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陶瓷介质相关技术资料全集

作者:未知 来源:本站原创 发布时间:2020年01月14日

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1、陶瓷介质

由5-60重量%的锂辉石和由95-40重量%的其它包含粘土和长石等陶瓷形成组分制作的陶瓷原料经焙烧而成陶瓷介质,在焙烧形成介质时收缩率有下降趋势,并且改善了其物理性质。



2、陶瓷介质

由5-60重量%的锂辉石和由95-40重量%的其它包含粘土和长石等陶瓷形成组分制作的陶瓷原料经焙烧而成陶瓷介质,在焙烧形成介质时收缩率有下降趋势,并且改善了其物理性质。



3、电介质陶瓷

要获得介电常数充分高并且静电容量的温度特性良好的BaTiO3系电介质陶瓷是困难的。本技术的解决手段是;在BaTiO3系电介质陶瓷的主成分中加Mg作为添加成分。通过调整烧成温度、时间等,控制Mg对于晶粒的扩散层3的深度D2。使D2相对于平均粒径D1的值在5~30%的范围内。



4、电介质陶瓷

要获得介电常数充分高并且静电容量的温度特性良好的BaTiO3系电介质陶瓷是困难的。本技术的解决手段是;在BaTiO3系电介质陶瓷的主成分中加Mg作为添加成分。通过调整烧成温度、时间等,控制Mg对于晶粒的扩散层3的深度D2。使D2相对于平均粒径D1的值在5~30%的范围内。



5、一种介质陶瓷

本技术提供一种介质陶瓷,以摩尔份数计,其原料包括0.5~1份BaO,4~6份TiO2和0.1~0.4份SrO。该介质陶瓷的介电常数可以达到40左右,同时Q值高达30000;并且该介质陶瓷具有致密、均匀、机械性能良好等优点,适合在滤波器领域推广、使用。



6、微波介质陶瓷

本技术的微波介质陶瓷是以BaO、Nd2O3、Sm2O3、Bi2O3及TiO2组合而成的结构为Ba6-3x(Nd1-y-zSmyBiz)8+2xTi18O54的固溶体,各成分的含量分别是:设BaO的含量为m,Nd2O3的含量为n(1-y-z),Sm2O3的含量为ny,Bi2O3的含量为nz,TiO2的含量为p,其中14.0摩尔%≤m≤17.6摩尔%,16.0摩尔%≤n≤18.0摩尔%,66.0摩尔%≤p≤68.0摩尔%,m+n+p=100%摩尔,0.4≤x≤0.75,0.05≤y≤0.7,0.05≤z≤0.2。它介电常数可高达87~106,具有低损耗与较小的谐振频率温度系数。



7、一种介质陶瓷

本技术提供一种介质陶瓷,其原料包括CaTiO3和B2O3,其中B2O3的质量为CaTiO3的质量的8~12%。该介质陶瓷的介电常数可以达到150左右,同时Q值大于2000;并且该介质陶瓷具有致密、均匀、机械性能良好等优点,适合在滤波器领域推广、使用。



8、微波介质陶瓷

本技术提供一种微波介质陶瓷,其化学组成表达式为:aCaCO3?bTiO2?cLa2O3?dSm2O3?eAl2O3;其中,34mol%≤a≤42mol%,36mol%≤b≤44mol%,0mol%≤c≤16mol%,0mol%≤d≤16mol%,6mol%≤e≤14mol%,a+c+d=50mol%,b+e=50mol%。本技术的微波介质陶瓷价格低廉,微波介电性能好,可广泛应用于性能优异的介质谐振器、滤波器及双工器等微波器件的制备,满足通信基站等系统的技术需求。



9、一种介质陶瓷

本技术提供一种介质陶瓷,其原料包括Ba2Ti9O20和B2O3,其中B2O3的质量为Ba2Ti9O20的质量的4~8%。该介质陶瓷的介电常数可以达到30左右,同时Q值高达20000;并且该介质陶瓷具有致密、均匀、机械性能良好等优点,适合在滤波器领域推广、使用。



10、一种介质陶瓷

本技术提供一种介质陶瓷,其原料包括Ba2Ti8O18和B2O3,其中B2O3的质量为Ba2Ti8O18的质量的4~8%。该介质陶瓷的介电常数可以达到30左右,同时Q值高达15000;并且该介质陶瓷具有致密、均匀、机械性能良好等优点,适合在滤波器领域推广、使用。



13、一种介质陶瓷

本技术提供一种介质陶瓷,以摩尔份数计,其原料包括100份CaTiO3,40~45份NdAlO3,0.4~0.8份Al2O3和16~24份B2O3。该介质陶瓷的介电常数可以达到40左右,同时Q×f值高达20000,非常适用于制作介质谐振子。



14、微波介质陶瓷

本技术的微波介质陶瓷是以BaO、Nd2O3Sm2O3、Bi2O3及TiO2组合而成的结构为Ba6-3x(Nd1-y-zSmyBiz)8+2xTi18O54的固溶体,各成分的含量分别是:设BaO的含量为m,Nd2O3的含量为n(1-y-z),Sm2O3的含量为ny,Bi2O3的含量为nz,TiO2的含量为p,其中14.0摩尔%≤m≤17.6摩尔%,16.0摩尔%≤n≤18.0摩尔%,66.0摩尔%≤p≤68.0摩尔%,m+n+p=100%摩尔,0.4≤x≤0.75,0.05≤y≤0.7,0.05≤z≤0.2。它介电常数可高达87~106,具有低损耗与较小的谐振频率温度系数。



15、介质陶瓷组合物、介质陶瓷和含有介质陶瓷的层压陶瓷部件

本技术提供介质陶瓷组合物,通过与低电阻导体例如银或铜的同时烧结,其可以在约800-1000℃的温度烧结从而使得可以内插低电阻导体并与其多层化,并且其烧结形成介电常数εr为10以下的介质陶瓷、和Q×f0值大且共振频率f0的温度系数τf的绝对值为20ppm/℃以下且该值容易控制的谐振器。基于100重量份的通式:aZnAl2O4-bZn2SiO4-cTiO2-dZn2TiO4表示的主成分,所述介质陶瓷组合物含有5-150重量份的玻璃成分,其中各成分的摩尔分数a、b、c和d满足5.0≤a≤80.0摩尔%,5.0≤b≤70.0摩尔%,5.0≤c≤27.5摩尔%,0≤d≤30.0摩尔%(a+b+c+d=100摩尔%)。



16、电介质陶瓷材料

本技术涉及陶瓷材料技术领域,特别是一种用于汽车火花塞打火的电介质陶瓷材料。该材料由以下按质量百分比计的原料在1700-2000度温度下烧结而成,包括70.0-80.0%的Al2O3、4-6%MgO、6-9%的Fe2O3、1-2%的WC、1.5-3%的BN、5-8%CuO、4-6%的Cr2O3、2-3%的ZrO3、CeO3的6-8%、0.5-1%的ZnO。本技术具有绝缘放电性能,用于汽车火花塞正负电极之间放电击穿打火,火花温度高,点火准时可靠,不失火不掉火,增加动力,减小噪音,减少尾气的排放,既节能又环保,能够延长火花塞的使用寿命。



17、一种介质陶瓷

本技术提供一种介质陶瓷,以摩尔份数计,其原料包括0.5~1份BaO,4~6份TiO2和0.1~0.4份SrO。该介质陶瓷的介电常数可以达到40左右,同时Q值高达30000;并且该介质陶瓷具有致密、均匀、机械性能良好等优点,适合在滤波器领域推广、使用。



18、介质陶瓷滤波器

本技术公开了一种介质陶瓷滤波器,包括微带线基板,所述微带线基板的表面上贴介质体块,所述介质陶瓷滤波器的输入端、输出端上各设有一按照一定长度突出的金属传导盖,所述金属传导盖是盖住介质体块部分上端和部分两侧端的导热性金属板。本技术中的介质体块两端盖上的金属传导盖可以把滤波器输入/出端因阻抗差异产生的损耗降到最小化,提高阻抗匹配,优化介质陶瓷滤波器的频率应答特性。而且在介质体块两端形成的导体传导线和金属传导盖上面开槽,更方便了调试作业,所以组装后也可以微调产品特性,更能提高介质陶瓷滤波器的特性,增加生产效率。在传导线上面盖上金属传导盖可把磁场辐射降到最小。



19、一种介质陶瓷

本技术提供一种介质陶瓷,其原料包括Ba2Ti9O20和B2O3,其中B2O3的质量为Ba2Ti9O20的质量的4~8%。该介质陶瓷的介电常数可以达到30左右,同时Q值高达20000;并且该介质陶瓷具有致密、均匀、机械性能良好等优点,适合在滤波器领域推广、使用。



20、一种介质陶瓷

本技术提供一种介质陶瓷,其原料包括CaTiO3和B2O3,其中B2O3的质量为CaTiO3的质量的8~12%。该介质陶瓷的介电常数可以达到150左右,同时Q值大于2000;并且该介质陶瓷具有致密、均匀、机械性能良好等优点,适合在滤波器领域推广、使用。



21、微波介质陶瓷

本技术提供一种微波介质陶瓷,其化学组成表达式为:aCaCO3-bTiO2-cLa2O3-dSm2O3-eAl2O3;其中,34mol%≤a≤42mol%,36mol%≤b≤44mol%,0mol%≤c≤16mol%,0mol%≤d≤16mol%,6mol%≤e≤14mol%,a+c+d=50mol%,b+e=50mol%。本技术的微波介质陶瓷价格低廉,微波介电性能好,可广泛应用于性能优异的介质谐振器、滤波器及双工器等微波器件的制备,满足通信基站等系统的技术需求。



22、介质陶瓷组合物

陶瓷介质组合物,其介电常数在3000至4000之间;损耗因数低于1.8%;绝缘电阻值与电容量之积在25℃时约为10000欧姆-法拉,在125℃时大于1000欧姆-法拉,并有稳定的温度特性。在一个实施例中,在-55℃至125℃的温度范围内,本技术的陶瓷介质组合物的介电常数随温度的变化,不会超过±15%。



25、介质陶瓷组合物、介质陶瓷和含有介质陶瓷的层压陶瓷部件

本技术提供介质陶瓷组合物,通过与低电阻导体例如银或铜的同时烧结,其可以在约800-1000℃的温度烧结从而使得可以内插低电阻导体并与其多层化,并且其烧结形成介电常数εr为10以下的介质陶瓷、和Q×f0值大且共振频率f0的温度系数τf的绝对值为20ppm/℃以下且该值容易控制的谐振器。基于100重量份的通式:aZnAl2O4-bZn2SiO4-cTiO2-dZn2TiO4表示的主成分,所述介质陶瓷组合物含有5-150重量份的玻璃成分,其中各成分的摩尔分数a、b、c和d满足5.0≤a≤80.0摩尔%,5.0≤b≤70.0摩尔%,5.0≤c≤27.5摩尔%,0≤d≤30.0摩尔%(a+b+c+d=100摩尔%)。



26、电介质陶瓷的制造方法及电介质陶瓷

本技术提供相对介电常数低的电介质陶瓷的制造方法及电介质陶瓷,所述电介质陶瓷能够在低于900℃的低温条件下与低熔点金属一起进行烧成,并且烧成温度的选择范围宽,使空孔率减少从而能够使组织致密化,而且能够减少制造工序、缩短工序时间以及降低成本。本技术的电介质陶瓷的制造方法是对包含堇青石材料(2MgO·2Al2O3·5SiO2)以及含有Al、Si和Sr且所述Si的一部分玻璃化的低温烧结化材料的混合粉末进行成型,并对成型体进行烧成的电介质陶瓷的制造方法,其中,其包括将所述低温烧结化材料至少与所述堇青石材料一起进行湿式粉碎从而制成中值粒径D50小于1μm的混合粉末的工序,在所述低温烧结化材料直至制成所述混合粉末为止的工序中,没有经过仅对低温烧结化材料进行湿式粉碎然后进行干燥的工序。



27、电介质陶瓷组合物

本技术提供一种电介质陶瓷组合物,其击穿电压的波动少,并且电性能优异。本技术的电介质陶瓷组合物,作为主要组分,含有组成式{α(xBaO·yNd2O3·zTiO2)+β(2MgO·SiO2)}所示的组分,表示BaO、Nd2O3和TiO2的摩尔比的x、y和z分别在特定的摩尔比范围内,表示主要组分中各组分的体积比的α和β分别在特定的体积比范围内,相对于主要组分,作为副组分含有氧化锌、氧化硼、软化点在特定温度以下的玻璃和银,并且表示相对于主要组分的各副组分的质量比的a、b、c和d分别具有特定的质量比关系。



28、电介质陶瓷组合物

本技术提供一种电介质陶瓷组合物,其可以抑制比介电常数对烧结温度的依存性,而且可以使机械强度得以提高。本技术的电介质陶瓷组合物的特征在于:在图1所示的ZrO2、SnO2和TiO2的三元组成图中,以由点A、点B、点C、点D、点E、点F所包围区域的组成为主要成分,并且相对于该主要成分,含有ZnO:0.5~5wt%、NiO:0.1~3wt%、SiO2:0.008~1.5wt%。另外,相对于上述主要成分,可以含有Nb2O5:0.2wt%以下、K2O:0.035wt%以下。



29、陶瓷研磨介质微珠坯体

本技术是对超细粉体及超细浆料加工用研磨介质陶瓷微珠的改进,其特征是微珠坯体主要采用天然未煅烧的煤矸石为原料,并控制氧化铝含量为40-60%。本技术微珠坯体经烧结后,可获得真比重为2.3g/cm3-2.7g/cm3,假比重1.5g/cm3-1.7g/cm3,吨磨耗2%的白色陶瓷研磨介质微珠。



30、介质陶瓷和电子元件

提供了介质陶瓷和能提高在负载下高温绝缘电阻的耐久性,即IR退化寿命的电子元件。一种介电层包括含BaTiO3为主要成分的介质陶瓷;及含下列四种辅助成分:Mg、Ca、Ba、Sr和Cr之中至少一种元素;SiO2;V、Mo和W中至少一种元素;及Er、Tm、Yb、Y、Dy和Ho中至少一种元素。优选在介质陶瓷中具有空隙的晶粒的存在率为10%或更低,平均晶粒直径大于0.1μm但≤0.7μm。改善IR退化寿命。优选使用草酸盐法或固相法合成的BaTiO3粉末作为原料,该BaTiO3粉末具有Ba/Ti比例大于1而小于1.007。



31、电介质陶瓷组合物

本技术公开了一种(1-x)ZnNb2O6-xTiO2系组合物及对其添加了添加剂的低温烧结用微波电介质陶瓷组合物。本电介质组合物具有优异的电介特性,尤其是能够进行谐振频率温度系数的调节,并且是仅添加了少量的添加剂的低温烧结组合物。由于使用低融点电极并可同时烧成,所以可降低制造成本,适于积层结构的电介质装置的小型化。



32、电介质陶瓷组合物

本技术涉及一种非还原性电介质陶瓷组合物,包括主成分钛酸钡,其特征在于,每100摩尔钛酸钡中还包括0.1到6摩尔的添加物BaaCa1-aSiO3(0.43≤a≤0.62),并且还含有Sr,Mn及Nb元素中的至少一种。



33、一种陶瓷介质谐振子

本技术涉及一种陶瓷介质谐振子,包括烧结成一体的坯筒和坯体,所述坯筒为第一坯带绕一中心轴卷绕多圈而成的筒状结构,所述坯体为多个片状的第二坯带依次层叠而成的柱状结构,所述坯体装入所述坯筒内并与所述坯筒烧结为一体,所述第一坯带和第二坯带均包括生瓷带和印制在所述生瓷带上的金属微结构。采用本技术的方法制得的谐振子,由于存在坯筒和坯体两部分,使得两部分上的金属微结构所在表面相互垂直,使得可以即对水平电场产生影响,也能影响竖直电场,所以本技术的谐振子既可以调制TM模式,也可以调制TE模式,具有广泛的应用性。



34、电介质陶瓷组合物

本技术涉及电介质陶瓷组合物。电介质陶瓷组合物,其特征在于:含有以2MgO·SiO2换算为93.0-99.0mol%的镁橄榄石、以CaTiO3换算为1.0-7.0mol%的钛酸钙作为主成分;相对于100质量%上述主成分,含有以Al2O3换算为0.2-5质量%的氧化铝作为副成分。根据本技术,可以提供低介电常数和良好的频率温度特性同时成立、且可确保高的Qf值、并且具有足够的机械强度、适合在高频域中使用的天线或滤波器等的电介质陶瓷组合物。本技术还提供具备上述所有特性、进一步具有耐还原性的电介质陶瓷组合物。



37、复合微波介质陶瓷材料

本技术涉及一种复合微波介质陶瓷材料,属介质陶瓷领域。该微波介质陶瓷是Li2O-Nb2O5-TiO2系材料,其由Li2TiO3固溶体(Li2TiO3ss相)和M-相固溶体两相构成。这种材料的组成为xLi1+a-bNb1-a-3bTia+4bO3+(1-x)Li2+dNb3dTi1-4dO3,其中:0<x<1,0.05<a<0.2,0<b<0.18,0<d<0.2;将原料按传统工艺制备,即得到本技术材料。本技术的复合微波介质陶瓷,其烧结温度低(~1100℃),并且微波介电性能优异,其具有可调的介电常数(εr为18~70),高的Q*f值以及较低的谐振频率温度系数(τf);适用于贱金属内电极的片式元件。



38、低损耗微波介质陶瓷

本技术的低损耗微波介质陶瓷是微波通讯元器件的关键材料。其主成分是:CaO或SrO、La2O3或Nd2O3、Al2O3,副成分是MgTiO3,主成分中各成分的含量摩尔%分别为:CaO或SrO45.0~55.0,La2O3或Nd2O320.0~30.0,Al2O320.0~30.0,且主成分的总量为100,副成分的含量占主成分总重量的0~20%。这种低损耗微波介质陶瓷,其介电常数为16~25,Qf值高达60000GHz以上,同时具有近零谐振频率温度系数。



39、微波介质陶瓷组合物

本技术的目的是通过将谐振频率的τf具有较大正值的陶瓷组合物添加至温度系数τf具有较大负值的陶瓷组合物中并且进行混合,从而获得其介电常数ε较大,谐振频率的温度系数τf接近于0,并且Q值也较大的介质陶瓷组合物。在La2O-R2O3-TiO2基组合物中,加入特定量的Bi2O3,可改善介电常数ε,使τf值向加号侧变化。通过加入特定量的MO(M是Ca和/或Sr),显著改善Qf值。同时加入Na2O和MO(M是Ca和/或Sr),特别是对于εr≥150的材料,可在保证Qf大的同时,将τf值控制在0附近。



40、低损耗微波介质陶瓷

本技术涉及用于介质谐振器、滤波器及振荡器等微波通讯系统中的微波介质陶瓷。它的表达式为xMeO.yRe2O3.zAl2O3,其中,Me=Ca或Sr,Re=Sm或Y,各成份的含量分别是:45.0摩尔%≤x≤55.0摩尔%,20.0摩尔%≤y≤30.0摩尔%,20.0摩尔%≤z≤30.0摩尔%,x+y+z=100%。这种微波介质陶瓷具有低损耗与近零谐振频率温度系数,同时介电常数为18~22。利用本技术提供的低损耗微波介质陶瓷,可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适合更高频率与更大功率的应用。同时,本技术提供的陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器、温度补偿陶瓷电容器或微波基板等。因此,本技术在工业上有着极大的价值。



41、电介质陶瓷和层叠陶瓷电容器

本技术的目的是实现即使将电介质层进一步薄层化、多层化,也不会损害介电特性、绝缘性、温度特性、高温负荷特性等诸特性,且耐热冲击性良好的电介质陶瓷和使用其的层叠陶瓷电容器。为此,本技术的电介质陶瓷中,将通式ABO3所表示的以钛酸钡系化合物作为主成分,含有Al、Mg和Si的结晶性氧化物作为二次相粒子存在。电介质层(6a)~(6g)由上述电介质陶瓷形成。



42、电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器

本技术提供一种电介质陶瓷以及使用该电介质陶瓷的叠层陶瓷电容器,该电介质陶瓷的AC电压特性良好,能维持所需的较大电介常数及良好的温度特性,电介损失亦较小,且能确保可靠性。本技术的电介质陶瓷由通式:100BamTiO3+aROn+bMOv+cXOw(R为Dy、La等规定的稀土类元素,M为Mn、Mg等规定的金属元素,n、v及w为根据元素R、M以及烧结助剂成分X的价数所唯一决定的正数)表示,主相粒子中所述副成分的固溶区域的剖面积比平均为10%以下(包含0%),烧结助剂成分X至少含有Si。m、a、b、c为0.995≤m≤1.030、0.1≤a≤2.0、0.1≤b≤3.0、0.1≤c≤5.0。叠层陶瓷电容器的电介质层1a~1g是藉由所述电介质陶瓷所形成。



43、电介质陶瓷以及层叠陶瓷电容器

即使在将电介质层薄层化的情况下,也能够得到良好的可靠性,实现适于中高压用途的层叠陶瓷电容器。其含有由{100(BaTiO3+aBaZrO3)+bR+cMg+dMn+eSi}(R为特定的稀土元素,0≤a≤0.2、8.0≤b≤12.0、1.0≤c≤10.0、0.1≤d≤3.0以及1.0≤e≤10.0)表示的组合物,包含粒径为0.7μm以上的第一粒子和粒径为0.6μm以下的第二粒子,第一粒子的平均粒径Aave、第二粒子的平均粒径Bave满足0.8μm≤Aave≤2.0μm、0.1μm≤Bave≤0.5μm,Aave/Bave≥3.0,第一粒子占有的面积比率SA、第二粒子占有的面积比率SB满足0.3≤SA≤0.9、0.1≤SB≤0.7以及0.8≤SA+SB≤1.0。



44、电介质陶瓷及层叠陶瓷电容器

本技术提供一种以ABO3(A必须含有Ba,而且还含有Ca以及Sr中的至少一种,B必须含有Ti,而且还含有Zr以及Hf中的至少一种)为主要成分,并且含有Si作为副成分的电介质陶瓷,并提高其介电常数。电介质陶瓷(11),含有:主相粒子(12),其由ABO3系的主要成分构成;第二相粒子(13),其具有与主相粒子(12)不同的组成。将相对于该电介质陶瓷(11)中的Si的全部含有量的第二相粒子(13)中的Si含有量的比率设为40%以上,使Si的分布更多集中于第二相粒子(13)。优选第二相粒子中的Si含有量为30mol%以上。



45、电介质陶瓷组合物和层叠陶瓷电容器

本技术提供层叠陶瓷电容器中使用的电介质陶瓷材料,其能在1300℃以下的温度下与主要成分为Ni的内部电极一起烧结,不仅能确保高介电常数,而且在-55~175℃的范围内的静电容量温度特性良好,在175℃下的电阻率ρ高。电介质陶瓷组合物以组成式(1-a)(K1-xNax)(Sr1-y-zBayCaz)2Nb5O15-a(Ba1-bCab)TiO3(a、b、x、y、z均表示摩尔比,满足0.3≤a≤0.8、0≤b≤0.2、0≤x<0.2、0.1≤y≤0.5、0.1≤z≤0.5、0.2≤y+z≤0.7)所示的电介质陶瓷组合物为主要成分,并且相对于上述主要成分100摩尔份,含有0.1~40摩尔份的M(M是选自V、Mn、Cr、Fe、Co、Ni、Zn、Mg、Si中的至少1种)作为辅助成分。



46、电介质陶瓷组成物及层叠陶瓷电容器

技术文献1中记载有采用了钨青铜型复合氧化物的用于促动器的压电陶瓷,不过,其相对介电常数低到小于2000,不适于作为用于层叠陶瓷电容器的电介质陶瓷材料。另外,Mn具有提高烧结性的效果,不过,如技术文献1的表2所表明,随着Mn的添加量的增加,相对介电常数下降,因而,作为用于层叠陶瓷电容器的电介质陶瓷材料使用上存在问题。本技术的电介质陶瓷组成物,作为主成分含有以组成式(K1-yNay)Sr2Nb5O15(其中,0≤y<0.2)表示的钨青铜型复合氧化物,所述电介质陶瓷组成物,相对于上述主成分100摩尔份,含有0.1~40摩尔份的Mn作为副成分。



49、介质陶瓷及使用它的层叠陶瓷电容器

一种介质陶瓷,将用组成式:(Ba1-x-yCaxSny)m(Ti1-zZrz)O3表示的钙钛矿型化合物作为主成份,对于所述主成分100摩尔部而言,作为副成分的RE包含0.5~20摩尔部,其中:RE是从由Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu构成的组中选择的至少一种,所述x、y、z、m分别满足0≤x≤0.20、0.02≤y≤0.20、0≤z≤0.05、0.990≤m≤1.015。提供在175℃左右的高温中也能稳定使用的介质陶瓷及使用它的层叠陶瓷电容器。



50、介质陶瓷及叠层陶瓷电容器

本技术提供一种介质陶瓷及Ni内部电极叠层陶瓷电容器,所述介质陶瓷的可靠性比先前高,且介电常数的温度特性满足X6S特性。本技术的特征在于,以ABO3+aRe+bM+Zr氧化物(其中,ABO3以表示钙钛矿型结构的通式表示钛酸钡系固溶体,Re是从La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中选择的至少1种金属的氧化物,M是从Mg、Al、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu及Zn中选择的金属元素的氧化物,a、b表示将各氧化物换算为包含1个金属元素的化学式时的相对于1 mol的ABO3的mol数)表示时,处于1.100≤Ba/Ti≤1.700、0.05≤a≤0.25、0.05≤b≤0.25的范围,Zr氧化物以相对于Ti的Zr的比率表示时,处于Ti∶Zr=95∶5~60∶40的范围。



51、电介质陶瓷组合物和陶瓷电容器

本技术系将含有如下成分的烧结体作为陶瓷电容器的电介质层的材料使用,该烧结体中Ba及Ti的氧化物换算成BaTiO3时为100摩尔份,Re(Re为选自Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Y中的一种或两种以上)的氧化物换算成Re2O3时为0.25~1.5摩尔份,Mg的氧化物换算成MgO时为0.2~1.5摩尔份,选自Mn、V及Cr的一种或两种以上元素的氧化物分别换算成Mn2O3,V2O5,Cr2O3时,含有0.03~0.6摩尔份、Mo和W中至少一种的氧化物分别换算成MoO3、WO3时为0.025~0.25摩尔份,还含有一定比例的SiO2或含SiO2的玻璃成分。



52、电介质陶瓷组合物和陶瓷电容器

近年来,从未停止过提高电子器材性能的要求,因此,制造业对于电子零件的特性要求亦日趋严苛。而对陶瓷电容器的电特性也要求日严,特别是要求具有更优良温度特性与产品寿命的产品。本技术系可作为陶瓷电容器电介质层材料使用的电介质陶瓷组合物的技术,其特征为由BaTiO3为主成分的陶瓷粒子的烧结物所构成,该烧结物含有芯·壳结构的陶瓷粒子,该具有芯·壳结构的陶瓷粒子由芯部与包围芯部的壳部所构成,该芯部由近乎纯的BaTiO3所构成,而该壳部由以BaTiO3为主成分的固溶体所构成,该烧结物的截面上,该芯·壳结构陶瓷粒子的粒子数比例为形成该烧结物的全部陶瓷粒子的粒子数的15%以上。



53、电介质陶瓷以及层叠陶瓷电容器

一种电介质陶瓷,以具有包含Ba、Ca和Ti的钙钛矿型化合物的主相粒子作为主成分,并且至少包含含有Ca、稀土类元素和Si的第1异相粒子。不含有Ca而含有稀土类元素和Si的第2异相粒子,以所述第2异相粒子的个数相对于所述第1异相粒子和所述第2异相粒子的个数总计的比率计为0.05以下(包括0)。第1异相粒子中,Ca的含量相对于Ca、稀土类元素和Si的含量总计以摩尔比换算优选为8%以上。电介质陶瓷层6a~6g由该电介质陶瓷形成。由此,即使在薄层化至1μm左右的情况下长时间施加高电场,也可以得到充分的高温负荷寿命,实现了具有所要求的高可靠性的电介质陶瓷和使用了该电介质陶瓷的层叠陶瓷电容器。



54、电介质陶瓷组成物及层叠陶瓷电容器

本技术为电介质陶瓷组成物及层叠陶瓷电容器。技术文献1中记载有采用了钨青铜型复合氧化物的用于促动器的压电陶瓷,不过,其相对介电常数低到小于2000,不适于作为用于层叠陶瓷电容器的电介质陶瓷材料。另外,Mn具有提高烧结性的效果,不过,如技术文献1的表2所表明,随着Mn的添加量的增加,相对介电常数下降,因而,作为用于层叠陶瓷电容器的电介质陶瓷材料使用上存在问题。本技术的电介质陶瓷组成物,作为主成分含有以组成式(K1-yNay)Sr2Nb5O15(其中,0≤y<0.2)表示的钨青铜型复合氧化物,所述电介质陶瓷组成物,相对于上述主成分100摩尔份,含有0.1~40摩尔份的Mn作为副成分。



55、电介质陶瓷以及层叠陶瓷电容器

本技术提供高温负荷试验的寿命特性优良的层叠陶瓷电容器,作为构成层叠陶瓷电容器(1)的电介质层(2)的电介质陶瓷,以(Ba1-xCax)TiO3作为主成分,相对于所述(Ba1-xCax)TiO3100摩尔份,含有a摩尔份的Al、b摩尔份的V、c摩尔份的MgO、和d摩尔份的Re,其特征在于,所述Re为选自Y、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、以及Yb中的至少一种金属元素,所述x、a、b、c、以及d分别满足0.050≤x≤0.150、a≥0.15、0.05≤b≤0.50、c≤0.50、以及d≥1.00的各条件。



56、电介质陶瓷及层叠陶瓷电容器

本技术提供一种即使将电介质陶瓷层薄层化,在赋予高电场强度时,高温负载寿命长、寿命偏差小、电容大、电绝缘性高及电容温度特性良好的层叠陶瓷电容器。作为构成层叠陶瓷电容器(1)的电介质陶瓷层(2)电介质陶瓷,使用用100(Ba1-xCax)mTiO3+aMgO+bVO5/2+cReO3/2+dMnO+eSiO2(Re是从Y、La、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb中选择的至少1种。)表示、且x、a、b、c、d、e、及m分别满足0.05≤x≤0.15、0.01≤a≤0.1、0.05≤b≤0.5、1.0≤c≤5.0、0.1≤d≤1.0、0.5≤e≤2.5、及0.990≤m≤1.030各条件的陶瓷。



57、电介质陶瓷及层叠陶瓷电容器

本技术提供一种电介质陶瓷,其中,作为主要成分含有以通式:(Ba1-tCat)m(Ti1-u-xZruCux)O3(其中,0.96≤m≤1.02,0.001≤x≤0.03,0≤t≤0.1,0≤u≤0.06)表示的化合物,且含有Dy等特定的稀土类元素R、Mn等特定的金属元素M、Mg及Si,所述Cu均匀地分散并存在于构成所述主要成分的主相粒子中,且所述各副成分的含量相对于所述主要成分100摩尔份,分别为R:0.1~1.5摩尔份、M:0.1~0.6摩尔份、Mg:0.1~1.5摩尔份、Si:0.1~2.0摩尔份。由此,可以实现高介电常数、温度特性良好、可靠性高且静电电容的经时变化小的层叠陶瓷电容器。



58、电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器

本技术提供一种电介质陶瓷,其电容率高,在用于叠层陶瓷电容器(1)时,即使电介质陶瓷层(3)薄层化,绝缘性也高,可靠性优良。用于构成叠层陶瓷电容器(1)的电介质陶瓷层(3)的电介质陶瓷,具有用100(Ba1-w-x-mCawSrxGdm)k(Ti1-y-z-nZryHfzMgn)O3+a+pMnO2+qSiO2+rCuO表示的组成。其中,0.995≤k≤1.010、0≤w<0.04、0≤x≤0.04、0≤y≤0.10、0≤z≤0.05、0.015≤m≤0.035、0.015≤n≤0.035、0.01≤p≤1.0、0.5≤q≤2.5、及0.01≤r≤5.0。a是相对于3的偏差,以所述主成分成为电中性的方式选择的值。



61、电介质陶瓷组合物和陶瓷电容器

因陶瓷电容器的小型大容量化,坯片形成薄层化时,出现单位厚度所承受的电压增加,电介质层的寿命时间缩短,层积陶瓷电容器的可靠性降低的问题。本技术系将含有如下成分的烧结体作为陶瓷电容器的电介质层的材料使用,该烧结体中Ba及Ti的氧化物换算成BaTiO3时为100摩尔份,Re(Re为选自Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Y中的一种或两种以上)的氧化物换算成Re2O3时为0.25~1.5摩尔份,Mg的氧化物换算成MgO时为0.2~1.5摩尔份,选自Mn、V及Cr的一种或两种以上元素的氧化物分别换算成Mn2O3,V2O5,Cr2O3时,含有0.03~0.6摩尔份、Mo和W中至少一种的氧化物分别换算成MoO3、WO3时为0.025~0.25摩尔份,还含有一定比例的SiO2或含SiO2的玻璃成分。



62、非还原介质陶瓷和单片陶瓷电容器

本技术提供了一种非还原介质陶瓷,具有由化学式ABO3表示钙钛矿结构,具有含有钛酸钡作为主要成份的主要结晶相。在25摄氏度或更高的温度,通过X射线衍射法确定的结晶轴比率c/a满足关系1.000≤c/a≤1.003。较好地,非还原介质陶瓷具有小于-25摄氏度的相转变温度。较好地,非还原介质陶瓷包含至少一种稀土元素。还揭示了包含由根据本技术的非还原介质陶瓷构成的介质陶瓷层的单片陶瓷电容器。



63、介质陶瓷组合物与单片陶瓷电容器

本技术提供了一种介质陶瓷组合物,包含钛酸钡(BamTiO3)、稀土氧化物(RO3/2),其中稀土元素R是从由Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb构成的组中选出的至少一种元素,氧化钙(CaO),和二氧化硅(SiO2),其中介质陶瓷组合物由公式100BamTiO3+aRO3/2+bCaO+CSiO2表示,其中系数100、a、b和c表示摩尔,并且满足关系:0.990≤m≤1.030,0.5≤a≤30,0.5≤b≤30,和0.5≤c≤30。还提供了一种单片陶瓷电容器,包含多个介质陶瓷层、形成在所述介质陶瓷层之间的内部电极和电气连接到内部电极的外部电极,介质陶瓷层由上述介质陶瓷组合物构成,并且内部电极由贱金属作为主成份构成。



64、电介质陶瓷以及层叠陶瓷电容器

本技术提供一种例如适合在如车载用那样的高温环境下被使用的层叠陶瓷电容器中使用的电介质陶瓷。该电介质陶瓷具有由组成式:(1-x)(Ba1-yCay)mTiO3+xCaTiO3+aRe2O3+bMgO+cMnO+dV2O3+eSiO2表示的组成(Re是Gd、Dy、Y、Ho和/或Er),并满足0.001≤x≤0.02、0.08≤y≤0.20、0.99≤m≤1.05的各条件,并且,在利用将(1-x)(Ba,Ca)TiO3+xCaTiO3设为1摩尔时的摩尔份表示了a、b、c、d以及e时,满足0.01≤a≤0.04、0.005≤b≤0.035、0≤c≤0.01、0≤d≤0.01、0.01≤e≤0.04的各条件。由该电介质陶瓷构成层叠陶瓷电容器(1)的电介质陶瓷层(3)。



65、电介质陶瓷组合物和陶瓷电子部件

电介质陶瓷组合物,其含有以ABO3(A是Ba单独,或者是Ba与选自Ca和Sr的至少1种,B是Ti单独,或者是Ti与Zr)表示、并具有钙钛矿型结晶结构的化合物、和含有Sc和Y的稀土类元素的氧化物。该电介质陶瓷组合物含有具有核壳结构的电介质粒子,所述核壳结构包含核和至少含有R元素的壳,在壳中,R元素的含有比例最大的区域是核与壳的边界区域。



66、电介质陶瓷及层叠陶瓷电容器

本技术提供一种即使在还原气氛下进行烧制也具有稳定的绝缘性的电介质陶瓷,其适合于层叠陶瓷电容器。该电介质陶瓷组成为在CaTiO3系中含有Sn。尤其,优选以在Ba位中固溶了Sn的(Ca1-x-yBaxSny)TiO3(其中,0≤x<0.2,0.01≤y<0.2)作为主要成分。



67、电介质陶瓷及层叠陶瓷电容器

本技术提供一种电介质陶瓷,其能够进一步提高层叠陶瓷电容器的寿命特性以及介质击穿电压。将用于构成层叠陶瓷电容器(1)的电介质陶瓷层(2)的电介质陶瓷制成为包括:具有核壳结构的核壳晶粒;和具有均匀系结构的均匀系晶粒。在该电介质陶瓷中,核壳晶粒与均匀系晶粒以(91∶9~99∶1)范围的面积比率存在。优选,当假设核壳晶粒的平均粒径为R1、均匀系晶粒的平均粒径为R2时,使R2/R1的比率成为0.8以上且3以下。



68、电介质陶瓷及层合陶瓷电容器

本技术提供一种具有满足X8R特性的温度特性且高温环境下的比电阻高的层合陶瓷电容器及构成该层合陶瓷电容器的电介质陶瓷。其特征在于,以由(Bi0.5Na0.5)xBa1-xTiO3所表示的、x为0.05~0.2的化合物为主成分,作为第一副成分,相对于100mol所述主成分,含有以换算成1分子中1原子的氧化物计为0.25mol~1.5mol的选自Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Y中的至少1种稀土类金属、和以换算成1分子中1原子的氧化物计为0.2mol~1.5mol的Mg、和以换算成1分子中1原子的氧化物计为0.03mol~0.60mol的选自V、Cr及Mn中的至少1种金属。



69、电介质陶瓷组合物和陶瓷电容器

本技术系将含有如下成分的烧结体作为陶瓷电容器的电介质层的材料使用,该烧结体中Ba及Ti的氧化物换算成BaTiO3时为100摩尔份,Re(Re为选自Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Y中的一种或两种以上)的氧化物换算成Re2O3时为0.25~1.5摩尔份,Mg的氧化物换算成MgO时为0.2~1.5摩尔份,选自Mn、V及Cr的一种或两种以上元素的氧化物分别换算成Mn2O3,V2O5,Cr2O3时,含有0.03~0.6摩尔份、Mo和W中至少一种的氧化物分别换算成MoO3、WO3时为0.025~0.25摩尔份,还含有一定比例的SiO2或含SiO2的玻璃成分。



70、电介质陶瓷组合物和陶瓷电容器

因陶瓷电容器的小型大容量化,在坯片形成薄层化时,出现单位厚度所承受的电压增加,电介质层的寿命时间缩短,层合陶瓷电容器的可靠性降低的问题。本技术系将电介质层陶瓷组合物作为陶瓷电容器的电介质层的材料使用。所述电介质层陶瓷组合物由含如下物质的烧结体所构成,其中Ba及Ti的氧化物换算成BaTiO3时为100摩尔份;Re(Re为选自Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Y中的一种或两种以上元素)的氧化物换算成Re2O3时为0.25~1.5摩尔份;Mg的氧化物换算成MgO时为0.2~1.5摩尔份;选自Mn,V及Cr中的一种或两种以上的氧化物分别换算成Mn2O3,V2O5,Cr2O3时为0.03~0.6摩尔份;且Bi/Ti为0.970~1.030。



73、电介质陶瓷组合物和陶瓷电容器

因陶瓷电容器的小型大容量化,坯片形成薄层化时,出现单位厚度所承受的电压增加,电介质层的寿命时间缩短,层积陶瓷电容器的可靠性降低的问题。



74、介质陶瓷以及使用该介质陶瓷的谐振器

本技术的介质陶瓷包含多晶材料,其主要成分包含含有至少一种稀土元素(Ln)、Al、M(M代表Ca和/或Sr)和Ti作为金属元素的氧化物,其中,晶界层的厚度为20纳米或更小,从而在高频区获得高εr值,高Q值和小的谐振频率温度系数τf的绝对值。因此,这种介质陶瓷优选的是用在介质谐振器中。



75、电介质陶瓷的溶胶组合物和电介质陶瓷及多层陶瓷电容器

公开在此的是一种用于超薄电介质陶瓷薄膜的溶胶组合物,和使用其制备的电介质陶瓷和多层陶瓷电容器。由作为主要成分的BaTiO3和辅助成分组成的溶胶组合物,包括具有BaTiO3的金属前体溶液和有机溶剂的聚合物溶胶,和溶解于有机溶剂中以用作辅助成分的有机添加剂,其中,有机添加剂的量相应于电介质陶瓷的辅助成分所需的量。此外,由溶胶凝胶法制备的超薄电介质陶瓷薄膜包括辅助成分,因此,存在这样的优点:使低温烧结成为可能和具有高的介电常数、高烧结密度和符合EIA标准的X5R的TCC特性。



76、电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器

本技术提供一种电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器。其中,本技术的电介质陶瓷以(Ba、Ca)(Ti、X)O3(其中X表示比Ti的价数高的元素)为主成分,所含有的第一~第三添加成分相对于主成分100摩尔分别为0.1~4.0摩尔。第一添加成分为规定的稀土类元素,第二添加成分是价数比Ti低的规定元素,第三添加成分由含有Si的烧结助剂构成。对于主成分粒子1中的90%以上而言,表示各添加成分2向主成分粒子1中的固溶状态的固溶率的总计按截面积比计为10%以下。Ca的配合摩尔比为0~0.20(优选0.02~0.20),B位置中的元素X的配合摩尔比y为0.0001~0.005。由此,即使电介质层薄层化至1~3μm程度,也能够得到具有高介电常数,在不损害静电电容的温度特性的前提下能够获得良好的绝缘性及高温负载寿命。



77、陶瓷介质滤波器

本实用新型公开了一种陶瓷介质滤波器,第一谐振孔与第一延伸银层之间形成第一等效电容,且通过PCB板与第一谐振器相连接,第一延伸银层与第二谐振孔之间形成第二等效电容,且通过PCB板与第二谐振器相连接,第二谐振孔与第三谐振孔之间形成第三等效电容,且通过PCB板与第三谐振器相连接,第三谐振孔与第四谐振孔之间形成第四等效电容,且通过PCB板与第四谐振器相连接,第四谐振孔与第五谐振孔之间形成第五等效电容,且通过PCB板与第五谐振器相连接,第二延伸银层分别与第五谐振孔和第六谐振孔之间形成第六等效电容,且通过PCB板与第六谐振器相连接。本实用新型有益效果:通孔数量少,滤波器损耗小,体积小;陷波点数量多,加强通带低频端的抑制效果。



78、陶瓷介质过滤机

本实用新型公开了一种用于液体食品生产过程中除菌的陶瓷介质过滤机,它以微孔滤膜的陶瓷管做过滤件,采用多根陶瓷管环绕一个中心管做成组合过滤件,提高过滤效率,降低成本;以整体罐罩和中心拉杆紧固方式使结构简单,便于拆装,大大减轻了更换维修作业。



79、锥形介质陶瓷片

提供一种锥形介质陶瓷片,包括陶瓷片体,陶瓷片体为中空锥形结构且其具有外锥面和内锥面,陶瓷片体上部中心制有内圆柱面,陶瓷片体上端制有上平面,内圆柱面和上平面相交处制有上倒角,陶瓷片体下部制有外圆柱面,瓷片体下端制有下平面,外圆柱面和下平面相交处制有下倒角,陶瓷片体上部的内圆柱面、上倒角和上平面以及下部的外圆柱面和下倒角表面上均涂覆有金属化层,金属化层外表面上镀有镍层。本实用新型用锥形介质陶瓷片作为强流电子束二极管的真空界面,具有低出气率,绝缘性优,机械强度高,耐高温烘烤且易于与金属焊接并保持真空的能力较好等特点,解决现有真空界面的闪络、出气率高、机械强度低、高功率微波系统工作室真空度保持能力差等问题。



80、介质陶瓷滤波器

本实用新型公开了一种介质陶瓷滤波器,包括微带线基板,所述微带线基板的表面上贴介质体块,所述介质陶瓷滤波器的输入端、输出端上各设有一按照一定长度突出的金属传导盖,所述金属传导盖是盖住介质体块部分上端和部分两侧端的导热性金属板。本实用新型中的介质体块两端盖上的金属传导盖可以把滤波器输入/出端因阻抗差异产生的损耗降到最小化,提高阻抗匹配,优化介质陶瓷滤波器的频率应答特性。而且在介质体块两端形成的导体传导线和金属传导盖上面开槽,更方便了调试作业,所以组装后也可以微调产品特性,更能提高介质陶瓷滤波器的特性,增加生产效率。在传导线上面盖上金属传导盖可把磁场辐射降到最小。



81、电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器

本技术提供电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器,所述电介质陶瓷的相对介电常数εr在35~45的范围、Qf值高、且表示在遍及低温区域~高温区域的广范围温度区域中的共振频率变化的温度系数τf的绝对值小。本技术的电介质陶瓷中,在将主成分的组成式表示为αZrO2·βSnO2·γTiO2时,摩尔比α、β及γ满足0.240≤α≤0.470、0.040≤β≤0.200、0.400≤γ≤0.650、α+β+γ=1的式子,并且相对于上述主成分100质量%含有以MnO2换算为0.01质量%以上且低于0.1质量%的Mn。



82、介质陶瓷组合物及介质共振器

本技术提供维持大的无负荷品质因数(Qu)的同时,在对应用途的特性的特定范围内,具有自由调整的介电常数(εr)和共振频率(fo)的温度系数(τf)的介质陶瓷组合物,和使用该介质组合物形成共振器主体的介质共振器。介质陶瓷组合物的特征在于,至少含有Ba、Zn、Nb、Ta及Sb作为金属成分,并含有碱金属作为另外的金属成分,介质共振器的特征是使用该介质陶瓷组合物形成共振器主体。将该金属成分换算成氧化物时的所含比例由下面式(1)~(6)表示,其中,式(1)~(6)中数值的单位为摩尔%,在上述范围内确定各氧化物的摩尔%,使上述六种氧化物的摩尔%之和为100,M表示碱金属。57.5≤BaO≤62.6 (1);16.0≤ZnO≤22.2 (2);0<Nb2O5≤20.6 (3);0<Ta2O5≤20.6 (4);0<Sb2O3≤5.9 (5);0<M2O≤1.94 (6)。



85、陶瓷介质波导滤波器

本技术适用于滤波器领域,提供了一种陶瓷介质波导滤波器,包括至少一个陶瓷谐振器,所述陶瓷谐振器在其上表面向下开设有开口朝上的第一盲孔,并在其下表面向上开设有开口朝下的第二盲孔,所述第一盲孔和所述第二盲孔相对设置,所述第一盲孔和所述第二盲孔均用于频率调谐。本技术能够在保持陶瓷谐振器的工作模式频率不变的前提下提升部分邻近高次模的频率,使其远离工作频率,以改善滤波器的远端抑制性能。此外,本技术提供的陶瓷谐振器还能在同样设计尺寸和工作频率下降低第一盲孔所需的深度,使陶瓷谐振器更易于加工成型、电镀以及后期调试工作。



86、一种陶瓷电容器介质

本技术公开了一种陶瓷电容器介质,涉及电子元件技术领域,该介质包括以下原料制成:BaTiO3、SrZrO3、BaZrO3、CaTiO3、MgSnO3、CeO2、ZnO、Co2O3、BaSiO3和Gd2O3;其制备方法是通过对原料的球磨、烘干、造粒、制片等操作制得的。本技术的陶瓷电容器介质电常数高,耐电压高,并且在使用过程中对环境无污染,本技术所要解决的另一技术问题是提供上述陶瓷电容器的电介质的一种制备方法,这种制备方法成本较低,并且在制备过程中对环境无污染,适宜推广应用。



87、低损耗微波介质陶瓷

本技术涉及用于介质谐振器、滤波器及振荡器等微波通讯系统中的微波介质陶瓷。它的表达式为xSrO?yLn2O3?zAl2O3的低损耗微波介质陶瓷。其中Ln=La,Nd或Sm,25.0mol%≤x≤44.0mol%,25.0mol%≤y≤44.0mol%,25.0mol%≤z≤44.0mol%,且x+y+z=100%。本技术提供的微波介质陶瓷介电常数为18~25,Qf>85,000GHz,同时具有近零谐振频率温度系数。



88、电介质陶瓷组合物

本技术提供一种电介质陶瓷组合物,其击穿电压的波动少,并且电性能优异。本技术的电介质陶瓷组合物,作为主要组分,含有组成式{α(xBaO·yNd2O3·zTiO2)+β(2MgO·SiO2)}所示的组分,表示BaO、Nd2O3和TiO2的摩尔比的x、y和z分别在特定的摩尔比范围内,表示主要组分中各组分的体积比的α和β分别在特定的体积比范围内,相对于主要组分,作为副组分含有氧化锌、氧化硼、软化点在特定温度以下的玻璃和银,并且表示相对于主要组分的各副组分的质量比的a、b、c和d分别具有特定的质量比关系。



89、电介质陶瓷组合物

一种电介质陶瓷组合物,作为主要成分,含有:40-54重量%的SrTiO3、18-25%重量%的PbTiO3、15-30%重量%的Bi2O3·nTiO2(n表示化合物比)、8-12重量%的CaTiO3;作为次要成分,相对于100重量%的主要成分,含有:0.1-0.5重量%的CuO、0.05-0.5重量%的Nb2O5、0.05-0.5重量%的MnO。根据本技术,即使在高频区域内也损耗低,并可以在高电平下兼顾相对介电常数和介电常数温度特性变化率。



90、环形陶瓷介质电容器

本技术涉及一种环形陶瓷介质电容器,其包括二组内电极,每组内电极与一个端电极相互连接;每组内电极包括一或多层导电膜,分属于不同内电极的相邻导电膜之间间隔有陶瓷的介质膜层,介质膜层和内电极导电膜交替层叠;介质膜层与介质保护层一起被叠压形成均质的电容器体;介质保护层、介质膜层均为环状体,二组内电极的导电膜均为环形膜面,电容器体为带通孔的柱体;端电极包括外环端电极与内环端电极,其中内环端电极的金属化膜覆盖在通孔的内壁,而外环端电极的金属化膜覆盖在柱体的外壁。本技术提供一种能对信号或传输电线的高频电干扰具有综合和良好的抑制作用、且具有较好的耐压设计性能的环形陶瓷介质电容器及其制备和应用方法。



91、微波介质陶瓷组合物

本技术的目的是通过将谐振频率的τf具有较大正值的陶瓷组合物添加至温度系数τf具有较大负值的陶瓷组合物中并且进行混合,从而获得其介电常数ε较大,谐振频率的温度系数τf接近于0,并且Q值也较大的介质陶瓷组合物。在La2O-R2O3-TiO2基组合物中,加入特定量的Bi2O3,可改善介电常数ε,使τf值向加号侧变化。通过加入特定量的MO(M是Ca和/或Sr),显著改善Qf值。同时加入Na2O和MO(M是Ca和/或Sr),特别是对于εr≥150的材料,可在保证Qf大的同时,将τf值控制在0附近。



92、陶瓷研磨介质微珠坯体

本技术是对超细粉体及超细浆料加工用研磨介质陶瓷微珠的改进,其特征是微珠坯体主要采用天然未煅烧的煤矸石为原料,并控制氧化铝含量为40-60%。本技术微珠坯体经烧结后,可获得真比重为2.3g/cm3-2.7g/cm3,假比重1.5g/cm3-1.7g/cm3,吨磨耗2%的白色陶瓷研磨介质微珠。



93、介质陶瓷和电子元件

提供了介质陶瓷和能提高在负载下高温绝缘电阻的耐久性,即IR退化寿命的电子元件。一种介电层包括含BaTiO



94、一种微波介质陶瓷材料

一种微波介质陶瓷材料,包括以下重量份数的原料组成:二氧化钛35~60份;氧化锡2~8份;二氧化硅1~4份;氧化锂1~5份;氧化锆2~6份;碳酸锶1~3份;氧化钙2~10份;氧化铝1~6份。本技术所提出的微波介质陶瓷材料配方合理,制作方法简单,提高了生产效率,降低了生产成本,同时,本技术所提供的原材料无挥发性元素,对环境没有负作用,而且,所得陶瓷结构稳定,与现有技术相比,品质因数得到了优化,是一种具有广阔应用前景的材料。


 

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