【新版】

减小相变存储器,相变存储器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
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1、纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用

[简介]：本套资料涉及一种纳米复合相变材料及其制备方法、以及在相变存储器中的应用。其中，所述纳米复合相变材料包含：摩尔百分比为70-99%的相变材料GeTe和摩尔百分比为1-30%的介质材料HfO2。相变材料GeTe与介质材料HfO2在纳米尺度内...

2、纳米复合相变材料、制备方法及其在相变存储器中的应用

[简介]：一种相变存储器的数据读出电路，涉及一个或多个相变存储单元，每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接；所述数据读出数据包括：箔位电压产生电路，用于产生箔位电压；预充电电路，在箔位电压的控制下对位线进行快速...

3、相变存储器的数据读出电路

[简介]：本套资料主要内容为一种相变存储器的数据写入方法及装置，包括：将将要写入相变存储器的目标地址中的一组数据作为源数据，采用多种不同的预处理方式对源数据进行预处理，获得多组备选数据，其中，每一组备选数据的位数与源数据的位...

4、相变存储器的数据写入方法及装置

[简介]：本套资料提供一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途，其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为8-36％的Ta2O5、和重量百分比为64-92％的相变材料，由于相变材料与Ta2O5在纳米尺度的均匀复合，Ta2O5的存在一...

5、纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途

[简介]：本套资料提供了一种制作相变存储器元件结构的方法，包括：提供前端器件结构，前端器件结构具有露出表面的导电插销；在前端器件结构上形成介电层；在介电层上形成具有第一开口的绝缘层，第一开口位于导电插销的正上方；在第一开...

6、一种制作相变存储器元件结构的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种实现相变存储器低功耗的方法，包括：A、对一相变存储器的材料进行电性能检测，获得：该相变存储器的电阻由高电阻到低电阻变化的第一时间和维持相变材料结晶温度的第一最大电流和第一最小电流；及相变存储器...

7、一种实现相变存储器低功耗的方法

[简介]：一种相变随机存储器及其制作方法。其中制作方法包括：在半导体衬底上依次形成有绝缘中间层，所述绝缘中间层内具有贯穿其厚度的导电插塞；在绝缘中间层上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层，形成露出相邻导电插塞部分宽度的沟槽...

8、相变随机存储器及其制作方法

[简介]：本套资料提供一种相变存储器及其形成方法，本套资料所提供的相变存储器的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有隔离介质层，以及贯穿所述隔离介质层的导电插塞；形成与所述导电插塞电连接的底部电极；在所述底...

9、相变存储器及其形成方法

[简介]：一种相变存储器的制造方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底至少包含有衬底，依次位于衬底上的阱区、外延层；图案化刻蚀所述阱区、外延层，形成深沟槽；依次采用第一填充层及第二填充层对所述深沟槽进行填充，形成深沟槽隔...

10、相变存储器的制造方法

[简介]：一种相变随机存储器及其制作方法。其中相变随机存储器的制作方法，包括：在半导体衬底上依次形成有下电极和绝缘中间层，所述绝缘中间层包围下电极；在绝缘中间层内形成下电极导电插塞，所述下电极导电插塞与下电极连通；在下...

11、相变随机存储器及其制作方法

[简介]：本套资料提供一种可达到无穷次疲劳的相变存储器，将Gain单元中的晶体管与相变存储器中的晶体管连接，并与有相变材料的电阻连接。本套资料能够在增大驱动电流的同时大大减小串扰电流，达到无穷次的疲劳次数。

12、可达到无穷次疲劳的相变存储器

[简介]：本套资料主要内容为一种相变随机存储器及其制造方法，所述方法包括下列步骤：提供相变随机存储器前端器件，其包括底部电极以及位于底部电极之上与其接触的相变材料层；在所述前端器件上形成顶部电极，包括下列步骤：在所述前端器件...

13、一种相变随机存储器及其制造方法

[简介]：一种相变存储器及其制备方法。相变存储器包括：外围电路区和存储器区，存储器区中的垂直二极管包括：N型导电区域和P型导电区域，N型导电区域位于N型离子掩埋层上，N型离子掩埋层位于存储衬底上，P型衬底位于N型导电区域上，P型...

14、相变存储器及其制备方法

15、相变存储器及其制备方法

[简介]：本套资料所提供的相变存储器制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层和位于所述层间介质层内的底部电极；形成覆盖所述层间介质层和底部电极的绝缘介质层和刻蚀停止层；依次刻蚀所述刻蚀停止层和绝缘...

16、一种相变存储器及其制造方法

[简介]：本套资料提供相变存储器的制作方法，包括：提供形成有层间介质层的半导体衬底，该层间介质层内形成有底部电极；在该层间介质层表面形成引导层，该引导层内形成有与所述底部电极对应的引导层开口；在所述引导层表面及部分引导层...

17、相变存储器的制作方法

[简介]：一种相变存储器环形电极的制作方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层、及位于第一绝缘层中的导电插塞；在导电插塞上形成柱状体，所述柱状体包括金属柱状体以及位于金属柱状体上的绝缘柱状体；在柱状体未覆盖的第一绝缘层上形成...

18、相变存储器底部电极的制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种相变存储器元件及其制作方法，所述相变存储器元件包括：底部电极；纳米颗粒，所述纳米颗粒位于所述底部电极的上表面；绝缘层，所述绝缘层形成在所述底部电极的上表面未被所述纳米颗粒覆盖的区域；相变层，所述...

19、一种相变存储器元件及其制作方法

[简介]：本套资料提供一种用于制作相变随机存取存储器存储单元的方法，包括：提供前端器件结构，该前端器件结构包括底部电极、相变电阻层和绝缘层并且相变电阻层的表面露出在绝缘层的表面上S501；对相变电阻层的表面进行离子注入S...

20、用于制作相变随机存取存储器存储单元的方法

[简介]：本套资料揭示了一种高速互补单元相变存储器，所述存储器中每个存储单元有两个用于存储信息的元器件，且该元器件具有被编写能力；通过这两个元器件的电阻大小相互比较，作为划分不同存储状态的依据。本套资料的高速互补单元相变...

21、一种相变存储器器件单元及制备方法

22、一种相变存储器器件单元及制备方法

23、相变存储器芯片版图结构

24、相变存储器的写优化电路及其写优化方法

25、相变存储器

26、一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法

27、减小相变存储器加热电极面积的方法

28、相变存储器驱动电路

29、相变存储器单元器件的结构的改进

30、相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法

31、相变随机存取存储器器件

32、采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法

33、一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路

34、能够减小写操作电流的纳米相变存储器单元的制备方法

35、一种减小写操作电流的相变存储器单元的制备方法

36、一种纳米相变存储器单元的制备方法

37、相变存储器件及其制造方法

38、一种制作相变存储器件结构的方法

39、用于减小重置相变存储器件的存储单元中的部分相变材料用的重置电流的方法及相变存储器件

40、一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法

41、相变存储器件及其编程方法

42、相变存储器件及其编程方法

43、锑前体、使用该锑前体的相变存储器件及其制造方法

44、在相变存储器件中的用于脉冲宽度控制的器件和方法

45、编程相变型存储器阵列到置位状态的方法及存储器件电路

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