【新版】

电介质存存储,存储器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
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分类：专业技术
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1、制造非易失性存储器件的方法

[简介]：本套资料提供一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在由第一隔离层限定的有源区之上形成具有隧道电介质层和浮栅导电层的衬底结构；在衬底结构之上形成第一栅间电介质层和第一控制栅导电层；通过将第一控制...

2、制造非易失性存储器件的方法

[简介]：本套资料提供一种非易失性存储器件，包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元沿着从衬底突伸出来的沟道层叠；第一选择晶体管，所述第一选择晶体管与所述多个存储器单元的一个端部连接；第一层间电介质层，所述第一层间电介质...

3、非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：根据本套资料实施例的一种半导体存储器件包括：隧道绝缘层，所述隧道绝缘层形成在半导体衬底之上；浮栅，所述浮栅形成在隧道绝缘层之上；电介质层，所述电介质层形成在浮栅之上；以及控制栅，所述控制栅包括形成在电介质层之上的...

4、半导体存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料涉及一种非易失性存储器件的图案及其形成方法，所述图案包括：限定沿着纵向方向延伸的有源区的半导体衬底；形成在所述有源区之间的隔离结构；形成在所述有源区上的隧道绝缘层；形成在所述隧道绝缘层上的电荷陷阱层；形...

5、非易失性存储器件的图案及其形成方法

[简介]：本套资料涉及一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列。本套资料通过采用自下而上依次为衬底、电介质层、多晶硅或多晶硅锗层的结构，提供了低成本的一次性可编程存储单元及其制造方法，该存储单元包括电容器和MOS晶...

6、一次可编程存储单元及其制造方法和一次可编程存储阵列

[简介]：本套资料提供一种包括竖直立柱的存储器件及制造和操作该存储器件的方法。在一种半导体器件及形成该器件的方法中，该半导体器件包括在水平方向延伸的由半导体材料制成的基板。在该基板上提供多个层间电介质层。提供多个栅极图...

7、包括竖直立柱的存储器件及制造和操作该存储器件的方法

[简介]：本套资料提供非易失性存储器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括具有第一有源区和第二有源区的衬底。第一有源区包括第一源区和第一漏区，第二有源区包括第二源区和第二漏区。第一层间电介质位于衬底的上方。第...

8、非易失性存储器件及其形成方法

[简介]：提供了非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括：具有有源区的衬底，所述有源区由隔离层限定并且具有从隔离层向上延伸的第一侧壁；浮栅，所述浮栅与有源区的第一侧壁邻接并从衬底向上延伸，在有源区与浮栅之...

9、非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：浮栅，所述浮栅形成在半导体衬底之上；绝缘体，所述绝缘体形成在浮栅的第一侧壁上；电介质层，所述电介质层形成在浮栅的第二侧壁和上表面上；以及控制栅，所述控制...

10、非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括沿着第一方向延伸的沟道结构，所述沟道结构包括交替层叠在衬底之上的多个层间电介质层和多个沟道层以使每个层间电介质层与多个沟道层中对应的沟道...

11、非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料提供了一种光学存储介质。该光学存储介质包括：衬底层52；具有凹坑结构的只读数据层52a，设置在衬底层52上；以及具有超分辨率结构的非线性层54，56，设置在数据层52a之上。该超分辨率结构包括半导体材料和电介...

12、光学存储介质

[简介]：本套资料涉及一种具有可通过施加能量而在电性状态之间切换的存储材料的存储单元器件，其具有底电极构件、顶电极构件以及位于顶电极构件与底电极构件之间的电介质材料。此顶电极以及底电极构件具有彼此大致对准的环绕向外延...

13、具有向周围延伸的存储元件的存储单元器件

[简介]：本套资料提供一种非易失性存储器件，包括：第一沟道，所述第一沟道包括自衬底垂直地延伸的一对第一柱体和位于所述一对第一柱体之下并且将一对第一柱体耦接的第一耦接部分；第二沟道，所述第二沟道与第一沟道相邻，包括自衬底垂...

14、非易失性存储器件

[简介]：本套资料提供一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底之上形成栅绝缘层和第一导电层；刻蚀所述第一导电层和所述栅绝缘层以暴露所述半导体衬底的一部分；通过反复地执行干法刻蚀工艺和清洗工艺而将沟槽形...

15、制造非易失性存储器件的方法

[简介]：本套资料主要内容为3D结构非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括：沟道结构，所述沟道结构每个都沿着第一方向延伸，其中所述沟道结构每个都包括交替层叠的沟道层和层间电介质层；源极结构，所述源极结构沿着与第...

16、3D结构非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：提供治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法。半导体器件包括存储器单元（18）的阵列（12）。每个存储器单元包括隧穿电介质（26）、包括第一电流电极（28）和第二电流电极（30）的阱区域、以及控制栅极（20）。第一和第二电流...

17、治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法

[简介]：本套资料提供一种能够保证三维非易失性存储器件的结构稳定性的非易失性存储器件及其制造方法。所述非易失性存储器件包括：一个或多个柱状沟道插塞；多个字线和多个电介质层，所述多个字线和所述多个电介质层交替层叠以围绕所...

18、非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种非易失性存储器件的电容器，包括：第一电极和第二电极，第一电极和第二电极被形成在半导体衬底的电容器区中，分别具有沿着彼此所形成的连续凹凸状侧表面；以及电介质层，电介质层被形成在第一电极与第二电极之...

19、非易失性存储器件的电容器

[简介]：本套资料主要内容为非易失性存储器件及其制造方法。半导体存储器件包括：栅极绝缘层，形成在半导体衬底之上；用于选择晶体管和存储器单元的第一导电层图案，形成在栅极绝缘层上；电介质层，形成在第一导电层图案上；第二导电层图案，...

20、非易失性存储器件及其制造方法

[简介]：本套资料提供一种非易失性存储器件，包括：多个层叠图案，所述多个层叠图案具有顺序地层叠在衬底之上的隧道绝缘层、浮栅和电介质层；形成在层叠图案之间的衬底中的沟槽；将沟槽以及层叠图案之间的间隔间隙填充的隔离层；以及形...

21、高电容率低漏电的电容器和能量存储器件及其形成方法

22、高电容率低漏电的电容器和能量存储器件及其形成方法

23、强电介质存储装置及其控制方法

24、制造非易失性存储器件的方法

25、垂直型非易失性存储器件及其制造方法

26、磁性隧道结MTJ存储元件和具有MTJ的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM单元

27、制造非易失性存储器件的方法

28、忆容器装置、场效应晶体管装置、非易失性存储器阵列及编程方法

29、非易失性存储器件及其制造方法

30、一种具有双层电介质电荷捕获层的DC-SONOS存储器及其制备方法

31、有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置

32、用于存储单元阵列的具有三维选择结构的存储器件

33、非易失性存储器件及其制造方法

34、非易失性存储器件及其操作方法和制造方法

35、半导体存储器件及其电容器的形成方法

36、垂直晶体管相变存储器

37、具有改进的重叠容限的分栅式非易失性存储单元及其方法

38、非易失性存储器件及其制造方法

39、具有电介质存储器元件的存储器单元

40、制造快闪存储器件的方法

41、非易失性存储器件及其制造方法

42、非易失性存储器件及其制造方法

43、相变存储器的制造方法

44、非易失性存储器件及其制造方法

45、非易失性存储器件及其制造方法

46、非易失性存储器件及其制造方法

47、强电介质电容器及其制造方法和强电介质存储装置

48、存储器单元、电子系统、形成存储器单元的方法及对存储器单元进行编程的方法

49、具有大致垂直的邻近半导体结构的存储器阵列及其形成

50、包括沟槽中的纳米晶体存储元件的可编程结构

51、半导体器件的电容器和寄存器、存储系统及制造方法

52、制造3D非易失性存储器件的方法

53、一次性可编程存储器、存储电容器及其制造方法

54、强电介质存储装置的数据读出方法及强电介质存储装置

55、高速存储器封装

56、在磁存储器中的被包敷的导线的结构及制造方法

57、制造用于制造*栅极非易失性存储器单元的半导体结构的方法

58、开关器件和包括所述开关器件的存储器件

59、3D非易失性存储器件及其制造方法

60、具有高K电介质存储电容器的DRAM及其制造方法

61、一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法

62、一种单层多晶硅、多位的非易失性存储元件及其制造方法

63、半导体存储装置及其制造方法和驱动方法

64、相变随机存取存储器的制造方法

65、半导体存储装置以及装载它的电子装置

66、关于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统

67、存储器件和使用及制造该器件的方法

68、存储器件及其制造方法

69、平面聚合物存储器件

70、平面双栅晶体管存储单元

71、一种降低相变存储器单元操作功耗的方法

72、相变存储器结构及方法

73、电容器制造方法、电容器制造装置、电容器制造程序及存储介质

74、相变存储器结构及方法

75、交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统

76、存储器单元及形成存储器单元的方法

77、延迟电路、强电介质存储装置及电子设备

78、分立栅存储器件的形成方法

79、采用电介质存储元件的多态非易失性集成电路存储系统

80、具有环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件及形成方法

81、存储器单元、形成存储器单元的方法及形成经编程的存储器单元的方法

82、存储器单元、形成存储器单元的方法及形成经编程的存储器单元的方法

83、一次性可编程存储单元阵列及其制造方法

84、强电介质电容器及其制造方法以及半导体存储装置

85、用于非易失性存储器的第一层间电介质堆叠

86、具有强电介质电容器的存储单元阵列及其制造方法以及强电介质存储装置

87、采用电介质存储元件的多态非易失性集成电路存储系统

88、非易失性存储器件及其制造方法

89、垂直型非易失性存储器器件及其制造方法

90、半导体存储器件的制造方法

91、功能元件、存储元件、磁性记录元件、太阳能电池、光电转换元件、发光元件、催化反应装置以及净化单元

92、非易失性半导体光折变存储器结构

93、具有多层级架构的快闪存储器

94、半导体存储装置的驱动方法

95、存储器中的钨二氧化硅交界面的衬垫

96、印刷非易失性存储器

97、半导体存储装置的驱动方法

98、存储器件及其制造方法

99、自适应和自校准的多级非易失性存储器

100、强电介质存储器装置及电子设备

101、提高存储单元电容器面积的方法

102、提高存储单元电容器面积的方法

103、强电介质存储装置

104、等离子体处理装置、等离子体处理方法及存储介质

105、具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法

106、半导体存储装置及其驱动方法

107、非易失性存储器结构及其形成方法

108、存储器晶胞、集成电路

109、具有中继器件的存储器元件

110、集成电路及其制作方法、固态存储器模块和计算机系统

111、相变存储器元件的真空包覆电极

112、用于存储和读取信息的系统及方法

113、磁电阻式随机存取存储器件结构及其制造方法

114、形成于通孔中的聚合物存储器件

115、真空处理装置、静电卡盘的诊断方法及存储介质

116、使用高K电介质中的空*捕集的存储器

117、存储器

118、用于半导体存储单元的有隔离环的沟槽电容器的制造方法

119、强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器

120、磁头滑块支持装置和存储装置

121、电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法

122、电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法

123、多个反熔丝存储器单元以及形成、编程和测试该器件的方法

124、具有高介电常数顶部电介质的电介质存储器存储单元及其方法

125、隔离的相变存储器单元及其制造方法

126、存储器装置、存储器装置构造、构造、存储器装置形成方法、电流传导装置及存储器单元编程方法

127、具有电极层处理的相变随机存取存储器的制造方法

128、非易失性存储器件

129、隧道绝缘层中具有间隙的非易失性存储器件及其制造方法

130、强电介质存储装置

131、强电介质存储器装置以及电子设备

132、存储器单元结构和方法

133、具有高移动性波形沟道的TFT电荷存储存储器单元和其制造方法

134、形成NAND快闪存储器的源接触的方法

135、单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法

136、具有平坦化碳纳米管层的存储器单元及其制造方法

137、半导体存储器件

138、一种具有复合氮基介质隧穿层的TN-SONOS存储器

139、强电介质存储装置及其制造方法

140、一种压变存储技术的NMOS器件制作方法

141、MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置

142、MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置

143、制造存储单元的自对准空洞及底电极的方法

144、有较小主动与接触区域的电阻随机存取存储器的制造方法

145、可重写光学存储介质和这种介质的使用

146、存储器单元、存储器单元构造及存储器单元编程方法

147、具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元

148、形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法

149、具有非晶硅MONOS存储单元结构的半导体器件及其制造方法

150、半导体存储装置的数据读出及数据写入方法和驱动方法

151、在存储器阵列与周边逻辑元件上形成硅化物的结构及方法

152、最小化对存储器阵列及支持电路的位干扰及电压耐受要求的用于对N沟道金属氧化物半导体电可擦除可编程只读存储器单元阵列进行编程及擦除的方法

153、双阱沟道*OTP存储单元

154、用于增加存储器密度的方法、结构及装置

155、控制具有第二控制栅极的DRAM存储器单元的方法

156、使用无定形碳制造半导体存储器件的电容器的方法

157、交差点型强电介质存储器

158、用于嵌入式EEPROM中的一次可编程存储器器件的结构与方法

159、具有非易失存储器的半导体装置及其制造方法

160、利用纳米颗粒的光存储介质

161、一种非挥发性存储器结构及其制造方法

162、一种非挥发性存储器结构及其制造方法

163、半导体存储装置及其制造方法

164、电阻式随机存取存储器单元

165、强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器

166、相变存储器及其制造方法

167、非易失性存储单元的编程

168、强电介质存储装置及其制造方法以及混载装置

169、具有电介质击穿可编程性的只读存储器阵列

170、电荷捕获存储器件以及用于操作和制造该单元的方法

171、减少了位线与字线短路效应的交叉点铁电存储器

172、强电介质存储器的加速试验方法

173、存储器阵列的接触方案及其制造方法

174、用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法

175、强电介质存储器、半导体装置、强电介质存储器的制造方法以及半导体装置的制造方法

176、低功率快擦写存储单元及方法

177、纵向相变存储器单元及其制造方法

178、具有自对准浅沟槽隔离的电可擦除可编程只读存储器阵列

179、利用反向自对准过程制造双ONO式SONOS存储器的方法

180、含有电容器的半导体存储器件的制造方法

181、强电介质存储器件的数据读出方法及强电介质存储器件

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