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介电膜,电介质膜加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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1、介电膜、使用该介电膜的半导体器件的制造方法和半导体制造设备

[简介]：本套资料涉及介电膜、使用该介电膜的半导体器件的制造方法和半导体制造设备。提供制造具有高介电常数的介电膜的方法。在本套资料的实施方案中，在基板上形成HfNHf层压膜，其上形成薄氧化硅膜，通过退火处理制造由Hf、Si、O和N的混...

2、介电膜、使用该介电膜的半导体器件的制造方法和半导体制造设备

[简介]：本套资料披露了一种制造介电膜的方法以及一种使用制造的低k介电膜形成气隙的方法。制造低k介电膜的方法包括：将TMS和3、3-二甲基-1-丁烯导入到等离子体沉积反应器中，利用反应器中产生的等离子体来聚合TMS和3、3-二甲基-1-丁...

3、制造低k介电膜的方法及使用低k介电膜的气隙的形成

[简介]：公开的是一种具有高介电常数和高温耐热性的介电膜。在一个实施方案中的介电膜103包括含有元素A、元素B以及含有N和O的复合氮氧化物，元素A由Hf构成，元素B由Al或Si构成，该介电膜103中元素A、元素B和N的摩尔分数根据BA...

4、介电膜、介电膜的生产方法、半导体装置和记录介质

[简介]：本套资料提供具有高介电常数的介电膜的制造方法。本套资料的实施方式是在基板上制造包括包含由Hf或Hf和Zr的混合物构成的元素A、由Al构成的元素B、以及N和O的金属氮氧化合物的介电膜的方法。所述制造方法包括以下步骤：形成具有...

5、介电膜和半导体装置的制造方法、介电膜以及记录介质

[简介]：本套资料的目的在于，提供一种使用含有介电体粒子的含介电体粒子浆料，并通过电泳沉积法形成高密度介电膜时，电泳稳定性优异的介电膜制造方法。为达到上述目的，采用一种介电膜制造方法，其是通过在分散有介电体粒子的介电体粒...

6、介电膜制造方法以及使用了该介电膜制造方法的电容器层形成材料的制造方法

[简介]：本套资料涉及用于介电绝缘膜的涂料组合物，该组合物包括a有机硅氧烷聚合物；b选自包括Rb离子、Cs离子和其混合物的组的第一金属离子；和c有机溶剂，其中，基于该组合物的重量，第一金属离子含量为1～200ppm；本套资料还涉及由上述...

7、用于介电绝缘膜的涂料组合物以及由其制备的介电绝缘膜和包括该绝缘膜的电气或电子装置

[简介]：本套资料涉及半导体制造领域，尤其涉及一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺。本套资料实施例一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，首先通过对膜内刻蚀阻挡层的有效区域进行图形化预定义，并将...

8、一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺

[简介]：一种根据本套资料的溅射靶，其包括含NbOx和TiOx的氧化物烧结体，其中靶子中Ti原子的丰度比为包括两端值的70％～90％。优选地，所述氧化物烧结体具有不高于10Ω·cm的比电阻值。优选地，所述氧化物烧结体具有不大于7吆-6K的热膨胀...

9、溅射靶、从该溅射靶形成的介电膜以及用于形成该介电膜的方法

[简介]：本套资料涉及一种由具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体制备包含Si、C、O和H原子的SiCOH介电材料的方法。所述具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体选自分子式为SiRR1R2R3的硅烷SiH4衍生物、分子式为R4R5R6Si-O-Si-R7R8R9的...

10、形成介电膜的方法和介电膜

[简介]：本套资料提供了一种混合的复合金属氧化物形式的用于形成薄膜的液体组合物，其中，所述复合金属氧化物由包含铜Cu的复合氧化物B和包含锰Mn的复合氧化物C混合到由通式Ba1-xSrxTiyO3表示的复合金属氧化物A中而形成，其中，复...

11、形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜

[简介]：本套资料提供了一种方法，用于在消耗低k膜中碳的工艺之后将碳重新加入到该膜中。此外，还描述了一种用于补偿被消耗碳并用氮化钽覆盖的方法。

12、处理低K介电膜的方法

[简介]：本套资料披露了用于形成介电膜的组合物，其通过将含有羟基或烷氧基的硅氧烷类前体和成孔材料以及能够固化该硅氧烷类树脂前体的缩合催化剂产生剂一起溶解于有机溶剂中而制备。本套资料还披露了具有低介电常数和改进的物理性质...

13、用于形成介电膜的组合物及形成介电膜或图案的方法

[简介]：本套资料提供一种未包含对环境的负载较大的物质且能够用简单的方法制作适合用于薄膜电容器的介电薄膜且保存稳定性优异、涂膜性良好的介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及通过该方法形成的介电薄膜。一种液状介电薄...

14、介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及介电薄膜

[简介]：本套资料关于一种用于在基板上形成金属前介电PMD层或金属间介电IMD层的方法，所述方法包括下列步骤：将基板置放于化学气相沉积CVD处理腔室中，并在所述化学气相沉积处理腔室中，于基板上形成第一氧化物层。使用热CVD处...

15、用于形成低湿度介电膜的方法

[简介]：用于形成BST介电薄膜的介电薄膜形成组合物，该组合物包括用于形成薄膜的液态组合物，其采用混合的复合金属氧化物的形式，在其中包括Cu铜的复合氧化物B被混合到由式Ba1-xSrxTiyO3其中0.2<x<0.6和0.9<y<1.1表示的复合金...

16、介电薄膜形成组合物，形成介电薄膜的方法和由该方法所形成的介电薄膜

[简介]：本套资料提供一种电阻大、耐久性优异的介电膜及其制造方法。另外，提供一种位移量大、耐久性优异的转换器。介电膜由三维交联体构成，所述三维交联体由有机金属化合物、具有可与该有机金属化合物反应的官能团并且不为聚二甲基硅...

17、介电膜及其制造方法、以及使用其的转换器

[简介]：本套资料提供一种用于在电介质膜的化学气相沉积CVD中减小膜表面粗糙度的方法。所述方法可包含通过反应物从CVD电介质膜的膜表面移除悬挂键。为减小电介质膜的表面粗糙度，另一方法可通过蒸汽环境中的反应物气体对所述电介...

18、用于膜粗糙度控制的非化学计量化学气相沉积电介质膜表面钝化方法

[简介]：一种避免介电层沟填孔洞露出的方法，是仅在沟渠上方的部分介电层上形成一抗蚀刻层，其至少覆盖位于孔洞上方的介电层，以免该孔洞在后续蚀刻工艺中被露出。

19、避免介电层沟填孔洞露出的方法及介电膜的工艺与结构

[简介]：本套资料主要内容为形成介电膜的方法。在硅衬底上形成包括金属硅酸盐的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表层部分氧化并形成二氧化硅膜；第二步，将离子照射在二氧化硅膜的表面上并将二氧化硅膜的表层部分制成具有Si-O结合切...

20、形成介电膜的方法

[简介]：本套资料主要内容为形成介电膜的方法。在硅衬底上形成包括金属氮化物硅酸盐的介电膜的方法包括：第一步，通过使用溅射法在非氧化气氛中使包含金属和硅的膜沉积在硅衬底上；第二步，通过使包含金属和硅的膜氮化来形成包含氮、金属和...

21、形成介电膜的方法

22、形成介电膜的方法

23、形成介电膜的方法

24、提高用于无孔间隙填充的介电膜质量的方法和系统

25、具有形貌图案化的膜的膜介导的电抛光

26、使介电膜固化的方法

27、包括高温臭氧处理的制备纳米多孔超低介电薄膜的方法以及由其制备得到的纳米多孔超低介电薄膜

28、提高介电膜的材料性能的活化化学方法

29、低K介电膜修复方法

30、被破坏低k介电膜层去除的方法

31、浅沟渠隔离的二氧化硅高品质介电膜的形成：于高纵深比填沟工艺Ⅱ（HARPⅡ）使用不同的硅氧烷前体—远端等离子辅助沉积工艺

32、用于介电膜的提高速率的化学机械抛光组合物

33、在还原气氛下固化介电膜

34、用于介电膜层的阶梯覆盖与图案加载

35、形成介电膜的方法、新型前体及其在半导体制造中的用途

36、基于新型钛、锆和铪前体形成高k介电膜的方法及其在半导体制造中的用途

37、用于钛酸盐、镧酸盐、及钽酸盐介电膜的原子层沉积和化学气相沉积的前体组合物

38、复合氧化物膜及其制造方法、复合体及其制造方法、介电材料、压电材料、电容器、压电元件和电子设备

39、复合氧化物膜及其制造方法，复合体及其制造方法、介电材料、压电材料、电容器和电子设备

40、加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁

41、基于新型钛、锆和铪前体的高k介电膜的形成方法及其用于半导体制造的用途

42、基于新型钛、锆和铪前体的高k介电膜的形成方法及其用于半导体制造的用途

43、形成介电膜的方法和利用该方法在半导体器件中形成电容器的方法

44、制备含有硅β沸石的介电中间层膜的方法

45、多孔低K介电膜的紫外辅助孔密封

46、介电式AlCuO复合薄膜含能电点火桥和点火桥阵列

47、介电式AlCuO复合薄膜含能电点火桥和点火桥阵列

48、利用化学气相沉积法以粘性前驱物沉积功能性梯度介电膜层的方法及系统

49、一种改善双大马士革结构介电质膜刻蚀形貌的方法

50、修复低k介电膜中的碳损耗

51、一种简化存储器中字线介电质膜刻蚀成型工艺的方法

52、高介电栅介质镧钛氧非晶薄膜的制备方法

53、使用液晶树脂的低热膨胀系数（CTE）介电膜

54、用于形成多组分介电膜的系统和方法

55、双大马士革结构介电质膜刻蚀成型工艺的方法

56、减少低k旋涂介电膜中的裂纹

57、介电可调的铌酸铅薄膜材料

58、一种在FTO基板表面制备Bi2Ti2O7介电陶瓷薄膜的方法

59、一种高介电栅介质场效应透明薄膜晶体管及其制备方法

60、一种沉积前金属介电质层薄膜的方法

61、一种复合介电薄膜的制备方法

62、一种复合介电薄膜的制备方法

63、一种混合晶型无机纳米填料聚合物基复合介电薄膜

64、硅氧烷化合物及其聚合物和用该聚合物制备介电膜的方法

65、高K介电膜

66、改善沉积的介电膜上的显影后光刻胶外形的方法

67、介电薄膜用组合物、使用其的金属氧化物介电薄膜及制法

68、一种制备HfLaO高介电栅介质薄膜的方法

69、金属氧化物介电膜气相生长方法和PZT膜

70、用以降低超低k介电薄膜的黏着层厚度并提高抗破坏性的工艺

71、一种微弧氧化制备钛酸锶钡介电薄膜及其方法

72、一种改进的硬质掩膜与多孔低介电常数值材料的集成方法

73、具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器

74、一种应力辅助调制的介电可调的复合薄膜及其制备方法

75、具有介电帽层的无过孔薄膜电阻器

76、一种在钛金属表面原位生长介电薄膜的制备方法

77、形成无氢含硅介电薄膜的方法

78、基于多孔介电材料薄膜的弹道场*显示器件阴极的制备方法

79、具有优异的ITO粘附性的可紫外固化的聚合物厚膜介电组合物

80、一种以Ta2O5薄膜为电介质膜的电容器制备方法

81、通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性

82、通过加工引发的单轴向应变控制介电薄膜内的铁电性

83、表面改性的氧化钽纳米颗粒及其制备方法、利用该氧化钽纳米颗粒的X射线计算机断层摄影用造影剂及高介电薄膜

84、一种无水铪锆复合*盐的合成方法及其在ALD沉积高介电复合氧化物薄膜中的应用

85、基于梯度压磁薄膜与介电陶瓷的吸波器件

86、以可变的氮氢比所制造的*基来生长介电薄膜的方法

87、一种钛酸钡聚偏氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法

88、高k介电膜及其形成方法和相关的半导体器件

89、介电薄膜、相关制品和方法

90、蚀刻深度受到控制的介电膜

91、具有改进型抗蚀剂及或蚀刻轮廓特征的介电膜用蚀刻方法

92、高分子量烷基-烯丙基三羰基钴配合物及其用于制备介电薄膜的用途

93、使用纸基板及蚕丝介电层的有机薄膜晶体管及其制作方法

94、一种高介电系数钛铝氧薄膜和制备方法及其应用

95、电介体膜、电介体元件及其制造方法

96、低k值介电薄膜形成方法

97、聚芳醚腈超支化酞菁铜介电薄膜及其制备方法

98、SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法

99、一种两相AlLDPE复合介电薄膜材料及其制备方法

100、用高介电系数膜的表面横向耐压结构

101、薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法

102、薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法

103、用于薄膜晶体管的杂化的介电材料

104、排序二相介电薄膜及含有该膜的半导体器件

105、PBNZT强电介质膜、溶胶凝胶溶液、成膜方法及强电介质膜的制造方法

106、用以制造高效能金属氧化物和金属氮氧化物薄膜晶体管的栅极介电层处理

107、高K电介质膜及用铈基β-二酮合物前体制备的方法

108、高K电介质膜及使用钛基β-二酮合物前体制备的方法

109、用于后端线互连结构的具有增强粘合力及低缺陷密度的低介电常数层间介电膜的制造方法

110、一种控制层间介电层膜厚的方法

111、具有高折射率的介电膜及其制备方法

112、包括熔体拉伸膜作为电介质的膜电容器

113、用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法

114、用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法

115、薄膜形成方法、具有薄膜的物品、光学膜、介电体覆盖电极及等离子体放电处理装置

116、氧化锌掺杂的聚偏氟乙烯介电薄膜材料及其制备方法

117、电介质膜处理方法

118、电介质膜处理方法

119、低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法

120、形成电介质膜的方法以及使用该电介质膜的等离子显示板

121、导电性膜的制造方法、导电性膜及记录介质

122、导电性膜的制造方法、导电性膜及记录介质

123、一种高介电系数锆硅氧薄膜和制备方法及其应用

124、非对称的介电薄膜

125、低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺

126、高介电系数栅电介质材料硅酸镧薄膜和制备方法及其应用

127、具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法

128、均匀纳米孔SiO2低介电薄膜的制备方法

129、一种铌电容器介质膜强化方法

130、具有低介电膜的半导体器件及其制造方法

131、具有不同排列方式的异质结构介电薄膜及其制备方法

132、一种含Nb复合金属氧化物介电陶瓷薄膜及其制备方法

133、直接甲醇燃料电池纳米PdNi介孔TiO2膜阳极及制备方法

134、直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法

135、形成无机硅氮烷基电介质膜的方法

136、电子水处理、复合介质膜一体化水净化设备

137、基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜及其制备方法

138、可硬化交联型的墨水组合物及介电薄膜

139、一种电泳复合沉积制备铁电、介电厚膜的方法

140、无氮介电抗反射薄膜的制作方法

141、具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法

142、具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法

143、使用电介质膜填充端间的间隙

144、膜电容器用电介质树脂组合物及其制造方法、以及膜电容器

145、一种微波介电可调的钛酸锶铋薄膜的制备方法

146、一种具有高介电常数复合介质膜铝电极箔的制备方法

147、一种双电介质层阳光控制膜

148、高电介质膜的形成方法和半导体装置的制造方法

149、一种用于太阳能电池的钝化介质膜

150、膜电容器用高介电性膜形成组合物

151、一种射频溅射制备织构化钛酸锶钡介电陶瓷薄膜的方法

152、控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法

153、一种预复合高介电常数介质膜铝电极箔的制备方法

154、联机生成硅薄膜双结太阳能电池介反射层技术

155、包含新型导体和介电组合物的薄膜晶体管

156、密封的厚膜介电电致发光显示器

157、作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶-凝胶硅酸盐

158、介电层与薄膜晶体管

159、一种金属化复合介质膜电容器芯子

160、钛酸锶钡聚酰亚胺介电可调复合材料厚膜的制备方法

161、用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置

162、用于介电薄膜的原子层沉积的化学品的光激发的方法和装置

163、用于电容器的超薄耐热聚丙烯介电薄膜的制造方法

164、高介电常数复合氧化铝膜的生产方法

165、有机氢化硅氧烷树脂介电膜

166、低电介绝缘层的汽相淀积方法、利用该低电介绝缘层的薄膜晶体管及其制造方法

167、电介质膜的成膜方法

168、电极陶瓷介质膜流延机构及高精密电极陶瓷薄膜流延机

169、介电薄膜BaTiO3掺杂金属离子的制备方法及装置

170、金属化聚酯膜介质电容器

171、金属化聚酯膜介质电容器的生产工艺

172、用于化学机械抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜的衬底的含水抛光组合物和方法

173、具有改进的电介特性的薄膜电容器

174、清洗介电薄膜的设备及方法

175、一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法

176、低介电常数的介电薄膜的形成方法

177、一种介质导电膜、制备方法及电致变色后视镜

178、用于固化电介质膜的多步系统和方法

179、电介质膜电容器及其制造方法

180、电介质膜及其制造方法

181、电介质膜的制造方法以及电容器

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