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介电膜,电介质膜加工制造工艺方法图文全套(2)

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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182、电介质膜的制造方法以及电容器

183、介孔减反膜与透明导电膜复合镀膜玻璃及其镀膜方法

184、微波介电可调钛酸锶钡铋锌铌复合薄膜及其制备方法

185、铋锌铌-钛酸锶钡复合介电可调厚膜的制备方法

186、形成介电薄膜的方法和用于实施所述方法的新的前体

187、金属氧化物介电薄膜的形成方法及半导体存储装置的制造方法

188、使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法

189、电介质膜、压电元件、液体喷头及其制造方法、液体喷射装置

190、高介电性膜

191、光敏厚膜介电糊料组合物及使用该物质制造绝缘层的方法

192、用来化学机械抛光薄膜和介电材料的组合物和方法

193、高介电系数栅电介质材料铝酸钛薄膜及其制备方法

194、电介质膜及其形成方法

195、制造闪存器件的电介质膜的方法

196、一种铝电解电容器介电质膜的制备方法

197、半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法

198、ON膜氧化作为隧穿电介质提升SONOS可靠性的方法

199、耐热性、低介电聚合物和使用该聚合物的膜、基片、电子部件和耐热性树脂模塑件

200、使用亲脂离子作为介质添加剂，电处理细胞以改变这些细胞的膜通透性的方法

201、用于形成多组分介电薄膜的直接液体注入系统和方法

202、用于形成多组分介电薄膜的直接液体注入系统和方法

203、降低介电薄膜介电常数的方法与制作低介电孔隙薄膜的方法

204、一种Al2O3Nb2O5复合介质膜铝电极箔的制备方法

205、一种Al2O3TiO2复合介质膜铝电极箔的制备方法

206、高ｐH值下制造纳米孔介电膜的方法

207、三明治结构的超低介电常数膜及其制备方法

208、一种高性能1-xBaTiO3-xNaNbO3微波介电薄膜及其制备

209、一种介电滤波薄膜材料及其制备方法

210、厚膜介电材料和导电组合物

211、低K介电薄膜的后处理

212、具有导电特性的部分蚀刻的电介质膜

213、笼型多聚物制孔超低介电氧化硅薄膜及其制备方法

214、硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法

215、介电体薄膜元件、压电致动器、液体排出头及其制造方法

216、用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件用层间电介质膜的方法

217、用多面体分子倍半硅氧烷，形成半导体器件用层间电介质膜的方法

218、内壁镀膜介电管的真空镀膜设备

219、基于纳米介电薄膜的微机械电容式微波开关

220、用于处理电介质膜的方法和系统

221、臭氧发生器用镀膜导电层介电管的制备方法

222、臭氧发生器用镀膜导电层介电管的制备方法

223、电子器件中有机介电薄膜集成化时使用硅氧烷介电薄膜的工艺

224、一种基于电介质层的单银隔热膜

225、致孔剂，致孔的前体以及使用其来提供低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法

226、致孔剂致孔的前体以及使用其来提供低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法

227、多官能环状硅氧烷化合物和由该化合物制备的硅氧烷基聚合物和用该聚合物制备介电薄膜的方法

228、形成纳米多孔介电薄膜的方法

229、低K介电薄膜的制法

230、用于低介电薄膜的机械强化添加剂

231、记录介质衬底和具有有良好膜质量的无电镀膜的记录介质

232、基于复合电介层的双银低辐射镀膜玻璃

233、低介电聚合物和使用该聚合物的膜、基底和电子零件

234、受损电介质材料和电介质膜的修复和恢复

235、制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法

236、用于厚膜介电电致发光显示器的阻挡层

237、用于制备多孔介电薄膜的包含糖类成孔剂的组合物

238、用数字液体流量计改进低介电常数介质膜的初始层的方法

239、用数字式液体流量计改进低介电常数介质膜的初始层的方法

240、有机强电介质膜的形成法、存储元件的制法、存储装置

241、电子照相用层压膜、使用该层压膜的信息记录介质以及该信息记录介质的制造方法

242、电子照相用层压膜、使用该层压膜的信息记录介质以及该信息记录介质的制造方法

243、高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法

244、高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法

245、电子结构及形成介质膜的方法

246、氧化介电薄膜的气相生长方法

247、高电介质膜的形成方法

248、减少多孔介电薄膜清洗期间损伤的处理方法

249、减少多孔介电薄膜清洗期间损伤的处理方法

250、电介体膜及其形成方法，使用其的半导体装置及制造方法

251、强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法

252、用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物

253、具有经由电介质膜连接的导电图形的射频谐振的标签

254、电介质膜的形成方法

255、用于隔离多孔低K介电薄膜的结构和方法

256、用于电致发光显示器的低焙烧温度的厚膜介电层

257、用于提高介电薄膜的系统和方法

258、一种低介电常数聚酰亚胺低聚倍半硅氧烷纳米杂化膜及其制备方法

259、介质膜构成体和利用该介质膜构成体的压电致动器及油墨喷头

260、低介电常数膜的改性剂及其生产方法

261、一种全自动挤膜机及其生产片式陶瓷介质电子元件的工艺

262、一种全自动挤膜机及其生产片式陶瓷介质电子元件的工艺

263、低介电常数膜的损伤修复方法、半导体制造装置、存储介质

264、改善多孔性低介电薄膜吸水性的方法

265、刻蚀低介电常数膜的方法

266、层状硬膜和介电材料及其方法

267、具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法

268、具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法

269、化学气相沉积成膜用组合物及生产低介电常数膜的方法

270、用于窄隙填充用途的介电薄膜

271、电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法

272、利用铜扩散阻挡结构的高多孔低K电介质膜的结构加强

273、高K介电薄膜及其制造方法

274、高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法

275、利用H2添加物对具有高介电常数的膜的选择性蚀刻

276、聚酰胺酯前体相转化制备超低介电常数聚酰亚胺膜的方法

277、通过ILD柱结构性加强多孔隙、低K介电薄膜

278、一种超低介电常数聚酰亚胺膜及其制备方法

279、形成介电薄膜的方法

280、形成介电薄膜的方法

281、具有原位嵌入的纳米层以改善机械性能的低k电介质CVD膜形成工艺

282、具有原位嵌入的纳米层以改善机械性能的低k电介质CVD膜形成工艺

283、强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件

284、先进的低介电常数有机硅等离子体化学汽相沉积膜

285、导电性组合物及其制造方法，防静电涂料、防静电膜、及防静电胶片、滤光器、光信息记录介质、以及电容器及其制造方法

286、前驱体组合物及制造方法、强电介质膜的制造方法及应用

287、导电性组合物及导电*联体、电容器及其制造方法、以及抗静电涂料、抗静电膜、抗静电片、滤光器及光信息记录介质

288、金属箔上的锆钛酸铅介电薄膜复合材料

289、一种高介电性电池隔膜

290、膜厚测量方法及膜厚测量装置、半导体集成电路的制造方法、控制程序、可读存储介质

291、一种共面电容传感器的非导电介质薄膜厚度在线检测装置

292、采用Ta2O5薄膜作为电介质膜的Ta2O5电容器的制造方法

293、强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器

294、可热固化、高介电常数的绝缘层材料及用于制备有机薄膜晶体管栅绝缘层

295、一种多孔低介电常数材料SiCOH薄膜的刻蚀方法

296、低介电损耗正切膜和配线膜

297、通过使用双有机硅氧烷前体制备低介电常数膜的方法

298、无机有机介电薄膜的沉积系统及方法

299、高温时高介电常数陶瓷聚酰亚胺复合薄膜的制备方法

300、一种以静电保护膜为媒介转移石墨烯薄膜的方法

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