粒之间的连接变成了金属与金属的连接,提高的基片的力学性能,融化的金属填充了基片中的气孔、晶界等缺陷,提高了基片的致密度,使基片的力学性能提高,再者金属的存在限制了陶瓷晶粒的长大,提高了力学性能,同时细晶陶瓷和金属的存在使基片的Q值大大降低,从而拓宽微带天线的频带宽度,满足微带天线宽频化的使用要求;采用此微波介质陶瓷粉体制成的微带天线的频带宽、相对阻抗带宽宽,满足微带天线宽频化的使用要求;并且本技术原料来源丰富,加工工艺简单,成本低廉。



19、金属陶瓷基片以及用于制造这种基片的方法

特别用于电路或模块的金属陶瓷基片包括至少一个第一外部金属层,该第一外部金属层形成金属陶瓷基片的第一表面侧,该金属陶瓷基片还包括至少一个第二外部金属层,该第二外部金属层形成金属陶瓷基片的第二表面侧,第一、第二外部金属层分别通过两维结合而与板形基片本体的表面侧结合。



20、陶瓷接合体、基片支承构造体及基片处理装置

提供一种基片支承构造体,所述的基片支承构造体具有优良的耐腐蚀性及气密性、同时有优良的尺寸精度,在被加有机械的或热的应力时有足够的耐久性。本技术基片支承构造体的支承体(1)包括:支承基片用的陶瓷基体(2),其具有电路(4、5、6);与所述陶瓷基体(2)的所述电路(4、5、6)连接的供电用导电构件(13a~13d);接合在陶瓷基体(2)上并且包围所述供电用导电构件(13a~13d)的保护筒体(7);位于陶瓷基体(2)与保护筒体(7)之间并把陶瓷基体(2)和保护筒体(7)接合的接合层(8),其氦漏气率小于1.0×10-8Pa·m3/S。接合层(8)含有稀土类氧化物质量2%以上质量70%以下、氧化铝质量10%以上质量78%以下、氮化铝质量2%以上质量50%以下。该接合层(8)包含通过使所述氮化铝溶解再析出现象析出形成的氮化铝粒子,在接合层(8)的上述三种成分中稀土类氧化物或氧化铝的比例最多。



21、玻璃陶瓷及其基片、液晶嵌镶板用对置基片和防尘基片

本技术是,对含有55~70摩尔%的SiO2、13~23摩尔%的Al2O3、11~21摩尔%的碱金属氧化物(其中Li2O为10~20摩尔%、Na2O和K2O总量为0.1~3摩尔%)、0.1~4摩尔%的TiO2以及0.1~2摩尔%的ZrO2,同时上述各成分的合计含量为不少于95摩尔%,同时含有0~不足0.2摩尔%的BaO、0~不足0.1摩尔%的P2O5、0~不足0.3摩尔%的B2O3、0~不足0.1摩尔%的SnO2的玻璃陶瓷用母材玻璃进行热处理,使析出含有β-石英类固溶体的结晶相的玻璃陶瓷,该玻璃陶瓷具有低热膨胀性、在可见光区域的高透过性、低比重等特性。



22、一种陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法

本技术涉及电子工艺技术领域,具体涉及一种陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法。一种陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法,包括以下步骤:将陶瓷粉末与粘合剂、溶剂混合配制成陶瓷浆料,将陶瓷浆料流延并烘干得到陶瓷膜片;按设计厚度堆叠陶瓷膜片形成厚膜并用等静压将之压合后按一定尺寸切割得到方形的基片生坯;将基片生坯高温烧结形成陶瓷基片;在基片上溅射形成电极并将基片二次分割,制得单层陶瓷电容器。本技术采用基片生坯与氧化锆膜交替自然堆叠装钵的叠片烧制方法烧结基片生坯在达到生坯开始收缩的温度后,按2℃/min的速率缓慢升温至最高烧结温度,可制得平整且电性能好的陶瓷基片,制得的陶瓷基片平整度高、电气性能良好。



25、宽频微带天线基片陶瓷材料、制备方法及基片

本技术公开了一种宽频微带天线基片陶瓷材料、制备方法及基片,陶瓷材料按重量份包括下列组分,100重量份0.93(Mg0.97Zn0.03)TiO3-0.07CaTiO3和2-12重量份金属导体;本技术将陶瓷颗粒与颗粒之间的连接变成了金属与金属的连接,提高的基片的力学性能,融化的金属填充了基片中的气孔、晶界等缺陷,提高了基片的致密度,使基片的力学性能提高,再者金属的存在限制了陶瓷晶粒的长大,提高了力学性能,同时细晶陶瓷和金属的存在使基片的Q值大大降低,从而拓宽微带天线的频带宽度,满足微带天线宽频化的使用要求;采用此微波介质陶瓷粉体制成的微带天线的频带宽、相对阻抗带宽宽,满足微带天线宽频化的使用要求;并且本技术原料来源丰富,加工工艺简单,成本低廉。



26、金属陶瓷基片以及用于制造这种基片的方法

特别用于电路或模块的金属陶瓷基片包括至少一个第一外部金属层,该第一外部金属层形成金属陶瓷基片的第一表面侧,该金属陶瓷基片还包括至少一个第二外部金属层,该第二外部金属层形成金属陶瓷基片的第二表面侧,第一、第二外部金属层分别通过两维结合而与板形基片本体的表面侧结合。



27、陶瓷接合体、基片支承构造体及基片处理装置

提供一种基片支承构造体,所述的基片支承构造体具有优良的耐腐蚀性及气密性、同时有优良的尺寸精度,在被加有机械的或热的应力时有足够的耐久性。本技术基片支承构造体的支承体(1)包括:支承基片用的陶瓷基体(2)、接合在陶瓷基体(2)上的保护筒体(7)、位于陶瓷基体(2)与保护筒体(7)之间并把陶瓷基体(2)和保护筒体(7)接合的接合层(8)。接合层(8)含有稀土类氧化物质量2%以上质量70%以下、氧化铝质量10%以上质量78%以下、氮化铝质量2%以上质量50%不到。接合层(8)的上述三种成分中稀土类氧化物或氧化铝的比例最多。



28、玻璃陶瓷及其基片、液晶嵌镶板用对置基片和防尘基片

本技术是,对含有55~70摩尔%的SiO2、13~23摩尔%的Al2O3、11~21摩尔%的碱金属氧化物(其中Li2O为10~20摩尔%、Na2O和K2O总量为0.1~3摩尔%)、0.1~4摩尔%的TiO2以及0.1~2摩尔%的ZrO2,同时上述各成分的合计含量为不少于95摩尔%,同时含有0~不足0.2摩尔%的BaO、0~不足0.1摩尔%的P2O5、0~不足0.3摩尔%的B2O3、0~不足0.1摩尔%的SnO2的玻璃陶瓷用母材玻璃进行热处理,使析出含有β-石英类固溶体的结晶相的玻璃陶瓷,该玻璃陶瓷具有低热膨胀性、在可见光区域的高透过性、低比重等特性。



29、氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件

本申请公开了一种包括室温下的热导率为80W/mK以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板,及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。



30、氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件

本申请公开了一种包括室温下的热导率为80w/mk以上氮化硅陶瓷板1和通过玻璃层3粘接到氮化硅陶瓷板上1的金属板2的电路板,及一种其中安装在所说电路基片的半导体器件。



31、氧化锆陶瓷基片制备方法

一种氧化锆陶瓷基片制备方法,包括如下步骤:提供稳定四方相氧化锆粉体、稀土氧化物粉体、溶剂、分散剂、紫外光引发剂、光敏聚合单体和助剂;将四方相氧化锆粉体、稀土氧化物粉体和溶剂混合,再进行蒸发操作将溶剂除去,得到混合粉体;将混合粉体、分散剂、紫外光引发剂、光敏聚合单体和助剂进行混合后,进行球磨和除泡操作,得到氧化锆陶瓷浆料,除泡操作在真空条件下进行;将氧化锆陶瓷浆料加入至陶瓷流延机中,再将承载有氧化锆陶瓷浆料的陶瓷流延机的基板通过紫外光固化机后,形成氧化锆陶瓷基片生坯;将氧化锆陶瓷基片生坯进行烧结后,得到氧化锆陶瓷基片。上述制备方法可以免除传统的干燥工艺,确保制备得到的产品品质更佳。



32、一种AlON涂层AlN陶瓷基片的制备方法

一种AlON涂层AlN陶瓷基片的制备方法,其特征在于:采用Al2O3溶胶雾化喷涂在AlN陶瓷基片上,干燥后,在氮气气氛中、高温下在AlN陶瓷基片的表面制成AlON层形成AlON涂层AlN陶瓷基片。本技术制备的AlON涂层AlN陶瓷基片在氮化铝表面形成AlN-Al2O3固溶体AlxOyNz,被覆铜电极时,由于铜电极表面氧化形成微量的Cu-O键与AlON涂层AlN陶瓷基片表面的Al-O键紧密结合,使得氮化铝陶瓷基片与金属铜电极欧姆接触,使得其电阻率降低,能大幅度提高封装电子元件的使用性能。



33、多层陶瓷基片集成波导滤波器

本技术涉及多层陶瓷基片集成波导滤波器,包括从下往上依次层叠的第三金属层、第二介质基板、第二金属层、第一介质基板和第一金属层,所述金属化通孔阵列贯穿第一金属层、第一介质基板和第二金属层后在第一介质基板的两端开口处形成第一输入输出端和第二输入输出端,所述第一输入输出端和呈带状的第一共面波导输入输出结构连接,所述第二输入输出端和呈带状的第二共面波导输入输出结构连接,在第一输入输出端与第二输入输出端共用腔壁上设有第一感性耦合窗引入源负载耦合。本技术的优点和有益效果:更适合于系统小型化和集成应用。



34、一种贴片电阻陶瓷基片定位加工方法

本技术公开了一种贴片电阻陶瓷基片定位加工方法,包括以下步骤:(1)设置一光照系统以及CCD采像装置,光照系统和CCD采像装置分别设置于贴片电阻陶瓷基片的两侧位置;(2)光照系统所发出的光照射到贴片电阻陶瓷基片的一侧面上,贴片电阻陶瓷基片上金属部分的背面相应位置形成无光透出部分,贴片电阻陶瓷基片上非金属部分的背面相应位置形成有光透出部分;(3)CCD采像装置捕获无光透出部分与有光透出部分的交界边,进行定位加工。本技术通过CCD采像装置对无光透出部分和有光透出部分的交界边进行捕获,可以分辨出陶瓷基片上各个陶瓷片的位置,从而实现准确可靠地对基片上的陶瓷片进行单独定位,保证后续的分割加工过程精确进行。



37、制造金属/陶瓷连接基片的方法

本技术提供了一种制造金属/陶瓷连接基片的方法。将温度比铝或铝合金的液相线温度高5-200℃的铝或铝合金的熔融金属注入模具中,在对该模具进行冷却以使得熔融金属固化的时候,从高温侧向低温侧对注入模具中的熔融金属施加1.0-100千帕的压力,在将模具从液相线温度冷却至450℃的过程中,平均冷却速率设定为5-100℃/分钟,模具中的温度梯度设定为1-50℃/厘米。



38、用于制造铜陶瓷复合基片的方法

本技术涉及一种用于制造铜陶瓷复合基片的方法。根据这种方法,箔材坯料至少在一个表面上被氧化,接下来被氧化过的箔材坯料在一种保护气体氛围中进行回火处理,然后通过DCB过程将箔材坯料与陶瓷复合在一起。



39、玻璃和使用该玻璃的陶瓷基片

一种用于陶瓷基片的硼硅酸盐玻璃组合物,其组成为:55~67mol%的SiO2,3~11mol%的Al2O3、16~26mol%的B2O3和3~11mol%的至少一种选自SrO、CaO、MgO和ZnO组成的组中的氧化物。由于使与潮湿空气接触的玻璃上形成的原硼酸的量最小化,所以这种玻璃在陶瓷基片的制造中很少产生问题。使用这种玻璃和填料的陶瓷组合物可以在低温下烧结成基片,特点在于低的介电常数、低的介电损耗因子和高的弯曲强度。



40、分割陶瓷基片的方法及分割设备

本技术涉及一种分割陶瓷基片的方法及分割设备,能降低与陶瓷基片压力接触的部件的磨损,并能延长为避免分割时的失误而需要更新的部件的寿命,由此降低了制造成本。带状陶瓷基片1被夹持在输送皮带2与加压皮带6之间。按这种状态,陶瓷基片1穿过一对轴相互位移的分割辊5和8之间。利用由分割辊8向分割辊5施加的压力F,沿分割槽分割成单片状陶瓷基片件1a。



41、磁盘基片用的玻璃-陶瓷及其制法

提供一种磁盘基片用的玻璃-陶瓷,其晶粒大小可以控制,抛光后其表面粗糙度在15-50A范围内。此玻璃-陶瓷可通过热处理包括下列组成(重量百分比)的基料玻璃而获得。SiO265-83%;Li2O,8-11%;K2O,0-7%;MgO+ZnO+PbO, 0.5-5.5%;其中MgO,0.5-5.5%;ZnO,0-4%;PbO,0-5%; P2O5,1-4%;Al2O30-7%;As2O3+Sb2O3,0-2%。此玻璃-陶瓷含有α-石英(SiO2)和二硅酸锂(Li2·2SiO2)作为主晶相。生成的α-石英晶粒具有一种由聚集微粒(次生颗粒)构成的球形晶粒结构。



42、微电子线路用陶瓷基片的制作方法

提供一种密集集成半导体阵列用陶瓷基片,它在热膨胀系数、介电常数、金属化结合强度和机械强度方面极为优越。它由一种烧结体构成,这种烧结体主要包含莫来石晶体和由SiO2、Al2O3、MgO组成的非晶态助烧结剂。



43、一种陶瓷基片用搓片装置及搓片方法

本技术揭示了一种陶瓷基片用搓片装置,包括支架及安装在支架上的传输机构、搓削机构、感应机构、回收机构,搓削机构置于传输机构上方,感应机构置于支架的顶端,置于搓削机构的前方,回收机构包括置于传输机构的末端的收纳盒及置于搓削机构两侧的粉尘吸纳单元,感应机构的信号输出端与搓削机构的信号输入端连接,搓削机构的信号输出端与感应机构的信号输入端连接,搓削机构的第一信号输出端与粉尘吸纳单元的第一信号输入端连接,搓削机构的第二信号输出端与粉尘吸纳单元的第二信号输入端连接。借助本装置可有效的完成对于陶瓷基片的自动化加工,不仅确保了所加工陶瓷基片的质量,同时也大大提高了生产效率,更加适应企业的大规模加工生产。



44、多层陶瓷基片的制造方法

制造具有空腔的多层陶瓷基片的方法包括,第一加压步骤,其中第一和第二未烧结片堆叠体各自通过加压多个未烧结陶瓷生片而形成;形成穿透第二片堆叠体的孔的步骤;通过将其上形成了所述孔的第二未烧结片堆叠体设在该第一未烧结片堆叠体上形成初步第三未烧结片堆叠体的步骤;第一和第二薄膜分别放置在该初步第三未烧结片堆叠体的顶部和底部上。通过加压第一和第二薄膜以及初步第三未烧结片堆叠体形成第三片堆叠体的步骤;以及烧结第三未烧结片堆叠体的步骤。从而多个陶瓷生片通过平板模层叠而不受空腔形状的影响,且生产过程简化并以稳定的方式进行。



45、激光切割陶瓷电路基片工作台

本技术提出的一种激光切割陶瓷电路基片工作台,所述工作台是由固定座和活动连接移动台构成的上下两部份结构组合体,固定座圆柱筒体中空,底部端密封,筒体径向装有连接真空设备的真空接口气嘴(7),位于固定座(6)之上的活动连接移动台,是一个制有径向外缘环形盘,在轴向上形成圆锥凸台的锁紧环座(2)与同轴配合在该圆锥凸台圆锥面上的锁紧环(1),且在所述锁紧环座内腔锥孔面制有沿内壁锥面逐级放大的圆环台阶,支撑定位待切割钻孔陶瓷基片的金属丝网张紧在锁紧环座(2)中心孔环形端平面上,通过锁紧环与锁紧环座二者之间的锥度配合面完成夹持与张紧。本技术解决了激光切割钻孔陶瓷电路板经常出现难于清理得再凝结Al2O3陶瓷溶瘤的问题。



46、陶瓷基片用双头打磨机及其打磨方法

本技术揭示了一种陶瓷基片用双头打磨机,其特征在于:包括一箱体,所述箱体上固定有打磨装置,所述箱体内设置有与打磨装置连接的除尘装置,所述打磨装置的两端设置有用于夹装陶瓷基片并使其移动的传动系统;所述传动系统包括一螺杆及驱动螺杆工作的电机,所述传动系统还包括一用于夹装陶瓷基片的夹紧装置,所述夹紧装置设置在螺杆上,所述螺杆运动带动夹紧装置移动。本技术可以对陶瓷基片进行双头打磨,节省了劳力时间,打磨效率大大提高。



49、金属化陶瓷散热基片的制造工艺

本技术是一种金属在陶瓷散热基片的制造工艺。它通过调整金属钨、锰的浆料配方,改进烧结工艺,降低了烧结温度,从而节省了能源,降低了产品成本,同时也提高了金属层的附着强度。本技术提高了产品的性能价格比,增强了产品的市场竞争力。



50、多层陶瓷基片的制造方法

一种多层陶瓷基片的制造方法,所述基片中具有多级空腔,用于安装电子元件。将一个块插入到较为低级的空腔部分内,该空腔部分要作为多层陶瓷基片的未加工片层状体中形成的空腔,其中所述块的三维形状与该空腔部分的三维形状基本相同,并且它的高度等于或大于该空腔部分的深度。从而,在该空腔具有表观为单级的状态下进行按压步骤。



51、制造多层陶瓷基片的方法

一种制造多层陶瓷基片的方法,该方法无需用于形成空腔的模和对准生材片。该方法包括以下步骤:提供多块其中具有预制通孔和布线图案的生材片;在要成为空腔底部的区域上形成一层防止相邻生材片烧结的层;层压并烧结生材片,形成多层烧结体;沿空腔内壁形成切痕直至空腔底部,除去内部的烧结部分,留下形成的空腔。该方法无需昂贵的模,由此提供了一种简单、稳定且便宜的制造多层陶瓷基片的方法。



52、多层莫来石陶瓷基片及其生产方法

本技术涉及多层莫来石陶瓷基片,更具体地涉及适用于安装诸如各种LSI芯片等小型电子元件的多层莫来石陶瓷基片,其目的在于提供一种在基片各表面上有高接合面可靠性的镀膜层的多层莫来石陶瓷基片和生产该基片的方法,其特征在于,在各布线导体上形成由镍和硼组成的镀膜层、用于保护各布线导体或各电子元件的焊接面。利用这种结构,能够避免在各引线端部处镀膜的隆起和基片各表面上出现裂纹。



53、陶瓷布线基片及其制造方法

本技术介绍了一种具有导电层的陶瓷布线基片及其制造方法。该基片是通过在一种莫来石(质)陶瓷基片上烧结一种导电胶而得到的。该导电胶包括按重量计85%至97%的钨粉和15%至3%(用于导电金属的)具有特定组成的烧结添加剂。



54、一种陶瓷基片用搓片装置及搓片方法

本技术揭示了一种陶瓷基片用搓片装置,包括支架及安装在支架上的传输机构、搓削机构、感应机构、回收机构,搓削机构置于传输机构上方,感应机构置于支架的顶端,置于搓削机构的前方,回收机构包括置于传输机构的末端的收纳盒及置于搓削机构两侧的粉尘吸纳单元,感应机构的信号输出端与搓削机构的信号输入端连接,搓削机构的信号输出端与感应机构的信号输入端连接,搓削机构的第一信号输出端与粉尘吸纳单元的第一信号输入端连接,搓削机构的第二信号输出端与粉尘吸纳单元的第二信号输入端连接。借助本装置可有效的完成对于陶瓷基片的自动化加工,不仅确保了所加工陶瓷基片的质量,同时也大大提高了生产效率,更加适应企业的大规模加工生产。



55、多层陶瓷基片的制造方法

制造具有空腔的多层陶瓷基片的方法包括,第一加压步骤,其中第一和第二未烧结片堆叠体各自通过加压多个未烧结陶瓷生片而形成;形成穿透第二片堆叠体的孔的步骤;通过将其上形成了所述孔的第二未烧结片堆叠体设在该第一未烧结片堆叠体上形成初步第三未烧结片堆叠体的步骤;第一和第二薄膜分别放置在该初步第三未烧结片堆叠体的顶部和底部上。通过加压第一和第二薄膜以及初步第三未烧结片堆叠体形成第三片堆叠体的步骤;以及烧结第三未烧结片堆叠体的步骤。从而多个陶瓷生片通过平板模层叠而不受空腔形状的影响,且生产过程简化并以稳定的方式进行。



56、激光切割陶瓷电路基片工作台

本技术提出的一种激光切割陶瓷电路基片工作台,所述工作台是由固定座和活动连接移动台构成的上下两部份结构组合体,固定座圆柱筒体中空,底部端密封,筒体径向装有连接真空设备的真空接口气嘴(7),位于固定座(6)之上的活动连接移动台,是一个制有径向外缘环形盘,在轴向上形成圆锥凸台的锁紧环座(2)与同轴配合在该圆锥凸台圆锥面上的锁紧环(1),且在所述锁紧环座内腔锥孔面制有沿内壁锥面逐级放大的圆环台阶,支撑定位待切割钻孔陶瓷基片的金属丝网张紧在锁紧环座(2)中心孔环形端平面上,通过锁紧环与锁紧环座二者之间的锥度配合面完成夹持与张紧。本技术解决了激光切割钻孔陶瓷电路板经常出现难于清理得再凝结Al2O3陶瓷溶瘤的问题。



57、陶瓷基片用双头打磨机及其打磨方法

本技术揭示了一种陶瓷基片用双头打磨机,其特征在于:包括一箱体,所述箱体上固定有打磨装置,所述箱体内设置有与打磨装置连接的除尘装置,所述打磨装置的两端设置有用于夹装陶瓷基片并使其移动的传动系统;所述传动系统包括一螺杆及驱动螺杆工作的电机,所述传动系统还包括一用于夹装陶瓷基片的夹紧装置,所述夹紧装置设置在螺杆上,所述螺杆运动带动夹紧装置移动。本技术可以对陶瓷基片进行双头打磨,节省了劳力时间,打磨效率大大提高。



58、一种制备氮化铝陶瓷基片的方法

本技术属于无机非金属材料领域,涉及对氮化铝陶瓷基片制备方法的改进。本技术利用氧化铝和亲水性石墨或者碳黑为主要原料制备氮化铝陶瓷基片,其工艺步骤为:配料,坯片成型,坯片干燥,撒沙叠片,碳热还原氮化反应,残碳烧除,抛磨清除隔离砂,覆平处理。本技术的优点为:原材料来源充足,成本降低为原来的1/70~1/80,同时也没有环境污染问题。



61、多层莫来石陶瓷基片及其生产方法

本技术涉及多层莫来石陶瓷基片,更具体地涉及适用于安装诸如各种LSI芯片等小型电子元件的多层莫来石陶瓷基片,其目的在于提供一种在基片各表面上有高接合面可靠性的镀膜层的多层莫来石陶瓷基片和生产该基片的方法,其特征在于,在各布线导体上形成由镍和硼组成的镀膜层、用于保护各布线导体或各电子元件的焊接面。利用这种结构,能够避免在各引线端部处镀膜的隆起和基片各表面上出现裂纹。



62、陶瓷布线基片及其制造方法

本技术介绍了一种具有导电层的陶瓷布线基片及其制造方法。该基片是通过在一种莫来石(质)陶瓷基片上烧结一种导电胶而得到的。该导电胶包括按重量计85%至97%的钨粉和15%至3%(用于导电金属的)具有特定组成的烧结添加剂。



63、一种陶瓷基片

本实用新型提供一种陶瓷基片,包括基片底座,所述基片底座具有用于安装功率器件的安装面,所述安装面上具有多个间隔设置的第一挡墙,且所述基片底座、第一挡墙一体成型;所述多个第一挡墙沿垂直于所述基片底座的长度方向设置,且相邻的所述第一挡墙之间形成功率器件安装槽;所述第一挡墙突出于所述基片底座的尺寸大于安装到所述安装槽的功率器件的高度,且所述第一挡墙的长度大于安装到所述安装槽的功率器件的长度。本实用新型提供的陶瓷基片通过在平板状的基片底座上一体成型有第一挡墙,改变了相邻功率器件之间的爬电路径,从而能够减小陶瓷基片的体积,结构简单实用。



64、一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法

一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法,涉及一种在微机械加工中柔性机械光刻剥离工艺制造方法,解决了现有采用反转胶光刻剥离工艺法在硅基片或陶瓷衬底基片进行铂膜光刻剥离,存在污染大、工艺程序复杂,机械性能较差的缺点。本技术采用氮化铝陶瓷基片或硅基片为衬底在超声波的作用下分别在丙酮溶液中和酒精溶液中进行清洗然后均匀涂胶,以制备器件图案的反图形掩模版为制版图形再进行曝光、显影、镀膜,然后在微超声清洗光刻胶,直至光刻胶完全溶解,采用柔性的双向拉伸聚丙烯压敏胶粘带附着在溶解光刻胶后的基片上,施加外力,最后退火处理,实现对陶瓷基片或硅基片的柔性机械光刻剥离。本技术适用于硅基片或陶瓷基片的光刻剥离。



65、单层电容器用晶界层陶瓷介质瓷料、基片的制造方法及其基片

本技术涉及到一种单层电容器用晶界层陶瓷的介质瓷料,其特征在于:其组成及重量份为:SrCO364.66~65.95,TiO234.99~35.69,Nb2O50.20~0.45,改性添加剂0.5~15;所述的改性添加剂为SiO2,Al2O3,MnO2,CaCO3,CuO中的任何一种或几种。本技术还涉及到采用上述瓷料的基片的制备方法及其这种基片。本技术的介质瓷料,其改性添加剂提高了晶界的机械电气性能,限制晶粒过度长大。本技术的制造方法使基片平整光洁,达到良好平面度、粗糙度。制造工艺中采用了氧化剂,其中氧化剂改性添加剂使氧化剂在1050~1250℃渗入瓷片后,形成机电性能良好的晶界层。本技术采用专门配制的隔粘剂,使产品能叠烧,不粘片,适合于批量生产。



66、一种切割氧化物陶瓷基片的方法

本技术公开了一种切割氧化物陶瓷基片的方法,包括如下步骤:待切割的氧化物陶瓷基片表面进行标记;将氧化物陶瓷基片固定在激光切割器中,采用低功率激光沿标记进行多次重复切割,直至切割深度达设定比例;对切割后的氧化物陶瓷基片施力,使氧化物陶瓷基片沿切割轨迹断裂完成切割。本技术提供的一种切割氧化物陶瓷基片的方法,切断面平齐,提升切割质量和切割速度。



67、一种氧化铝陶瓷基片表面加工方法

本技术是一种氧化铝陶瓷基片表面加工方法,该方法包括基片的固定和粘贴,将基片和辅助二氧化硅薄片共同粘贴在陶瓷承载盘上;基片的磨削加工,砂轮以中间进给方式磨削基片去除材料;基片的研磨加工,采用固着磨料,去除磨削留下的砂轮印;基片的高速抛光,采用固着抛光丸片对基片进行高速抛光;基片的化学机械抛光,采用纳米二氧化硅抛光液进行抛光;基片的拆卸,基片正面加工完成后,将基片从陶瓷承载盘上拆卸下;基片的翻面固定,融化石蜡,将基片翻面同正面一样固定;基片的反面减薄,将基片最厚位置厚度加工至要求的上限值之上的一个值,通过研磨?测量?研磨循环步骤精确控制基片的厚度。本技术方法加工时间短、成品率高、成本低。



68、一种复合陶瓷基片及其制备方法

本技术提供一种复合陶瓷基片,包括混合浆料和基体材料,所述混合浆料包括下述组成材料:50?85重量份的陶瓷粉体,5?40重量份的粘接剂,3?5重量份的添加剂,1?5重量份的固化剂,其中:所述陶瓷粉体的粒径为1?10um,所述陶瓷粉体为氧化物陶瓷粉体、氮化物陶瓷粉体、硼化物陶瓷粉体和碳化物陶瓷粉体中的一种或多种。本技术的复合陶瓷基片由陶瓷粉体、粘接剂、添加剂、固化剂组成的混合料和基体材料,通过混合、涂覆、预烘烤、热压烧结过程获得。复合陶瓷基片不仅具有陶瓷的一些特种性能,且制作工艺简单,制备过程中烧结温度低,过程中基本无有害气体益出,是一种新型绿色陶瓷材料。



69、一种热敏陶瓷基片成型方法

本技术涉及一种热敏陶瓷基片成型方法,通过设计干压成型模具的上、下模表面形状,使成型后基片表面呈现网格状,从而减少基片间的接触面积;磨片工序又将基片网格状磨成符合客户需求的表面光滑平整的基片。此制造方法不仅减少烧成工序中基片粘结率,而且锆粉消耗减少,最终生产成本减少。



70、一种超薄大尺寸陶瓷基片的烧结工艺

本技术提供一种超薄大尺寸陶瓷基片的烧结工艺,该工艺步骤如下:将陶瓷生膜带进行冲片得到尺寸大小一致的生膜片,通过在陶瓷生膜片表面涂覆一层隔粘粉,再将膜片堆叠至合适的高度,并用一定重量的氧化锆或氧化铝陶瓷压板压住,采用合适的升降温速率,对生膜片进行两次烧结,可得到平整度良好的超薄大尺寸陶瓷基片。本技术的烧结工艺可解决直径大于30mm、厚度低于0.15mm的陶瓷基片在堆烧过程中极易变形、粘片、易碎、难以分离等问题。



73、氧化锆陶瓷基片制备方法

一种氧化锆陶瓷基片制备方法,包括如下步骤:提供稳定四方相氧化锆粉体、稀土氧化物粉体、溶剂、分散剂、紫外光引发剂、光敏聚合单体和助剂;将四方相氧化锆粉体、稀土氧化物粉体和溶剂混合,再进行蒸发操作将溶剂除去,得到混合粉体;将混合粉体、分散剂、紫外光引发剂、光敏聚合单体和助剂进行混合后,进行球磨和除泡操作,得到氧化锆陶瓷浆料,除泡操作在真空条件下进行;将氧化锆陶瓷浆料加入至陶瓷流延机中,再将承载有氧化锆陶瓷浆料的陶瓷流延机的基板通过紫外光固化机后,形成氧化锆陶瓷基片生坯;将氧化锆陶瓷基片生坯进行烧结后,得到氧化锆陶瓷基片。上述制备方法可以免除传统的干燥工艺,确保制备得到的产品品质更佳。



74、一种AlON涂层AlN陶瓷基片的制备方法

一种AlON涂层AlN陶瓷基片的制备方法,其特征在于:采用Al2O3溶胶雾化喷涂在AlN陶瓷基片上,干燥后,在氮气气氛中、高温下在AlN陶瓷基片的表面制成AlON层形成AlON涂层AlN陶瓷基片。本技术制备的AlON涂层AlN陶瓷基片在氮化铝表面形成AlN-Al2O3固溶体AlxOyNz,被覆铜电极时,由于铜电极表面氧化形成微量的Cu-O键与AlON涂层AlN陶瓷基片表面的Al-O键紧密结合,使得氮化铝陶瓷基片与金属铜电极欧姆接触,使得其电阻率降低,能大幅度提高封装电子元件的使用性能。



75、激光切割陶瓷电路基片工作台

本技术提出的一种激光切割陶瓷电路基片工作台,所述工作台是由固定座和活动连接移动台构成的上下两部份结构组合体,固定座圆柱筒体中空,底部端密封,筒体径向装有连接真空设备的真空接口气嘴(7),位于固定座(6)之上的活动连接移动台,是一个制有径向外缘环形盘,在轴向上形成圆锥凸台的锁紧环座(2)与同轴配合在该圆锥凸台圆锥面上的锁紧环(1),且在所述锁紧环座内腔锥孔面制有沿内壁锥面逐级放大的圆环台阶,支撑定位待切割钻孔陶瓷基片的金属丝网张紧在锁紧环座(2)中心孔环形端平面上,通过锁紧环与锁紧环座二者之间的锥度配合面完成夹持与张紧。本技术解决了激光切割钻孔陶瓷电路板经常出现难于清理得再凝结Al2O3陶瓷溶瘤的问题。



76、基于陶瓷基片的高精度自动型钻孔机

本技术公开了一种基于陶瓷基片的高精度自动型钻孔机,主要解决现有的钻孔机在加工陶瓷基片时,对基片的定位和钻孔均存在精度不高的问题。该钻孔机,包括机体,以及分别安装在该机体上的钻孔驱动装置、气动上料吸盘装置、上料升降装置和连接有二维平台调节装置的传送带,所述钻孔驱动装置还连接有一光学成像装置。本技术构思严谨,设计巧妙,实用性高,通过对陶瓷基片位置进行调整、定位,图像采集处理,对钻头钻孔时的进刀、出刀以及对高速电机的转速进行实时控制和改变,便能够实现对陶瓷基片的高精度定位和钻孔加工,全程自动化操作,不需人工干预,加工精度高,误差小,因此,本技术具有很高的实用价值和推广价值。



77、一种陶瓷基片的制备方法

本技术提供了一种陶瓷基片的制备方法,包括以下步骤:a.将10-15重量份的聚乙烯醇加入85-90重量份的水中,加热使溶解形成聚乙烯醇乳胶液;b.将聚乙烯醇乳胶液、甘油和聚丙烯酸酯混合形成浆料前驱体;c.搅拌状态下往浆料前驱体中加入陶瓷粉体,除泡后得到陶瓷浆料;d.将陶瓷浆料流延成型,干燥后得到陶瓷生坯,排胶烧结得到陶瓷基片。采用本技术提供的陶瓷基片的制备方法,能制备高固含的陶瓷浆料,流延厚度较一致,不会出现厚膜干燥时翘起、开裂现象。



78、陶瓷基片用双头打磨机及其打磨方法

本技术揭示了一种陶瓷基片用双头打磨机,其特征在于:包括一箱体,所述箱体上固定有打磨装置,所述箱体内设置有与打磨装置连接的除尘装置,所述打磨装置的两端设置有用于夹装陶瓷基片并使其移动的传动系统;所述传动系统包括一螺杆及驱动螺杆工作的电机,所述传动系统还包括一用于夹装陶瓷基片的夹紧装置,所述夹紧装置设置在螺杆上,所述螺杆运动带动夹紧装置移动。本技术可以对陶瓷基片进行双头打磨,节省了劳力时间,打磨效率大大提高。



79、陶瓷基片溅射铜箔生产方法

陶瓷基片溅射铜箔生产方法,具体地说是一种采用非平衡磁控溅射方法生产陶瓷覆铜基片。该陶瓷覆铜基片主要用作爆炸箔起爆器。工艺步骤:1.基片预处理:在制备薄膜前需对陶瓷基片进行预处理。预处理工艺过程为:除油脂→超声清洗→活化→真空干燥。2.薄膜制备:固定工件→抽本底真空→轰击清洗净化工件→调节溅射气体压力→确定基片偏压→确定基片占空比→确定溅射占空比→关闭靶电源→偏压电源→气源→停工件转架→开启工作室→取出工件→样品退火。用这种方法生产的铜箔厚度均匀,光洁度好、膜层组织更为致密、铜箔与基片的结合强度好。



80、用于制造铜陶瓷复合基片的方法

本技术涉及一种用于制造铜陶瓷复合基片的方法。根据这种方法,箔材坯料至少在一个表面上被氧化,接下来被氧化过的箔材坯料在一种保护气体氛围中进行回火处理,然后通过DCB过程将箔材坯料与陶瓷复合在一起。



81、敷铜型陶瓷散热基片的制造工艺

本技术是一种半导体温差电制冷器用的敷铜型陶瓷散热基片的制造工艺。它是用机械加工方法先将铜箔按所需图形加工好,然后用粘结剂和模具将其固定在陶瓷基片上,放入链式数控氮气炉中烧结而成。本技术的优点:铜箔与陶瓷之间界面薄,热阻低,铜箔导电率高,损耗低;图形边缘整齐,工艺简单且成本低,无污染,便于规模化生产。



82、多层陶瓷基片的制造方法

一种多层陶瓷基片的制造方法,所述基片中具有多级空腔,用于安装电子元件。将一个块插入到较为低级的空腔部分内,该空腔部分要作为多层陶瓷基片的未加工片层状体中形成的空腔,其中所述块的三维形状与该空腔部分的三维形状基本相同,并且它的高度等于或大于该空腔部分的深度。从而,在该空腔具有表观为单级的状态下进行按压步骤。


 

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