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电介质存存储,存储器加工制造工艺方法图文全套(2)

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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182、强电介质存储器件的数据读出方法及强电介质存储器件

183、具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法

184、具有增强的功率特性的电荷存储器件

185、具有凹陷浮动栅的闪速存储器器件及其制造方法

186、强电介质薄膜及其制造方法、强电介质存储元件、强电介质压电元件

187、一种基于电加工技术的相变存储器单元制备方法

188、具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法

189、半导体存储装置及其驱动方法

190、降低存储单元电容器的缺陷的方法

191、具有铁电存储电容器的半导体存储器件

192、强电介质存储器

193、浮动栅极非易失性存储器及其制作方法

194、强电介质存储器件

195、强电介质存储器装置及其驱动方法

196、制作存储单元元件的方法

197、一种减小相变存储器写入电流的单元结构的改进及方法

198、非易失浮栅存储单元及其阵列以及其形成方法

199、浮动栅极存储器装置和制造

200、一次可编程存储器的结构及其制造方法

201、消除磁性随机存取存储器器件结构中的电短路的干法蚀刻停止工艺

202、消除磁性随机存取存储器器件结构中的电短路的干法蚀刻停止工艺

203、两种存储器类型的集成

204、半导体存储器

205、利用改变字线条件来补偿较慢擦除的存储器单元以擦除非易失性存储器

206、晶体管、存储单元以及制作晶体管的方法

207、具有应力层的存储单元

208、具有真空夹层的相变存储器元件

209、具有垂直写线的磁阻式随机存储器

210、铁电体晶体三极管及其在存储单元装置中的应用

211、非易失性半导体存储装置

212、半导体存储装置

213、非易失性存储器单元及其控制方法

214、*棚极多位存储单元

215、强电介质半导体存储器

216、铁电存储器集成电路的高质量铅锆钛酸盐膜的制造工艺

217、多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法

218、半导体存储器件、其驱动方法及其制造方法

219、具有MOS晶体管的半导体存储单元阵列及其制造方法

220、包括作为熔丝元件的二极管的熔丝存储单元

221、存储器电路

222、存储器电路

223、用于使用Al2O3电介质的存储器单元的隔离结构

224、半导体存储元件的电容器及其制造方法

225、强电介质存储元件及其制造方法

226、强电介质存储元件及其制造方法

227、制作磁移位寄存器式存储器装置中使用的数据磁道的方法

228、利用N阱隔离得到的PMOSEEPROM阵列内的独立可编程存储段及其制造方法

229、集成电路存储单元及制备方法

230、擦除效率改善的非易失存储器及其制备方法

231、电介质存储器及其制造方法

232、带处理功能的存储器

233、电荷收集存储器单元阵列及其制造方法

234、具有由存储单元*的侧面电极的NAND型非易失性半导体存储装置

235、强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件

236、强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法

237、强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法

238、强电介质材料、其膜、电容器及它们的制法、强电介质存储器

239、在基底上制作具有电荷存储电容的存储元件的方法

240、强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法

241、非易失性存储器及其制造方法

242、非易失性存储器及其制造方法

243、用于编程非易失性存储单元的改良系统

244、电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机

245、具有沟槽型选择栅极的快闪存储器及制造方法

246、基板处理方法、装置、系统和计算机可读存储介质

247、存储单元的制法

248、高密度数据存储介质及其制造方法

249、非易失性半导体存储器

250、存储单元存储单元装置和制造方法

251、电容器及电容器、存储装置、激励器和喷射头的制造方法

252、在存储单元的电容器阵列上制作位线的方法

253、氧化物电介质元件的制造方法、采用该元件的存储器及半导体装置

254、半导体存储装置

255、多值的磁阻写读存储器以及该存储器的读写方法

256、基于调整阴极导电率的超高密度信息存储器

257、具有电容器的半导体存储器件

258、具有肖特基隧道势垒的带存储器的开关元件

259、铁电半导体存储器的制法

260、用于制作没有阻挡层的半导体存储器装置的方法

261、存储器单元装置及其制造方法

262、存储器单元装置及其制造方法

263、非易失性存储装置的制造方法

264、数据存储介质

265、半导体存储装置

266、用绝缘体附硅方法制造的动态随机存取存储器及制造方法

267、电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法

268、静态随机存取存储器

269、强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件

270、非易失性存储装置及其驱动方法

271、半导体存储元件的电容器及其制造方法

272、半导体存储元件的电容器及其制造方法

273、半导体存储器件的电容器及其制造方法

274、半导体存储元件的电容器的形成方法

275、强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器

276、强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件

277、半导体存储器元件的电容器及其制造方法

278、高密度动态随机存取存储单元

279、具有迭式电容器的动态随机存取存储器及其制作方法

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