【新版】

减小晶体管,电容加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

开本：16开
资料形式：DVD/U盘/电子版正文语种: 简体中文
可否打印：是装帧: 平装
分类：专业技术
咨询电话：028-87023516 (手机微信)18980857561 或18190762281
客服QQ1：853136199 客服QQ2：478224130
资料说明：资料都是电子文档PDF格式，可在电脑中阅读、放大缩小、打印，可以网传，也可以刻录在光盘或优盘中（加收40元）邮寄，如需纸质版客户可自行打印。资料具体内容包括技术开发单位信息、技术原理、技术原文，技术配方、工艺流程、制作方法，设备原理、机械设计构造、图纸等，是开发产品不可多得的专业参考资料。

订购请记住资料编号：GY10001-45120 资料价格:198元

1、NP边界效应减小的金属栅极晶体管

[简介]：本套资料提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上方形成多个伪栅极。伪栅极沿着第一轴延伸。该方法包括在伪栅极上方形成掩模层。掩模层限定沿着不同于第一轴的第二轴延伸的伸长开口。开口暴露出伪栅极的第一部并...

2、NP边界效应减小的金属栅极晶体管

[简介]：主要提出了一种通过使用源极和漏极中的III-V族半导体中间层来减小N沟道晶体管的接触电阻的方法。在这方面，介绍了一种器件，其包括：N型晶体管，具有源极区域和漏极区域；第一层间电介质层，邻近所述晶体管；沟槽，穿过所述第一...

3、通过使用源极和漏极中的III-V族半导体中间层来减小N沟道晶体管的接触电阻的方法

[简介]：本套资料主要内容为一种减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法，其包括以下步骤：在功率晶体管上形成沟槽；在沟槽内沉积多晶硅以形成栅极，同时在多晶硅顶端形成V型槽；然后在栅极的上表面沉积用于填充V型槽的多晶硅；...

4、减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法

[简介]：本套资料涉及晶体管器件，其具有在半导体本体（100）中第一导通类型的源极区（11）和漂移区（13）；与第一导通类型互补的第二导通类型的布置在漂移区与源极区之间的本体区（12）；源极电极（21），其接触源极区（11）和本体区（12）；栅极电...

5、具有减小的短路电流的晶体管器件

[简介]：本套资料是一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法；光刻*极图形，蒸发金属并剥离形成*极；利用*极金属为掩膜，腐蚀掉*区；光刻基极图形，蒸发金属并剥离形成基极；光刻基极台面图形，利用光刻胶保护住基...

6、一种减小磷化铟双异质结双极型晶体管B-C结电容方法

[简介]：提供了一种体接触绝缘体上半导体（SOI）含金属栅极的晶体管，该晶体管具有减小的寄生栅极电容，其中栅极叠层（26）的金属部分在体接触区域之上被除去，而且形成接触SOI衬底（12）的体接触区域（24）中的栅极电介质（28）的含硅材料...

7、具有减小的寄生电容的体接触晶体管

[简介]：在一个实施方案中，一种高压场效应晶体管HVFET包括覆盖第一阱区的场氧化物层，该场氧化物层具有第一厚度，且在第二侧向方向上从漏极区延伸至第二阱区附近。栅极氧化物覆盖一沟道区，并在第一侧向方向上具有第二尺寸。栅极...

8、具有减小的栅电容的高压晶体管结构

[简介]：本套资料涉及用于防止或减小短沟道效应的晶体管及其制造方法。所述晶体管包括：衬底；设置在所述衬底上的栅极堆叠体；设置在所述栅极堆叠体的第一侧表面处的衬底上的第一结区，所述第一结区由外延层形成；形成在所述栅极堆叠体...

9、用于防止或减小短沟道效应的晶体管及其制造方法

[简介]：本套资料是减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法，其结构是在延伸电极和键合区下方制作一个与MOS电容串联的PN结电容。制作方法是在硅衬底上外延n型硅外延层；对裸露的硅外延表面进行离子注入掺杂；在通氧气条件下，生成氧...

10、减小晶体管延伸电极电容的结构及制作方法

[简介]：本套资料提供一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法。现有技术采用外延工艺制作抬高的源极和漏极来减小短沟道效应，存在高复杂性和高成本等问题。本套资料的可减小短沟道效应的MOS晶体管制作在已制成场隔离区的硅衬底...

11、一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法

[简介]：描述了用替代栅工艺形成的三栅晶体管的制造。在一个实施例中，使用氮化物伪栅，允许直接与伪栅相邻的外延源区和漏区的生长。这减小了外电阻。

12、通过使用外延层减小三维晶体管的外电阻的方法和结构

[简介]：本套资料主要内容为一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法，在对整个MOS场效应管区域进行阈值电压离子注入的基础上，增加一次阈值电压调节离子注入步骤：首先确定增加一次阈值电压调节离子注入注入区域，即MOS场效应管宽度W方向...

13、一种减小MOS晶体管反窄沟道效应的方法

[简介]：一种新颖半导体结构及形成该结构的方法。半导体结构包括a栅极层，b在栅极层上的栅极介质层，c在栅极介质层上的半导体层。半导体层通过栅极介质层与栅极层电绝缘。半导体层包括i与栅极介质层直接物理接触的第一和第...

14、具有减小的栅极-源极漏极电容的半导体晶体管

[简介]：在本套资料的一个实施例中，沟槽MOS栅控晶体管包括：第一导电类型的第一区，其与第二导电类型的阱区形成pn结。阱区具有平坦底部和延伸深于平坦底部的部分。栅极沟槽延伸进阱区。沟道区沿栅极沟槽的外部侧壁在阱区中延伸。栅极沟...

15、具有减小的密勒电容的MOS栅控晶体管

[简介]：本套资料主要内容为一种减小晶体管在有源区边缘结漏电的方法，包括：首先在常规的源漏注入后，通过光刻，使有源区边缘的光刻胶被显影掉，并对暴露的有源区边缘再进行一次追加离子注入，使有源区边缘的结深加深，有效的防止结漏电。

16、减小晶体管在有源区边缘结漏电的方法

[简介]：所公开的实施例涉及一种用于在显示设备10中使用的薄膜晶体管TFT90。显示设备10可以包括具有按行和列形式布置的多个像素82的液晶显示器LCD面板12，其中每行对应于栅极线且每一列对应于源极线。每个像素82包括像素电极...

17、具有减小的负载的氧化物薄膜晶体管TFT的显示像素

[简介]：本套资料提供一种薄膜晶体管基板，能够提供广视角和高对比度而不减小开口率。例如，该TFT基板可以，用于图案化的垂直排列模式LCD。TFT基板包括在不平行的方向上延伸的栅极线和数据线以及在像素区域内形成的像素电极。像素区域...

18、能够避免开口减小的薄膜晶体管基板

[简介]：描述了一种用凹陷部外延SiGe源区和漏区来选择性地减轻n沟道晶体管的沟道应力的方法。这可提高n沟道晶体管的电子迁移率，而不影响p沟道晶体管中的应变。SiGe在形成硅化物时提供较低的电阻。

19、用于减小场效应晶体管中的接触电阻的外延硅锗

[简介]：本套资料提供一种减小薄膜晶体管漏电流的方法，其步骤包括：提供一薄膜晶体管基板，其包括多个薄膜晶体管，分别与该多个薄膜晶体管的栅极连接的多条扫描线及分别与该多个薄膜晶体管的源极连接的多条数据线；施加一电压信号至...

20、减小薄膜晶体管漏电流的方法

[简介]：提供一种双扩散场效应晶体管及其形成方法。该方法首先提供第一导电类型的衬底300。接着，将第一导电类型的至少一种掺杂剂种类引入衬底表面，以致衬底具有不均匀的杂质分布。在衬底上形成第一导电类型的外延层304，在外延...

当前第1页
1

本套资料共包括41项技术资料，由于篇幅限制未能完整列出，请点击下载完整目录

马上订购

联系客服